器件采用PowerPAK SO-8單體封裝,，柵極電荷與導通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平

　　賓夕法尼亞,、MALVERN -2020年8月17日 - 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP ,，10 V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平,，采用熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝,，專門用來提高功率密度。

　　日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%,，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度,。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC,，柵極電荷與導通電阻乘積,，即開關(guān)應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù) （FOM） 為185 mW*nC，達到同類產(chǎn)品最佳水平,。

　　器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇,，適用于適配器、電池和通用電源開關(guān),、反向極性電池保護,、 OR-ing功能，以及電信設(shè)備,、服務(wù)器,、工業(yè)PC和機器人的電機驅(qū)動控制。SiRA99DP減少并聯(lián)器件數(shù)量,，換句話說,，加大單個器件電流，從而提高功率密度,，節(jié)省這些應(yīng)用的主板空間,。此外，作為p溝道MOSFET,，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓,。

　　這款MOSFET經(jīng)過RG和UIS測試，符合RoHS標準,，無鹵素,。

　　SiRA99DP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周,，視市場情況而定,。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管,、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器,、電感器、電容器）的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè),、計算、汽車,、消費,、通信、國防,、航空航天,、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購戰(zhàn)略,，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。