對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)影響深遠(yuǎn),2020年發(fā)生的大事件和技術(shù)突破,,都在這里,!
2020-12-24
來(lái)源:閃存市場(chǎng)
對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)而言,2020年是不平凡的,,上半年遭遇“疫情”和國(guó)際貿(mào)易戰(zhàn)的沖擊,,下半年因晶圓代工產(chǎn)能緊缺而引發(fā)半導(dǎo)體芯片漲價(jià)潮,以及存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)行情的劇烈波動(dòng),。
雖然存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)面臨著較大的挑戰(zhàn),,但是依然抵擋不住存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)前進(jìn)的步伐,為了更好的應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化,,三星,、鎧俠、西部數(shù)據(jù),、SK海力士等原廠在投資,、技術(shù)、策略等方面有了新的變化和突破,。
NAND技術(shù):SK海力士,、美光相續(xù)突破176層3D NAND
2020年三星、鎧俠,、西部數(shù)據(jù),、美光,、SK海力士等主要是擴(kuò)大9x層3D NAND在市場(chǎng)上的普及。同時(shí),,三星1XX層、西部數(shù)據(jù)/鎧俠112層,、SK海力士128層,、美光128層、英特爾144層3D NAND不斷提高生產(chǎn)比重,,并積極推動(dòng)在SSD產(chǎn)品中的應(yīng)用,。
到2020年底,美光,、SK海力士公開(kāi)宣布在176層3D NAND上率先取得突破進(jìn)展,。美光是在11月份宣布開(kāi)始批量生產(chǎn)全球首個(gè)176層3D NAND Flash,其讀取延遲和寫(xiě)入延遲將改善35%以上,,最大數(shù)據(jù)傳輸速率1600 MT/s,,提高了33%,混合工作負(fù)載性能提高15%,,緊湊設(shè)計(jì)使裸片尺寸減小約30%,,每片Wafer將產(chǎn)生更多的GB當(dāng)量的NAND Flash。
SK海力士則是在12月份宣布推出176層4D NAND,,與上一代相比,,Bit生產(chǎn)率將提高35%以上,讀取速度加快了20%,,數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了33%,,達(dá)到1.6Gbps,稍晚些還將推出基于176層的1Tb容量4D NAND,,預(yù)計(jì)2021年中將有基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品面世,。
此外,三星也表示,,將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND,,使用“雙堆棧”技術(shù),,具體堆疊層數(shù)并未透露,,而三星在128層工藝節(jié)點(diǎn),采用的是“單堆?!奔夹g(shù)生產(chǎn)3D NAND,。三星也強(qiáng)調(diào),采用“雙堆?!奔夹g(shù),,不僅更具技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力,,3D NAND也有望堆疊層數(shù)達(dá)到256層,但并不一定意味著三星第七代NAND將具有這種配置,。
DRAM技術(shù):三星1Znm 率先導(dǎo)入EUV,,原廠2021年將進(jìn)入1αnm技術(shù)新階段
2020年三星、美光,、SK海力士等DRAM技術(shù)主要是從1Ynm全面向1Znm推進(jìn),,這也是DRAM第三代10nm級(jí)技術(shù),到第四代10nm級(jí)之后,,將會(huì)大規(guī)模的導(dǎo)入EUV工藝,。
2020年,三星量產(chǎn)的16Gb LPDDR5首次導(dǎo)入EUV工藝,,基于1Znm制程技術(shù),,更先進(jìn)的技術(shù)相較于12Gb容量提升了33%,封裝的厚度也薄了30%,。同時(shí),,三星也規(guī)劃將在2021年大量生產(chǎn)基于第四代10nm級(jí)(1α)EUV工藝的16Gb DDR5/LPDDR5。
美光提高1Znm LPDDR5產(chǎn)量,,以及推動(dòng)GDDR6X不斷創(chuàng)新,,同時(shí)處于研發(fā)階段的1αnm DRAM計(jì)劃將在2021上半年量產(chǎn),在成熟良率下,,1αnm工藝節(jié)點(diǎn)比1Znm節(jié)點(diǎn)每片Wafer晶圓增加40%的Bit量,,1βnm工藝正處于初期研發(fā)階段。
SK海力士計(jì)劃利用EUV技術(shù)優(yōu)勢(shì),,推動(dòng)第四代10nm級(jí)(1a)DRAM量產(chǎn),,預(yù)計(jì)2021年開(kāi)始批量生產(chǎn)1a nm DRAM。
投資建廠:三星西安二期,、平澤P2,,鎧俠K2、Fab7…
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)之下,,投資必不可少,。2020年三星在中國(guó)的西安二期1階段投產(chǎn),開(kāi)始新建二期第二階段項(xiàng)目將在2021年下半年竣工,,同時(shí)平澤P2工廠投資8兆韓元新建NAND Flash產(chǎn)線,,計(jì)劃2021下半年開(kāi)始量產(chǎn),以及還在規(guī)劃新建P3工廠,。
鎧俠與西部數(shù)據(jù)共同投資的巖手縣北上市新工廠K1已在2020上半年開(kāi)始少量生產(chǎn),,在四日市存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地北側(cè),F(xiàn)ab7工廠土地正在動(dòng)工中,,建設(shè)將分兩個(gè)階段,,第一階段建設(shè)計(jì)劃于2022年春季完成,。另外,鎧俠還宣布將擴(kuò)建日本巖手縣生產(chǎn)基地,,將在現(xiàn)有的K1工廠旁擴(kuò)產(chǎn)K2廠區(qū),,將于2021年春季開(kāi)始,2022年春季完成,。
美光正在新建A3工廠潔凈室,,預(yù)估將在2021年投入量產(chǎn)1Znm或1α技術(shù),同時(shí)美光也計(jì)劃將在2021年提出建設(shè)A5廠項(xiàng)目的申請(qǐng),,持續(xù)加碼投資DRAM,將用于1Znm制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展,,進(jìn)一步擴(kuò)大先進(jìn)技術(shù)的量產(chǎn)規(guī)模,。至于SK海力士,利川M16廠預(yù)計(jì)將在2021年上半投片,,下半產(chǎn)品出貨,。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也正式開(kāi)工建設(shè),國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目總投資達(dá)240億美元,,分兩期建設(shè)3D NAND芯片工廠,,一期于2016年底開(kāi)工建設(shè),并建成10萬(wàn)片/月產(chǎn)能,,二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月,,兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計(jì)30萬(wàn)片。
策略調(diào)整:原廠重大結(jié)構(gòu)變化,,將引發(fā)全球格局動(dòng)蕩
1,、三星公司高層人事調(diào)動(dòng)
2020年12月份,三星對(duì)公司管理層進(jìn)行變動(dòng),,5名三星高管發(fā)生人事變動(dòng),,其中三名得到升遷:
三星電子消費(fèi)電子事業(yè)部Lee Jae-seung副社長(zhǎng)升遷為三星電子消費(fèi)電子事業(yè)部社長(zhǎng);
三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部DRAM開(kāi)發(fā)副社長(zhǎng)Lee Jung-bae升遷為三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部社長(zhǎng)
三星電子存儲(chǔ)器制造技術(shù)部Choi Si-young副社長(zhǎng)升遷為三星電子Foundry事業(yè)部社長(zhǎng),。
另外,,三星對(duì)公司董事長(zhǎng)一職并未安排人員頂替,目前仍處于空缺狀態(tài),。
2,、西部數(shù)據(jù)整合Flash和HDD技術(shù)資源成立獨(dú)立的產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)
西部數(shù)據(jù)將Flash和HDD技術(shù)資源整合,并成立獨(dú)立的產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén),,致力于提供多元化的存儲(chǔ)產(chǎn)品組合解決方案,,將使得SSD和HDD產(chǎn)品線更加靈活調(diào)度,取長(zhǎng)補(bǔ)短,,更好的滿足市場(chǎng)需求,。
3,、鎧俠推遲原本在2020年IPO上市的計(jì)劃,同時(shí)東芝要賣(mài)鎧俠股份
因?yàn)槭袌?chǎng)行情持續(xù)動(dòng)蕩及“疫情”爆發(fā)帶來(lái)的不確定性,,鎧俠推遲了原本在2020年10月6日的上市計(jì)劃,,并將繼續(xù)評(píng)估上市的合適時(shí)機(jī)。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,,若鎧俠錯(cuò)過(guò)了2021年2月的截止日期,,那么其IPO計(jì)劃將推遲到2021年下半年。
值得注意的是,,作為鎧俠股東之一的東芝,,表示無(wú)意繼續(xù)從事Memory相關(guān)的業(yè)務(wù),于2020年8月宣布將出售其持有的部分鎧俠普通股,。
4,、SK海力士整合DRAM和NAND Flash兩大開(kāi)發(fā)部門(mén)
SK海力士在2019年底宣布在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組,其中將DRAM和NAND Flash兩大開(kāi)發(fā)部門(mén)整合在一起,,實(shí)現(xiàn)從開(kāi)發(fā),、制造,以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理,。重組后,,SK海力士首席半導(dǎo)體技術(shù)專家Jin Kyo-won提升為開(kāi)發(fā)制造總裁,負(fù)責(zé)DRAM和NAND Flash從開(kāi)發(fā)到批量生產(chǎn),,提高運(yùn)營(yíng)效率,。
SK海力士在2020年宣布投資5500萬(wàn)美元成立高斯實(shí)驗(yàn)室,將通過(guò)工業(yè)AI解決方案實(shí)現(xiàn)制造的創(chuàng)新,。
5,、英特爾將NAND業(yè)務(wù)和大連工廠出售給SK海力士
繼英特爾與美光結(jié)束了NAND Flash技術(shù)合作,以及將合資工廠的股份也全部賣(mài)給了美光之后,,又將NAND業(yè)務(wù)賣(mài)給了SK海力士,,包括生產(chǎn)3D NAND的中國(guó)大連工廠。
按照協(xié)議,,英特爾NAND SSD業(yè)務(wù),、NAND組件和晶圓業(yè)務(wù)以及中國(guó)大連NAND工廠將在2021年底移交給SK海力士,但這項(xiàng)交易仍需獲得監(jiān)管部門(mén)的批準(zhǔn),。同時(shí),,英特爾將繼續(xù)在大連工廠生產(chǎn)NAND晶圓,并保留所有NAND晶圓制造和設(shè)計(jì)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán),,一直到2025年3月交易最終完成,。這個(gè)生產(chǎn)結(jié)構(gòu)是為了保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的合法所有權(quán)。