11 月 21 日消息,，SK 海力士剛剛宣布開始量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb（太比特,，與 TB 太字節(jié)不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存,。
據(jù)介紹,，此 321 層產(chǎn)品與上一代相比數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了 12% 和 13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高 10% 以上,。
SK 海力士表示：“公司從 2023 年 6 月量產(chǎn)當(dāng)前最高的上一代 238 層 NAND 閃存產(chǎn)品,，并供應(yīng)于市場，此次又率先推出了超過 300 層的 NAND 閃存,，突破了技術(shù)界限,。計劃從明年上半年起向客戶提供 321 層產(chǎn)品，由此應(yīng)對市場需求,?！?/p>
據(jù)介紹，SK 海力士在此次產(chǎn)品開發(fā)過程中采用了高效的“3-Plug”工藝技術(shù),，克服了堆疊局限,。
查詢獲悉，該技術(shù)分三次進行通孔工藝流程,，隨后經(jīng)過優(yōu)化的后續(xù)工藝將 3 個通孔進行電氣連接,。在其過程中開發(fā)出了低變形材料,，引進了通孔間自動排列（Alignment）矯正技術(shù),。
此外，SK 海力士技術(shù)團隊也將上一代 238 層 NAND 閃存的開發(fā)平臺應(yīng)用于 321 層,，由此最大限度地減少了工藝變化,，與上一代相比，其生產(chǎn)效率提升了 59%。
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