國(guó)產(chǎn)內(nèi)存長(zhǎng)鑫與Rambus達(dá)成合作:獲得DRAM內(nèi)存專(zhuān)利 費(fèi)用未知
2020-04-28
來(lái)源:快科技
在長(zhǎng)江存儲(chǔ)不斷突破3D閃存的同時(shí),國(guó)內(nèi)另一家存儲(chǔ)企業(yè)合肥長(zhǎng)鑫也攻關(guān)DDR內(nèi)存,,去年9月份正式量產(chǎn)10nm內(nèi)存,。日前長(zhǎng)鑫又宣布與美國(guó)Rambus(中文名藍(lán)鉑世)達(dá)成協(xié)議,,獲得了后者的DRAM技術(shù)授權(quán),。
與長(zhǎng)鑫合作的美國(guó)Rambus公司雖然也是NPE(Non-Practicing Entity,,非專(zhuān)利執(zhí)行實(shí)體)公司,,但在內(nèi)存技術(shù)上還是很有實(shí)力的,,過(guò)去多年中三星,、SK海力士、Intel,、高通,、NVIDIA等公司都跟他們簽訂了DRAM技術(shù)授權(quán)協(xié)議。
長(zhǎng)鑫與Rambus簽署的合作協(xié)議也涉及DRAM技術(shù)授權(quán),,不過(guò)具體的合作內(nèi)容及授權(quán)費(fèi)用沒(méi)有公布,,兩邊對(duì)此合作倒是都很滿(mǎn)意。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼CEO朱一明表示:“與藍(lán)鉑世達(dá)成的協(xié)議再次表明,,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)高度重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)相關(guān)的國(guó)際規(guī)則,,持續(xù)強(qiáng)化知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合。公司致力于通過(guò)自主研發(fā)與國(guó)際合作,,不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價(jià)值知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面的積累,,并以此為基礎(chǔ)實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展,穩(wěn)步提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,?!?/p>
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年5月在安徽合肥啟動(dòng),總投資1500億元,,專(zhuān)業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā),、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,目前已建成第一座300毫米晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn),,并通過(guò)專(zhuān)用研發(fā)線(xiàn)快速迭代研發(fā),,結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備大幅度改進(jìn)工藝,開(kāi)發(fā)出了獨(dú)有的技術(shù)體系,。
2019年9月份,,合肥長(zhǎng)鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長(zhǎng)鑫內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn),將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存,。
在內(nèi)存技術(shù)上,,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的董事長(zhǎng)兼CEO朱一明去年披露,他們從已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司,,獲得了一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù),,在此基礎(chǔ)上改進(jìn)、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片,,耗資超過(guò)25億美元,。
在自研技術(shù)之外,長(zhǎng)鑫也免不了要跟其他公司合作授權(quán),,就在去年底,,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從Polaris獲得了大量DRAM技術(shù)專(zhuān)利的實(shí)施許可,,而這些專(zhuān)利來(lái)自Polaris 2015年6月從奇夢(mèng)達(dá)母公司英飛凌購(gòu)得的專(zhuān)利組合。