ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),，典型的就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
一,、ROM也有很多種：PROM（可編程的ROM）,、EPROM（可擦除可編程ROM）、EEPROM
1,、PROM是一次性的,，早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了,；
2,、EPROM是通過(guò)紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲(chǔ)器,；
3,、EEPROM是通過(guò)電子擦出，價(jià)格很高,，寫(xiě)入時(shí)間很長(zhǎng),，寫(xiě)入很慢；
舉個(gè)例子,，手機(jī)軟件一般放在EEPROM中,，我們打電話，有些最后撥打的號(hào)碼,，暫時(shí)是存在SRAM中的,，不是馬上寫(xiě)入通訊記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因?yàn)楫?dāng)時(shí)有很重要工作（通話）要做,，如果寫(xiě)入,，漫長(zhǎng)的等待是讓用戶(hù)忍無(wú)可忍的。
二,、RAM有兩大類(lèi)：靜態(tài)RAM（StaticRAM/SRAM）和動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM）
1,、SRAM
不需要刷新電路，掉電丟失數(shù)據(jù),，而且一般不是行列地址復(fù)用的,。
集成度比較低,，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面,。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來(lái)做CPU啟動(dòng)時(shí)用的,；
SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多,；
因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級(jí)緩存以及內(nèi)置的二級(jí)緩存,。僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。
2,、DRAM
掉電丟失數(shù)據(jù),。每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)，才能保存數(shù)據(jù),。而且是行列地址復(fù)用的,，許多都有頁(yè)模式。DRAM利用MOS管的柵電容上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息,，一旦掉電信息會(huì)全部的丟失，由于柵極會(huì)漏電,，所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷,，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷，這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新,，所以稱(chēng)其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,。由于它只使用一個(gè)MOS管來(lái)存信息，所以集成度可以很高,，容量能夠做的很大,。SDRAM比它多了一個(gè)與CPU時(shí)鐘同步。
DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短,，速度也比SRAM慢,，不過(guò)它還是比任何的ROM都要快；
從價(jià)格上來(lái)說(shuō)DRAM相比SRAM要便宜很多,，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的,；
DRAM分為很多種，常見(jiàn)的主要有FPRAM/FastPage,、EDORAM,、SDRAM、DDR RAM,、RDRAM,、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM,。
一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷,，有電荷代表1,，無(wú)電荷代表0。但時(shí)間一長(zhǎng),，代表1的電容會(huì)放電,，代表0的電容會(huì)吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因,；刷新操作定期對(duì)電容進(jìn)行檢查,，若電量大于滿電量的1／2，則認(rèn)為其代表1,，并把電容充滿電,；若電量小于1／2，則認(rèn)為其代表0,，并把電容放電,，藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
2.1,、DDR RAM（Data-Rate RAM）也稱(chēng)作DDR SDRAM
這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的,，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫(xiě)兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了,。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存,。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來(lái)提高帶寬,，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力,。
2.2、SDRAM（Synchronous DRAM,，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）
即數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步,。
其存儲(chǔ)單元不是按線性排列的，是分頁(yè)的,。
DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題,，容量較SRAM大。但是讀寫(xiě)速度不如SRAM,。
一般的嵌入式產(chǎn)品里面的內(nèi)存都是用的SDRAM,。
三、Flash（閃存）
它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處,，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能,，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢(shì)），U盤(pán)和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器,。
在過(guò)去的20年里,，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備，然而近年來(lái)Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位,，它用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼,，或者直接當(dāng)硬盤(pán)使用（U盤(pán)）,。
采用的并行接口，有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線,，性能特點(diǎn)更像內(nèi)存,，是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP， eXecute In Place）,，這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行,，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。
NAND采用的是串行的接口,，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線,，類(lèi)似電腦硬盤(pán)。CPU從里面讀取數(shù)據(jù)的速度很慢,，所以一般用NAND做閃存的話就必須把NAND里面的數(shù)據(jù)先讀到內(nèi)存里面,，然后CPU才能夠執(zhí)行。無(wú)法尋址和直接運(yùn)行程序,，只能存儲(chǔ)數(shù)據(jù),。另外NAND FLASH非常容易出現(xiàn)壞區(qū)，所以需要有校驗(yàn)的算法,。
NOR Flash：用戶(hù)可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼
目前Flash主要有NOR Flash和NADN Flash
1,、類(lèi)型
分為NOR（或非）、 NAND（與非）
2,、接口理解
NOR（或非）----地址、數(shù)據(jù)總線分開(kāi),；
NAND（與非）----地址,、數(shù)據(jù)總線共用。
3,、讀寫(xiě)單位：
NOR（或非）----字節(jié),；
NAND（與非）----頁(yè)
4、組成結(jié)構(gòu)：
NOR（或非）----扇區(qū),、字節(jié),；
NAND（與非）----塊、頁(yè),；
5,、擦除單位：
NOR（或非）----扇區(qū)；
NAND（與非）----塊,；
6,、讀寫(xiě)擦除速度
NOR的讀速度比NAND稍快一些。
NAND的寫(xiě)入/擦除速度比NOR快很多,。
flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,，可以對(duì)稱(chēng)為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程,。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下,，在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執(zhí)行擦除,。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫(xiě)為0,。由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的,，執(zhí)行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5s，與此相反,，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的,，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。
NAND的擦除單元更小,，相應(yīng)的擦除電路更少,。
（注：NOR FLASH SECTOR擦除時(shí)間視品牌,、大小不同而不同,，比如，4M FLASH,，有的SECTOR擦除時(shí)間為60ms,，而有的需要最大6s。）
7,、容量
NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分
NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中,，這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
8,、可靠性和耐用性：
可以從壽命（耐用性）,、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。
A）壽命（耐用性）
在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,，而NOR的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次,。
NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍,，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些,。
B）位交換
所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下（很少見(jiàn),，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多）,，一個(gè)比特（bit）位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。
一位的變化可能不很明顯,，但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,，這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題，多讀幾次就可能解決了,。
當(dāng)然,，如果這個(gè)位真的改變了，就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正（EDC/ECC）算法,。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存,，NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候，同時(shí)使用EDC/ECC算法,。
這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的,。當(dāng)然，如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng),、配置文件或其他敏感信息時(shí),，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性,。
C）壞塊處理
NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,，如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,，將導(dǎo)致高故障率。
9,、易于使用：
基于NOR的閃存,，可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接，并可以在上面直接運(yùn)行代碼,。
由于NANDLFASH需要I/O接口,，所以要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異,。
在使用NAND器件時(shí),，必須先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作,。向NAND器件寫(xiě)入信息需要相當(dāng)?shù)募记桑驗(yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫(xiě)入,，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射,。
10、軟件支持：
在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持,；
在NAND器件上進(jìn)行執(zhí)行操作時(shí),，通常需要 驅(qū)動(dòng)程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序（MTD）,；
NAND和NOR器件在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要MTD,。
11、尋址：
NAND每次讀取數(shù)據(jù)時(shí)都是指定塊地址,、頁(yè)地址,、列地址,，列地址就是讀的頁(yè)內(nèi)起始地址，每次都是先將數(shù)據(jù)讀入頁(yè)緩沖區(qū)內(nèi),，再 由I/O輸入地址 在緩沖區(qū)內(nèi)尋址,，其實(shí)這里列地址，只是指定起始地址的作用,。NAND是以頁(yè)為基本單位 操作的,。寫(xiě)入數(shù)據(jù)也是首先在頁(yè)面緩沖區(qū)內(nèi)緩沖，數(shù)據(jù)首先寫(xiě)入這里,，再寫(xiě)命令后,，再統(tǒng)一寫(xiě)入頁(yè)內(nèi)。因此NAND頁(yè)緩沖區(qū)的作用就是,，保證芯片的按頁(yè)的讀,、寫(xiě)操作，是I/O操作與芯片操作的接口,、橋梁,，因?yàn)閿?shù)據(jù)是從I/O輸入的，又是每次一個(gè)字節(jié),，因此需要緩沖,。即使每次改寫(xiě)一個(gè)字節(jié)，都要重寫(xiě)整個(gè)頁(yè),，因?yàn)樗恢С猪?yè)寫(xiě),，而且如果頁(yè)內(nèi)有未擦除的部分，則無(wú)法編程,，在寫(xiě)入前必須保證頁(yè)是空的,。
NOR的 讀、寫(xiě)是字節(jié)為基本單位操作的,，但擦除是以扇區(qū)操作的,。
綜上所述在芯片操作上，NAND要比NOR快很多,，因?yàn)镹AND是頁(yè)操作的而NOR是字節(jié)操作的,。
12、應(yīng)用：
NAND 正是基于這種構(gòu)造：塊,、頁(yè),，無(wú)法字節(jié)尋址，頁(yè)讀寫(xiě)本身就靠的是內(nèi)部復(fù)雜的串,、并行轉(zhuǎn)換 ,，因此也沒(méi)有很多地址引腳，所以其地址、數(shù)據(jù)線共用,，所以容量可以做的很大 ,。
NOR 是和SRAM一樣的可隨機(jī)存儲(chǔ)的，也不需要驅(qū)動(dòng),，因此,，其地址就有限，所以容量普遍較小,，其實(shí)是受限于地址線,。
基于以上幾點(diǎn)，在工業(yè)領(lǐng)域,，NOR 用的較多,，特別是程序存儲(chǔ)，少量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等,。
在消費(fèi)領(lǐng)域,，大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，NAND較多,。
Flash ROM是利用浮置柵上的電容存儲(chǔ)電荷來(lái)保存信息,，因?yàn)楦≈脰挪粫?huì)漏電，所以斷電后信息仍然可以保存,。也由于其機(jī)構(gòu)簡(jiǎn)單所以集成度可以做的很高,，容量可以很大。Flash rom寫(xiě)入前需要用電進(jìn)行擦除,，而且擦除不同與EEPROM可以以byte（字節(jié)）為單位進(jìn)行,，flash rom只能以sector（扇區(qū)）為單位進(jìn)行。不過(guò)其寫(xiě)入時(shí)可以byte為單位,。flash rom主要用于bios,，U盤(pán)，Mp3等需要大容量且斷電不丟數(shù)據(jù)的設(shè)備
存儲(chǔ)器局限性
閃存最關(guān)鍵的限制可能是寫(xiě)/擦除周期數(shù)有限,。
為應(yīng)對(duì)這種限制,，可采用固件或文件系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器，對(duì)存儲(chǔ)器寫(xiě)的次數(shù)進(jìn)行逐次計(jì)數(shù),。這些軟件將動(dòng)態(tài)地重新映射這些塊,，在扇區(qū)間分享寫(xiě)操作。換句話說(shuō),，萬(wàn)一寫(xiě)操作失敗，軟件通過(guò)寫(xiě)驗(yàn)證和重新映射向未使用的扇區(qū)授權(quán)寫(xiě)操作,。
像RAM一樣,，閃存可以一個(gè)字節(jié)或一個(gè)字一次進(jìn)行讀或編程，但擦除必須是一次進(jìn)行一個(gè)完整的塊，將塊中的所有位重新置位為1,。這意味著需要花更多時(shí)間進(jìn)行編程,。例如，如果將一位（0）寫(xiě)入一個(gè)塊,，要對(duì)該塊重新編程,，就必須完全擦除此塊，而不是僅僅重寫(xiě)該位,。