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SK海力士沖擊16層堆疊內(nèi)存:1平方毫米打10萬個(gè)孔

2020-03-09
來源:快科技
關(guān)鍵詞: SK海力士 晶圓 CPU GPU

SK海力士宣布,已經(jīng)與Xperi Corp旗下子公司Invensas簽訂新的專利與技術(shù)授權(quán)協(xié)議,獲得了后者DBI Ultra 2.5D/3D互連技術(shù)的授權(quán),。

DBI Ultra是一種專利的裸片-晶圓(die-wafer)混合鍵合互連技術(shù),,每平方毫米的面積里可以容納10萬個(gè)到100萬個(gè)互連開孔,,孔間距最小只有1微米,相比每平方毫米最多625個(gè)互連開孔的傳統(tǒng)銅柱互連技術(shù),可大大提高傳輸帶寬,。

DBIUltra使用化學(xué)鍵合來連接不同的互聯(lián)層,,也不需要銅柱和底層填充,,因此不會增加高度,從而大大降低整體堆疊高度,,釋放空間,,可將8層堆疊翻番到16層堆疊,獲得更大容量,。

雖然它要使用新的工藝流程,,但是良品率更高,也不需要高溫,,而高溫正是影響良品率的關(guān)鍵因素。

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和其他下一代互連技術(shù)類似,,DBI Ultra也靈活支持2.5D,、3D整合封裝,還能集成不同尺寸,、不同工藝制程的IP模塊,,因此不但可用來制造DRAM、3DS,、HBM等內(nèi)存芯片,,也可用于高集成度的CPUGPU,、ASIC,、FPGA、SoC,。

比如3D堆棧內(nèi)存方案,,可以是4層的DRAM,可以是4/8/12/16層的HBM2/HBM3并在底部整合邏輯電路,。

比如3D集成方案,,可以上方是4-16層堆疊HBM、下方是CPU/GPU/FPGA/SoC等邏輯單元,。

比如2.5D集成方案,,可以在基板上一邊是4-16層堆疊HBM并通過邏輯電路接入基板,另一邊則是CPU/GPU/FPGA/SoC等邏輯單元直接以DBI Ultra互連的方式接入基板,。

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SK海力士還未透露會將DBI Ultra封裝技術(shù)用在哪里,,但是DRAM、HBM顯然是最佳選擇,。

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   作者:上方文Q


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