Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 VP溝道MOSFET,,可提高能效和功率密度
2020-08-19
來源:Vishay
賓夕法尼亞,、MALVERN—2020年8月17日—日前,,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,,首度推出-30Vp溝道功率MOSFET---SiRA99DP,10V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7mW,。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代SiRA99DP導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,,采用熱增強(qiáng)型6.15mmx5.15mm PowerPAK? SO-8單體封裝,,專門用來提高功率密度,。
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%,降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗,,從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度,。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC,柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積,,即開關(guān)應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù) (FOM) 為185 mW*nC,,達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平。
器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇,,適用于適配器,、電池和通用電源開關(guān)、反向極性電池保護(hù),、 OR-ing功能,,以及電信設(shè)備、服務(wù)器,、工業(yè)PC和機(jī)器人的電機(jī)驅(qū)動控制,。SiRA99DP減少并聯(lián)器件數(shù)量,換句話說,,加大單個器件電流,,從而提高功率密度,,節(jié)省這些應(yīng)用的主板空間。此外,,作為p溝道MOSFET,,器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。
這款MOSFET經(jīng)過RG和UIS測試,,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),,無鹵素。
SiRA99DP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),,供貨周期為12周,,視市場情況而定。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”,,是全球分立半導(dǎo)體(二極管,、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器,、電容器)的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算,、汽車,、消費(fèi)、通信,、國防,、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,,敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。
PowerPAK和TrenchFET是Siliconix公司的商標(biāo),。