臺積電是否會在3nm工藝上繼續(xù)選擇FinFET，這將影響到整個行業(yè)先進制程的走勢,。

繼三星之后,，臺積電也正式對外公布了其3nm工藝計劃,。

在剛結(jié)束不久的說法會上，臺積電宣布,，其2020年的開支大約會在150到160億美元之間,，其中80％將投向先進產(chǎn)能擴增，包括7nm,、5nm及3nm,。其中，關(guān)于3nm工藝的具體情況,，臺積電稱將會在4月份的發(fā)布會上公開,。

目前，業(yè)內(nèi)普遍認為3nm工藝決定了未來半導體新制程的發(fā)展方向，因此半導體制造領(lǐng)域的巨頭們最終會在3nm工藝上選擇什么路線,，成為業(yè)內(nèi)格外關(guān)注的話題,。

此前三星就宣布了3nm工藝計劃，明確表示會放棄FinFET晶體管,，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),。具體來說，三星的3nm工藝分為3GAE,、3GAP,，后者的性能更好，不過首發(fā)的是第一代GAA晶體管工藝3GAE,。

根據(jù)官方說法,，基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET,，多橋－通道場效應(yīng)管）,，該技術(shù)可以顯著增強晶體管性能；此外,，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備,，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。

在2019年的日本SFF會議上,，三星還公布了3nm工藝的具體指標,，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45％,，功耗降低50％,，性能提升35％。

三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國,，由于在7nm,、5nm節(jié)點上都要落后于臺積電，所以三星押注3nm節(jié)點,，希望在這個節(jié)點上超越臺積電成為第一大晶圓代工廠,，因此三星對3GAE工藝寄予厚望，最快會在2021年就要量產(chǎn),。

至于臺積電,，在3nm節(jié)點他們也大舉投資，去年宣布斥資195億美元建設(shè)3nm工廠,，2020年會正式開工,，不過技術(shù)細節(jié)一直沒有透露，尤其是臺積電是否會像三星那樣選擇GAA晶體管還是會繼續(xù)改進FinFET晶體管,，這將影響到整個行業(yè)走勢,。

作者：Lynn