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美光推出首款176層3D NAND Flash

2020-11-11
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: 美光 NAND閃存

  據(jù)美媒Anandtech報道,,美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存,,新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造,。報道指出,,新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品,,此后美光從浮柵( floating-gate)存儲單元設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元,。

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  美光公司的上一代3D NAND采用的是128層設(shè)計,,這是它們的短暫過渡節(jié)點,,可幫助他們解決向陷阱閃存切換碰到的任何問題,。美光的128L閃存在市場上的占有率極低,因此在許多情況下,,他們的新型176L閃存也將替代其96L 3D NAND,。

  根據(jù)報道,美光并沒有披露其176L NAND的更多技術(shù)細(xì)節(jié),。但就目前而言,,我們知道他們的第一個176L部件是使用兩個88層平臺的字符串堆疊(string stacking )構(gòu)建的512Gbit TLC芯片,就可以制造多少層NAND閃存單元而言,,美光現(xiàn)在似乎僅次于三星,。

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  報道進(jìn)一步指出,在使用電荷陷阱單元設(shè)計替代柵極設(shè)計之后,,美光似乎已大大降低了閃存每一層的厚度,。數(shù)據(jù)顯示,176L裸片的厚度僅為45μm,,總厚度與美光公司的64L浮柵3D NAND相同,。

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  而一個16 die堆疊式封裝的厚度不到1.5mm,這適合大多數(shù)移動和存儲卡使用場景,。與上一代的Micron 3D NAND一樣,,芯片的外圍邏輯大部分是在NAND存儲單元堆棧下制造的,Micron將該技術(shù)稱為“CMOS under Array”(CuA)。這幫助美光帶來了一些最小的裸片尺寸,,美光估計他們的176L 512Gbit裸片比其競爭對手目前提供的最佳裸片小約30%,。

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  從報道我們還可以看到,美光的176L NAND支持的接口速度為1600MT / s,,高于其96L和128L閃存的1200MT / s,。比其他解決方案高33%。就容量而言,,176層管芯可以容納20-30小時的1920x1080p視頻,,。

  與96L NAND相比,,讀(寫)延遲改善了35%以上,,與128L NAND相比,改善了25%以上,。與使用96L NAND的UFS 3.1模塊相比,,美光科技的總體混合工作負(fù)載改善了約15%。

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  美光公司的176L 3D NAND目前其新加坡工廠制造,,并已經(jīng)開始批量生產(chǎn),,并且已經(jīng)在一些Crucial品牌的消費類SSD產(chǎn)品中發(fā)貨。但是,,美光尚未說明哪些特定Crucial產(chǎn)品現(xiàn)在正在使用176L NAND(就此而言,,則使用其128L NAND),因此我們希望目前這是一個相當(dāng)小批量的產(chǎn)品,。

  盡管如此,,在明年,我們應(yīng)該能看到美光176L NAND的產(chǎn)量提高到比其128L工藝所能達(dá)到的更高的水平,,并且我們可以期望發(fā)布基于此176L NAND的各種各樣的產(chǎn)品,,并取代大多數(shù)使用其96L NAND的產(chǎn)品。

  美光方面表示,,公司的176層NAND具有里程碑式的意義,,這有幾個原因。一方面,,該技術(shù)的密度是早期3D NAND設(shè)計的近10倍,,這就意味著智能手機(jī)可以做更多的事情,可以存儲更多的東西,;其次,,對于更多的人來說價格甚至更低,,從而改善了他們的日常生活,。

  他們進(jìn)一步支持,這種新型176層器件不僅比以前的器件密度更高,而且還通過創(chuàng)新的電路設(shè)計融合了業(yè)界最高的數(shù)據(jù)傳輸速率,。美光公司的工程師設(shè)計并建造了這種超高密度存儲,,同時對NAND進(jìn)行了重大的架構(gòu)更改,這將使下游設(shè)備的創(chuàng)新在未來數(shù)年內(nèi)得以實現(xiàn),。

 

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