來自復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的消息,，該校周鵬團隊針對具有重大需求的3－5納米節(jié)點晶體管技術(shù)，驗證了雙層溝道厚度分別為0．6 ／1．2納米的圍柵多橋溝道晶體管（GAA,，Gate All Around）,，實現(xiàn)了高驅(qū)動電流和低泄漏電流的融合統(tǒng)一，為高性能低功耗電子器件的發(fā)展提供了新的技術(shù)途徑,。
據(jù)悉,，相關(guān)成果已經(jīng)在第66屆IEDM國際電子器件大會上在線發(fā)表。
報道提到,，工藝制程提升到5nm節(jié)點以下后,，傳統(tǒng)晶體管微縮提升性能難以為繼，需要做重大革新,。于是GAA晶體管乘勢而起,，它可實現(xiàn)更好的柵控能力和漏電控制。
此番周鵬團隊設(shè)計并制備出超薄圍柵雙橋溝道晶體管,，驅(qū)動電流與普通MoS2晶體管相比提升超過400％,，室溫下可達到理想的亞閾值擺幅（60mV／dec）,，漏電流降低了兩個數(shù)量級。
據(jù)悉,，GAA晶體管也被譯作“環(huán)繞柵極晶體管”,，取代的是華人教授胡正明團隊研制的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）。按照目前掌握的資料,，三星打算從2022年投產(chǎn)的第一代3nm就引入GAA晶體管,，臺積電略保守，3nm仍是FinFET,，2nm開始啟用GAA,。
另外，中芯國際梁孟松日前也披露,，該公司的5nm和3nm的最關(guān)鍵,、也是最艱巨的8大項技術(shù)也已經(jīng)有序展開， 只待EUV光刻機的到來,，就可以進入全面開發(fā)階段,。
雙橋溝道晶體管示意圖及其性能圖
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