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美光量產(chǎn)176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器

2020-11-10
來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察
關(guān)鍵詞: 美光 DNAND 存儲(chǔ)器 176層

11月10日,,存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)宣布,全球首款176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器已正式出貨,,藉此將實(shí)現(xiàn)前所未有,、領(lǐng)先業(yè)界的儲(chǔ)存容量和效能,。預(yù)計(jì)透過(guò)美光新推出的176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)及先進(jìn)架構(gòu),可大幅提高資料中心,、智慧邊緣運(yùn)算以及手機(jī)裝置等儲(chǔ)存使用案例的應(yīng)用效能,。

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美光指出,176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器是美光第五代3D NAND產(chǎn)品,,以及第二代替換閘(Replacement Gate)架構(gòu),,是市場(chǎng)上技術(shù)最先進(jìn)的NAND節(jié)點(diǎn)。

與上一代的高容量3D NAND相比,,美光176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器的讀取延遲和寫(xiě)入延遲改善超過(guò)35%,,可大幅提高應(yīng)用的效能。此外,,美光的176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)精巧,,是小尺寸解決方案的理想選擇。

美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer表示,,美光的176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器為業(yè)界樹(shù)立了新標(biāo)竿,。而且結(jié)合美光的CuA(CMOS-under-array)架構(gòu),該技術(shù)使美光得以維持在產(chǎn)業(yè)中的成本領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),。

美光進(jìn)一步指出,,新推出的176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器提供更好的服務(wù)品質(zhì)(QoS),此為資料中心SSD的關(guān)鍵設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),,可以加速資料密集環(huán)境和工作負(fù)載,,例如資料庫(kù)、人工智能引擎,、以及大數(shù)據(jù)分析等,。對(duì)5G智能手機(jī)而言,強(qiáng)化的服務(wù)品質(zhì)(QoS)使其能更快地在多個(gè)應(yīng)用程式之間進(jìn)行載入和轉(zhuǎn)換,,創(chuàng)造更流暢且快速的手機(jī)使用體驗(yàn),。

美光強(qiáng)調(diào),,隨著摩爾定律的放緩,美光在3D NAND產(chǎn)品上的創(chuàng)新對(duì)確保業(yè)界跟上不斷增加的資料需求至關(guān)重要,。為了實(shí)現(xiàn)此里程碑,,美光獨(dú)家結(jié)合其堆疊式替換閘架構(gòu)、嶄新的電荷捕捉儲(chǔ)存方式以及CuA(CMOS-under-array)技術(shù),。美光3D NAND專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)亦利用公司的CuA專(zhuān)利技術(shù)取得飛快的進(jìn)展,,在芯片邏輯上建造多層次堆疊,使更多存儲(chǔ)器能夠裝入更緊密的空間,,并大幅度地縮小了176層NAND快閃存儲(chǔ)器的晶粒尺寸,,進(jìn)而使每個(gè)晶圓達(dá)到更高的GB。

美光176層3D NAND快閃存儲(chǔ)器目前已于美光新加坡晶圓廠量產(chǎn),,并透過(guò)Crucial消費(fèi)型SSD產(chǎn)品系列向客戶(hù)出貨,。美光預(yù)計(jì)于2021年度推出采用此技術(shù)的其他新產(chǎn)品。


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