北方華創(chuàng)宣布，2020年4月7日,，北方華創(chuàng)THEORIS SN302D型12英寸氮化硅沉積設備搬入(Move in)國內(nèi)集成電路制造龍頭企業(yè)。該設備的交付,，意味著國產(chǎn)立式LPCVD設備在先進集成電路制造領域的應用拓展上實現(xiàn)重大進展。

    化學氣相沉積(CVD)技術(shù)是用來制備高純,、高性能固體薄膜的主要技術(shù),。在典型的CVD工藝過程中，把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中,，在外部能量作用下發(fā)生化學反應并在襯底表面形成需要的薄膜,。由于CVD技術(shù)具有成膜范圍廣、重現(xiàn)性好等優(yōu)點,，被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜,。

    低壓化學氣相淀積(LPCVD)是在低壓和特定溫度條件下通過氣體混合發(fā)生化學反應，在硅片表面淀積一層固體膜的工藝,。例如：氮化硅薄膜淀積,、多晶硅薄膜淀積、非晶硅薄膜淀積,、二氧化硅薄膜淀積等,。在集成電路制造技術(shù)特征尺寸越來越小的趨勢下，立式LPCVD爐管設備(300mm/200mm)的溫度均勻性差,、顆?？刂浦笜?，對產(chǎn)品電氣特性和良 率將產(chǎn)生越來越大的影響,，因而對高端LPCVD爐管設備的性能提出了更高的要求,，包括高精度溫度場控制、高精度壓力控制,、良好的工藝均勻性,、先進的顆粒控 制技術(shù),、完整的工廠自動化接口,、高速的數(shù)據(jù)采集算法等。對未來技術(shù)發(fā)展而言,，會出現(xiàn)更高均勻性,、更少顆粒、更高產(chǎn)能,、更智能控制的進一步需求,，這些需求將 帶來對高端LPCVD爐管設備進一步的挑戰(zhàn)。

    氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應用廣泛的介質(zhì)材料,。作為非晶絕緣物質(zhì),，氮化硅膜的介質(zhì)特性優(yōu)于二氧化硅薄膜，具有對可動離子阻擋能力強,、結(jié)構(gòu)致密,、針孔密度小、化學穩(wěn)定性好,、介電常數(shù)高等優(yōu)點,，常用于集成電路制造中的介質(zhì)絕緣、雜質(zhì)掩蔽,、淺溝道隔離,、掩膜、外層鈍化保護等工藝,。

    作為一種性能優(yōu)良的重要介質(zhì)材料,，在集成電路制造領域，氮化硅薄膜得到廣泛使用,，而顆?？刂扑绞荓PCVD設備能力的一項重要指標。

    北方華創(chuàng)在氮化硅工藝設備THEORIS SN302D的開發(fā)過程中,，通過整合已有產(chǎn)品平臺技術(shù),，針對性地研發(fā)了快速升降溫加熱技術(shù)和爐口氣流優(yōu)化技術(shù)，良好地解決了氮化硅工藝過程中顆?？刂撇环€(wěn)的技術(shù)性難題,。并在滿足常規(guī)生產(chǎn)能力的基礎上，為提升客戶使用的附加價值，進一步開發(fā)了長恒溫區(qū)反應腔室設計,，實現(xiàn)了高產(chǎn)能的硬件技術(shù)解決方案,，匹配市場的多樣化需求。

    經(jīng)過10余年的創(chuàng)新發(fā)展,，北方華創(chuàng)立式爐從無到有,，從設備研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化，目前已形成氧化(Oxide),、退火(Anneal),、化學氣相沉積(LPCVD)、合金(Alloy)四大系列工藝設備,，設備性能達到國際同類產(chǎn)品的先進水平,。北方華創(chuàng)在不斷拓展產(chǎn)品應用領域的同時，也將致力于幫助客戶提升工藝性能,、提高產(chǎn)能,、降低成本，為半導體集成電路領域的廣大客戶帶來無限可能,。