臺積電是否會在3nm工藝上繼續(xù)選擇FinFET,，這將影響到整個行業(yè)先進制程的走勢。

繼三星之后,，臺積電也正式對外公布了其3nm工藝計劃,。

在剛結束不久的說法會上，臺積電宣布,，其2020年的開支大約會在150到160億美元之間,，其中80％將投向先進產能擴增，包括7nm,、5nm及3nm,。其中，關于3nm工藝的具體情況,，臺積電稱將會在4月份的發(fā)布會上公開,。

目前，業(yè)內普遍認為3nm工藝決定了未來半導體新制程的發(fā)展方向,，因此半導體制造領域的巨頭們最終會在3nm工藝上選擇什么路線,，成為業(yè)內格外關注的話題。

此前三星就宣布了3nm工藝計劃,，明確表示會放棄FinFET晶體管,，轉向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術。具體來說,，三星的3nm工藝分為3GAE,、3GAP，后者的性能更好，不過首發(fā)的是第一代GAA晶體管工藝3GAE,。

根據官方說法,，基于全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET,，多橋－通道場效應管）,，該技術可以顯著增強晶體管性能；此外,，MBCFET技術還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術及設備,，從而加速工藝開發(fā)及生產。

在2019年的日本SFF會議上,，三星還公布了3nm工藝的具體指標，與現(xiàn)在的7nm工藝相比,，3nm工藝可將核心面積減少45％,，功耗降低50％，性能提升35％,。

三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國,，由于在7nm、5nm節(jié)點上都要落后于臺積電,，所以三星押注3nm節(jié)點,，希望在這個節(jié)點上超越臺積電成為第一大晶圓代工廠，因此三星對3GAE工藝寄予厚望,，最快會在2021年就要量產,。

至于臺積電，在3nm節(jié)點他們也大舉投資,，去年宣布斥資195億美元建設3nm工廠,，2020年會正式開工，不過技術細節(jié)一直沒有透露,，尤其是臺積電是否會像三星那樣選擇GAA晶體管還是會繼續(xù)改進FinFET晶體管,，這將影響到整個行業(yè)走勢。

作者：Lynn