9月10日,,合盛硅業(yè)宣布,下屬單位寧波合盛新材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“合盛新材料”),,于近期正式宣布8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)全線貫通,。這一里程碑式的成就標(biāo)志著合盛新材料在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得了重大技術(shù)突破,全面躋身行業(yè)第一梯隊(duì),。
全智能生產(chǎn)車間
經(jīng)過(guò)五年的潛心研究與深入鉆研,,合盛新材料成功攻克了從高純石墨純化、碳化硅多晶粉料制備到單晶碳化硅生長(zhǎng),、襯底加工等全流程的核心技術(shù)難關(guān),。自2023年起,公司聚焦市場(chǎng)需求,,專項(xiàng)攻克8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底技術(shù),,經(jīng)過(guò)近兩年的理論深化與技術(shù)迭代,現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量產(chǎn)品的穩(wěn)定量產(chǎn),。
8英寸襯底
8英寸晶錠
該8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底在多項(xiàng)關(guān)鍵性能指標(biāo)上均展現(xiàn)出卓越優(yōu)勢(shì),。通過(guò)精密的工藝控制與技術(shù)創(chuàng)新,襯底的微管密度顯著降低至0.05/cm2以下,,確保了襯底的高純度與高質(zhì)量,。同時(shí),4H晶型面積比例達(dá)到100%,,展現(xiàn)了極高的晶體完整性與穩(wěn)定性,。電阻率穩(wěn)定在0.015-0.025Ω·cm之間,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差小于4%,,彰顯了材料優(yōu)異的性能,。
在結(jié)晶質(zhì)量與位錯(cuò)控制方面,,合盛同樣表現(xiàn)出色。通過(guò)高分辨X射線衍射測(cè)試,,襯底的5點(diǎn)搖擺曲線半峰寬平均值小于30arcsec,,表明其結(jié)晶質(zhì)量達(dá)到了行業(yè)頂尖水平。此外,,位錯(cuò)密度(TSD≤20/cm2,,BPD≤200/cm2)表現(xiàn)優(yōu)異,進(jìn)一步提升了襯底的可靠性與應(yīng)用潛力,。
加工能力方面,,合盛新材料已具備生產(chǎn)500μm和350μm厚度8英寸襯底的成熟工藝,產(chǎn)品面型數(shù)據(jù)(LTV≤2μm,,TTV≤5μm,,BOW:-15μm~15μm,Warp≤30μm)均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,,滿足了高端電子器件對(duì)襯底平整度的嚴(yán)苛要求,。同時(shí),公司嚴(yán)格控制襯底表面金屬離子濃度≤5E10 atoms/cm2,,確保產(chǎn)品符合國(guó)內(nèi)外客戶對(duì)表面質(zhì)量的高標(biāo)準(zhǔn)要求,。
在外延工藝驗(yàn)證中,采用合盛8英寸襯底生產(chǎn)的外延片表現(xiàn)出色,,膜厚均勻性與摻雜均勻性均高于行業(yè)平均水平,致命缺陷密度低于0.3顆/cm2,,可用面積超過(guò)99%,,充分證明了合盛在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力與技術(shù)創(chuàng)新能力。
合盛硅業(yè)表示,,8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底的全線貫通,,不僅為合盛自身發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力,更為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供了有力支撐,。未來(lái),,合盛新材料將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略,深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,,為推動(dòng)全球科技進(jìn)步貢獻(xiàn)更多“中國(guó)智慧”與“中國(guó)力量”,。