日前,，華虹宏力副總裁周衛(wèi)平在 2020 年第 23 屆中國集成電路制造年會暨廣東集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上發(fā)表了題為《雙核引擎,，綠色智造，贏芯未來》的報告,，對華虹集團的“8+12”雙核引擎戰(zhàn)略進行全面的分析,。

　　華虹集團目前擁有金橋基地,、張江基地、康橋基地和無錫基地,，共有 7 座工廠,，其中華虹宏力有 3 座 8 英寸廠和 1 座 12 英寸廠。8 英寸合計月產(chǎn)能 17.8 萬片,，12 英寸月產(chǎn)能 6.5 萬片,。華虹集團在全球集成電路代工業(yè)中排位，從 2016 年第 7 位,，到 2017 年第 6 位,，2019 年首次進入第 5 位。

　　周衛(wèi)平副總裁強調(diào),，華虹宏力響應(yīng)國家綠色發(fā)展戰(zhàn)略,，打造集綠色技術(shù)、綠色生產(chǎn),、綠色建筑于一體的綠色企業(yè),，實現(xiàn)環(huán)境友好和可持續(xù)發(fā)展。

　　華虹“芯”速度

　　2017 年 8 月,，華虹集團與無錫市政府簽署協(xié)議,，一期項目建設(shè)一條工藝等級 90～65/55 納米,、月產(chǎn) 4 萬片的 12 英寸集成電路生產(chǎn)線（華虹七廠）,，支持 5G 和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。這是華虹集團融入長三角一體化高質(zhì)量發(fā)展戰(zhàn)略,，在上海市域以外,、長三角布局的第一個研發(fā)制造基地，在華虹發(fā)展戰(zhàn)略中具有標志性意義,。華虹無錫項目是全國最先進的特色工藝生產(chǎn)線,、全國第一條 12 英寸功率器件代工生產(chǎn)線、江蘇省第一條自主可控 12 英寸生產(chǎn)線,。項目建設(shè)速度非?？欤龅搅水?dāng)年開工,、當(dāng)年封頂,，17 個月建成投片?；诩瘓F自有技術(shù),，研發(fā)團隊提前一年攻關(guān)，研發(fā)成果加速走上生產(chǎn)線,，特色工藝研發(fā)順利推進,，產(chǎn)品工藝通線一次成功。在市場開拓方面，與國內(nèi)外多家設(shè)計公司進行良好合作,。無錫基地 12 英寸致力于打造多元化,、綜合化的客戶解決方案，基地發(fā)展開始提速,。在穩(wěn)步推進多個技術(shù)平臺的認證工作的同時,，也實現(xiàn)了高良率出貨。截止 2020 年第二季度,，無錫基地 12 英寸生產(chǎn)線交付客戶的產(chǎn)品包括智能卡芯片,、功率器件和 CIS 產(chǎn)品；在下半年超結(jié)產(chǎn)品也將開始出貨,，以滿足新能源汽車等新興市場的需求,。并加快推進產(chǎn)能建設(shè)和生產(chǎn)運行，已形成 1 萬片的月產(chǎn)能,，即將形成 2 萬片月產(chǎn)能,。

　　聚焦特色工藝

　　華虹宏力從 2002 年開始自主創(chuàng)“芯”路，成立國內(nèi)第一條 8 英寸 Trench MOSFET 代工生產(chǎn)線,，是全球第一家提供功率器件代工服務(wù)的 8 英寸純晶圓代工廠,。2002 年到 2010 年，陸續(xù)完成先進的溝槽型中低壓 MOSFET/SGT/TBO 等功率器件技術(shù)開發(fā),；2010 年,，高壓 600V-700V 溝槽型、平面型 MOSFET 工藝進入量產(chǎn)階段,；2011 年,，第一條 8 英寸 IGBT 代工生產(chǎn)線量產(chǎn)，同年第一代深溝槽超級結(jié)工藝進入量產(chǎn)階段,，同年 1200V 溝槽型 NPT IGBT 工藝也完成研發(fā)進入量產(chǎn)階段,；2013 年，第 2 代深溝槽超級結(jié)工藝推向市場,，同時 600V-1200V 溝槽型場截止型 IGBT（FDB 工藝）也成功量產(chǎn),。2020 年，12 英寸功率產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn),。

　　功率器件累計出貨超過 800 萬片 8 英寸晶圓,；2020 年月產(chǎn)能突破 10 萬片（折合 8 英寸晶圓）； 高端功率器件（超級結(jié) SJ 和 IGBT）占比快速上升,，在 2015 到 2019 年的銷售額以及出貨量

　　的年復(fù)合增長率超過 50%,。功率器件制造領(lǐng)域擁有 341 項發(fā)明專利，包括美國發(fā)明專利 18 項,；其中 IGBT 背面工藝 25 項,，正面工藝 67 項,，低壓 MOSFET 有 94 項 超級結(jié) SJ 有 155 項。

　　作為華虹宏力的核心業(yè)務(wù)之一,，公司在功率器件方面主要聚焦在以下方面：

　　一是 DMOS/SGT 方面,，擁有溝槽柵 MOSFET、底部厚柵氧（BTO） MOSFET,、上下結(jié)構(gòu) SGT,、左右結(jié)構(gòu) SGT 等多種工藝結(jié)構(gòu) 。硅基 MOSFET 是功率器件工藝的基礎(chǔ),，后續(xù)工藝都是基于這個工藝平臺不斷升級,、完善，華虹宏力致力于優(yōu)化 pitch size,，提升元胞密度,，擁有業(yè)界先進的導(dǎo)通電阻。華虹宏力的 MOSFET 產(chǎn)品已通過車規(guī)認證,，并配合客戶完成相對核心關(guān)鍵部件如汽車油泵,、轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)等的應(yīng)用。

　　二是超級結(jié)（SJ）,，超級結(jié) MOSFET 是華虹宏力功率半導(dǎo)體工藝平臺的中流砥柱,。2011 年，第一代超級結(jié) MOSFET 工藝開始量產(chǎn),；2013 年,，通過技術(shù)創(chuàng)新，pitch 尺寸越來越小,，同時 Pitch 垂直度越來越大,，降低結(jié)電阻,，推出第二代超級結(jié) MOSFET 工藝,；2015 年，進一步優(yōu)化,，推出 2.5 代超級結(jié) MOSFET 工藝,；2017 年，第三代超級結(jié) MOSFET 工藝試生產(chǎn),。

　　華虹宏力擁有獨創(chuàng)的擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的深溝槽超級結(jié)技術(shù)方案,，可大幅降低導(dǎo)通電阻，同時,，在生產(chǎn)制造過程中可大幅縮短加工周期,、降低生產(chǎn)成本。超級結(jié) MOSFET 適用于 150V-900V 電壓段,，電流范圍 1-100A,，它的電阻更小,，效率更高，散熱相對低,，所以在要求嚴苛的開關(guān)電源里有大量的應(yīng)用,，高度契合當(dāng)前熱門的大功率快充電源、LED 照明電源及新能源汽車充電樁等應(yīng)用需求,。

　　三是 IGBT,，華虹宏力是國內(nèi)最早布局、最完善,、最完整的全套 IGBT 薄晶圓背面加工工藝,，是國內(nèi)首家量產(chǎn)深溝槽場截止型 IGBT 產(chǎn)品的公。硅基 IGBT 作為電動汽車的核心,，非?？简灳A制造的能力和經(jīng)驗。從器件結(jié)構(gòu)來看,，IGBT 芯片正面類似普通的 MOSFET,，難點在于實現(xiàn)背面結(jié)構(gòu)。作為國內(nèi)最早布局的公司,，華虹宏力擁有最完善,、最完整的全套 IGBT 薄晶圓背面加工工藝，包括背面薄片,、背面高能離子注入,、背面激光退火以及背面金屬化等，使得客戶產(chǎn)品能夠比肩業(yè)界主流的國際 IDM 產(chǎn)品,。

　　華虹宏力 IGBT 產(chǎn)品線的電壓范圍涵蓋 600~1700V,；電流范圍涵蓋 10~400A，逐漸從消費類跨入工業(yè)商用,、新能源汽車等領(lǐng)域

　　周衛(wèi)平副總裁認為功率器件領(lǐng)域的未來前景可期,，公司在做大做強方面提出了四點：一是立足“8+12”戰(zhàn)略，深耕功率器件領(lǐng)域,，在技術(shù)上不斷更新迭代,，追求功率器件所需的更高功率密度和更低損耗；二是充分發(fā)揮 12 英寸更小線寬特性,，持續(xù)開發(fā)優(yōu)化 DMOS,、SGT、超級結(jié) SJ,、IGBT 技術(shù),，加速進軍高端功率器件市場；三是“8+12”齊頭并進,，為客戶提供更為充足的產(chǎn)能和更具優(yōu)勢的綠色“芯”代工解決方案,；四是深化戰(zhàn)略合作,，全力支持產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)，促進全球集成電路制造供應(yīng)鏈的協(xié)同共贏,。

　　開拓車規(guī)市場

　　智能電動汽車發(fā)展趨勢強力驅(qū)動汽車電子中的半導(dǎo)體元器件數(shù)量大幅增加,。在汽車電子領(lǐng)域，微控制器,、模擬芯片,、功率器件三大類半導(dǎo)體芯片市場規(guī)模大、未來的成長性較好,，這也是華虹集團旗下華虹宏力在汽車電子領(lǐng)域布局的重點,。

　　華虹宏力已在汽車電子的車載動力 / 引擎數(shù)據(jù)等存儲、引擎及安全氣囊控制,、油泵系統(tǒng),、AC/DC 轉(zhuǎn)換器、車身穩(wěn)定（ESP）系統(tǒng),、電動汽車逆變器,、信息娛樂系統(tǒng)、語音系統(tǒng)等獲得了大量應(yīng)用,，工業(yè)及汽車已成為公司第二大應(yīng)用市場,，占公司總營收的 25%左右。

　　為符合汽車的嚴苛安全要求,，華虹宏力實施全面的汽車電子質(zhì)量管控,，建立了零缺陷管理模式，通過 IATF 16949 汽車質(zhì)量管理體系認證和多家客戶的 VDA 6.3（德國汽車質(zhì)量流程審計標準）標準審計,，并擁有符合汽車電子 AEC-Q100 Grade-1 標準的高可靠性嵌入式閃存技術(shù),。通過“安全、可靠,、高性能”的多種工藝平臺靈活組合,，華虹宏力將為持續(xù)攀升的汽車半導(dǎo)體市場需求提供更優(yōu)質(zhì)服務(wù)。

　　贏芯未來

　　華虹宏力通過建設(shè) 12 英寸生產(chǎn)線,，延伸 8 英寸特色工藝優(yōu)勢,，拓寬護城河,，提高技術(shù)壁壘,，拉開與身后競爭者的差距。而在擴充產(chǎn)能的同時,，技術(shù)節(jié)點也推進到 90/55 納米,，以實現(xiàn)“人無我有，人有我精”的產(chǎn)品工藝,，給客戶提供更先進的工藝支持,，攜手再上新臺階,。