中國上海,，2020年10月19日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布,，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”,。該產品面向工業(yè)應用（包括大容量電源），并于今日開始出貨,。

該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET,、IGBT產品相比,，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性,，有利于降低功耗,，精簡系統(tǒng)。

新產品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設計生產[1],，實現(xiàn)了輸入電容低,、柵輸入電荷低、漏源導通電阻低等特性,。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）“GT40QR21”相比,，“TW070J120B”關斷開關損耗降低80%左右，開關時間（下降時間）縮短大約70%,，并且能夠在不超過20A[2]的漏極電流下提供低導通電壓,。

它的柵閾值電壓被設置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內，有助于減少故障風險（意外開啟或關閉）,。此外,，內置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD）也有助于降低功率損耗。

在大容量AC-DC轉換器,、光伏逆變器,、大容量雙向DC-DC轉換器等工業(yè)應用中，這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達到提高效率的目的,，而且也將為縮小設備尺寸做出貢獻,。

應用：

?大容量AC-DC轉換器

?光伏逆變器

?大容量雙向DC-DC轉換器

特性：

?第2代芯片設計（內置碳化硅SBD）

?高電壓、低輸入電容,、低總柵電荷,、低導通電阻、低二極管正向電壓,、高柵閾值電壓：

VDSS＝1200V,，Ciss＝1680pF（典型值），Qg＝67nC（典型值）,，

RDS（ON）＝70mΩ（典型值）,，VDSF＝-1.35V（典型值），Vth＝4.2～5.8V

?增強類型易于操作

主要規(guī)格：

（除非另有說明,，@Ta＝25℃）

注釋：

[1] 東芝于2020年7月30日發(fā)布的新聞：“可提高碳化硅（SiC）MOSFET可靠性的東芝新器件結構問世”https://toshiba.semicon-storage.com/cn/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html

[2] 環(huán)境溫度25℃