賓夕法尼亞,、MALVERN — 2020年7月9日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊---SiZF300DT,，將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET? MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個(gè)小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm封裝中,。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同時(shí)有助于減少元器件數(shù)量,，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),，適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換。

日前發(fā)布器件中的兩個(gè)MOSFET采用半橋配置內(nèi)部連接,。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V條件下,，最大導(dǎo)通電阻分別為4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V條件下,，導(dǎo)通電阻分別為1.84 mW和2.57 mW,。兩個(gè)MOSFET典型柵極電荷分別為6.9 nC和19.4 nC。

SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導(dǎo)通電阻的雙片器件節(jié)省65 %的空間,，是市場(chǎng)上最緊湊的集成產(chǎn)品之一,。器件為設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間的解決方案，適用于圖形加速卡,、計(jì)算機(jī),、服務(wù)器以及通信和RF網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換、電源以及同步降壓和DC / DC轉(zhuǎn)換器,。

雙MOSFET采用獨(dú)特的引腳配置結(jié)構(gòu),，電流相位輸出電流比相同占位面積的同類產(chǎn)品高11 %，此外,，輸出電流超過20 A時(shí)具有更高的效率,。器件引腳配置和大PGND 焊盤還可以增強(qiáng)散熱，優(yōu)化電路,，簡(jiǎn)化PCB布局,。

SiZF300DT 經(jīng)過100 % Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS要求標(biāo)準(zhǔn),，無鹵素,。

新款雙MOSFET模塊現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為12周,。