由于SiC,、GaN有著硅 Si 材料無法企及的優(yōu)勢,，所以用這兩款半導體材料制造的芯片可以承受更高的電壓，輸出更高能量密度,，承受更高的工作環(huán)境溫度,。然而，受工藝,、成本等因素限制,，多年來僅限于小范圍應用。

　　而隨著工藝進步,、材料生長,、器件制備等技術的不斷突破，第三代半導體逐漸打開應用市場空間,，觸角向5G基站,、特高壓、城際高鐵交通,、新能源充電樁,、智能汽車、消費電子等關鍵領域延伸,。

　　根據(jù)光大證券研報,，新能源汽車為SiC的最重要下游領域,，主要應用包括主驅逆變器,、DC/DC轉換器、充電系統(tǒng)中的車載充電機和充電樁等,，單車用量平均為0.5片6寸碳化硅,，碳化硅晶片價格為7000元/片,，單車碳化硅襯底價值量約3500元。根據(jù)IHS數(shù)據(jù),，2018年和2027年碳化硅功率器件市場規(guī)模分別約4億和100億美金,，復合增速約40%。

　　若按光大證券的估算,，若車用碳化硅晶圓成功替代硅晶圓,，平均兩輛電動車需要一片6英寸碳化硅晶圓。

　　以特斯拉為例,，其一季度宣稱6月底美國工廠Model 3及Model Y的年產能將達50萬輛,，上海廠計劃年底產能50萬輛，使其總產能規(guī)模近100萬輛,。也就是說,，特斯拉一年平均約要50萬片6英寸碳化硅。然而,，有數(shù)據(jù)顯示,，目前全球碳化硅晶圓總年產能約在40-60萬片。一家特斯拉便可以吃掉行業(yè)全部產能,。

　　旺盛需求下,，我國第三代半導體行業(yè)發(fā)展風口已至。以碳化硅SiC,、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體材料,，熱度急劇上升。不完全統(tǒng)計,，國內“已有+在建”碳化硅產線104條,，GaN項目也達到了43個（統(tǒng)計截至2021年8月19日）。