11月10日,，存儲器大廠美光科技(Micron)宣布,，全球首款176層3D NAND快閃存儲器已正式出貨,，藉此將實現(xiàn)前所未有,、領(lǐng)先業(yè)界的儲存容量和效能,。預(yù)計透過美光新推出的176層3D NAND快閃存儲器技術(shù)及先進架構(gòu),，可大幅提高資料中心,、智慧邊緣運算以及手機裝置等儲存使用案例的應(yīng)用效能,。

美光指出，176層3D NAND快閃存儲器是美光第五代3D NAND產(chǎn)品,，以及第二代替換閘（Replacement Gate）架構(gòu),，是市場上技術(shù)最先進的NAND節(jié)點。

與上一代的高容量3D NAND相比,，美光176層3D NAND快閃存儲器的讀取延遲和寫入延遲改善超過35%,，可大幅提高應(yīng)用的效能,。此外，美光的176層3D NAND快閃存儲器設(shè)計精巧,，是小尺寸解決方案的理想選擇,。

美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer表示，美光的176層3D NAND快閃存儲器為業(yè)界樹立了新標竿,。而且結(jié)合美光的CuA（CMOS-under-array）架構(gòu),，該技術(shù)使美光得以維持在產(chǎn)業(yè)中的成本領(lǐng)先優(yōu)勢。

美光進一步指出,，新推出的176層3D NAND快閃存儲器提供更好的服務(wù)品質(zhì)（QoS),，此為資料中心SSD的關(guān)鍵設(shè)計標準，可以加速資料密集環(huán)境和工作負載,，例如資料庫,、人工智能引擎、以及大數(shù)據(jù)分析等,。對5G智能手機而言,，強化的服務(wù)品質(zhì)（QoS）使其能更快地在多個應(yīng)用程式之間進行載入和轉(zhuǎn)換，創(chuàng)造更流暢且快速的手機使用體驗,。

美光強調(diào),，隨著摩爾定律的放緩，美光在3D NAND產(chǎn)品上的創(chuàng)新對確保業(yè)界跟上不斷增加的資料需求至關(guān)重要,。為了實現(xiàn)此里程碑,，美光獨家結(jié)合其堆疊式替換閘架構(gòu)、嶄新的電荷捕捉儲存方式以及CuA（CMOS-under-array）技術(shù),。美光3D NAND專家團隊亦利用公司的CuA專利技術(shù)取得飛快的進展,，在芯片邏輯上建造多層次堆疊，使更多存儲器能夠裝入更緊密的空間,，并大幅度地縮小了176層NAND快閃存儲器的晶粒尺寸,，進而使每個晶圓達到更高的GB。

美光176層3D NAND快閃存儲器目前已于美光新加坡晶圓廠量產(chǎn),，并透過Crucial消費型SSD產(chǎn)品系列向客戶出貨,。美光預(yù)計于2021年度推出采用此技術(shù)的其他新產(chǎn)品。