賓夕法尼亞,、MALVERN — 2020年10月27日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級---SiZ240DT,，可用來提高白色家電以及工業(yè)、醫(yī)療和通信應(yīng)用的功率密度和效率,。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET,，導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達到業(yè)界出色水平,。

SiZ240DT中的兩個TrenchFET? MOSFET內(nèi)部采用半橋配置連接,。SiZ240DT的通道1 MOSFET，通常用作同步降壓轉(zhuǎn)換器的控制開關(guān),，10 V時最大導(dǎo)通電阻為8.05 mΩ,，4.5 V時為12.25 mΩ。通道2 MOSFET,，通常用作同步開關(guān),，10 V時導(dǎo)通電阻為8.41 mΩ，4.5 V時為13.30 mΩ,。這些值比緊隨其后的競品低16 %,。結(jié)合6.9 nC（通道1）和6.5 nC（通道2）低柵極電荷，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積FOM比位居第二的器件低14 %,，有助于提高快速開關(guān)應(yīng)用的效率,。

日前發(fā)布的雙MOSFET比采用6 mm x 5 mm封裝的雙器件小65 %，是目前市場上體積最小的集成產(chǎn)品之一,。除用于同步降壓,，DC/DC轉(zhuǎn)換半橋功率級之外，新型器件還為設(shè)計師提供節(jié)省空間的解決方案,，適用于真空吸塵器,、無人機,、電動工具、家庭/辦公自動化和非植入式醫(yī)療設(shè)備的電機控制,，以及電信設(shè)備和服務(wù)器的無線充電器和開關(guān)電源,。

集成式MOSFET采用無導(dǎo)線內(nèi)部結(jié)構(gòu)，最大限度降低寄生電感實現(xiàn)高頻開關(guān),，從而減小磁器件和最終設(shè)計的尺寸,。其優(yōu)化的Qgd / Qgs比降低噪聲，進一步增強器件的開關(guān)特性,。SiZ240DT經(jīng)過100 % Rg和UIS測試,，符合RoHS標準，無鹵素,。

新型雙MOSFET現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨供貨周期為12周。