地時(shí)間3月25日,,三星電子宣布,,將推出業(yè)內(nèi)首款采用極紫外光刻技術(shù)(EUV)設(shè)計(jì)的DRAM內(nèi)存模塊,。
作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存制造商之一,,三星表示,,全球客戶對(duì)其首批100萬(wàn)個(gè)10nm級(jí)DDR4 DRAM模塊的評(píng)價(jià)還不錯(cuò),,三星將很快開(kāi)始處理全球分銷的訂單,。
EUV技術(shù)令內(nèi)存模塊的制造更加精確和快速,。它通過(guò)減少重復(fù)步驟的次數(shù)來(lái)加速光刻過(guò)程,并促進(jìn)復(fù)雜芯片圖案的生產(chǎn),。意味著芯片性能精度會(huì)更高,、開(kāi)發(fā)時(shí)間會(huì)更短。
三星并不是唯一一家專注于EUV技術(shù)的公司,。臺(tái)積電去年就開(kāi)始使用EUV技術(shù)生產(chǎn)其7nm N7+芯片,。根據(jù)公司的測(cè)試,這些芯片可以容納高達(dá)20%的晶體管密度,,比使用氬氟化物激光光刻技術(shù)制造的老式N7芯片少10%的功耗,。
英特爾在近20年前就開(kāi)始探索EUV工藝,英特爾目前正在為其新芯片生產(chǎn)線做準(zhǔn)備,。去年夏天,,英特爾的EUV研究員兼主管布里特·圖爾科特(Britt Turkot)說(shuō),工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)使用EUV的生產(chǎn)系統(tǒng)時(shí)面臨挑戰(zhàn),,原因是它的復(fù)雜性和成本,。芯片制造公司將需要建造新的設(shè)施來(lái)處理新技術(shù)。
三星將在未來(lái)所有DRAM芯片上使用10nm EUV技術(shù),。這將包括基于d1的16GB DDR5和用于電腦的LPDDR5內(nèi)存芯片,,預(yù)計(jì)將于2021年投入生產(chǎn)。它還包括用于智能手機(jī)的LPDDR4X RAM芯片,。
三星DRAM部門執(zhí)行副總裁李俊白Jung-bae Lee表示:“隨著我們基于EUV技術(shù)的新DRAM的量產(chǎn),,我們正在兌現(xiàn)為IT界提供革命性的DRAM解決方案的承諾?!?/p>