根據(jù)韓國媒體《Etnews》報(bào)導(dǎo)指出,，目前全球3大DRAM存儲(chǔ)器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機(jī)的美商美光（Micron）,，因日前招聘網(wǎng)站開始征求EUV工程師，揭露美光也在進(jìn)行EUV運(yùn)用于DRAM先進(jìn)制程,，準(zhǔn)備與韓國三星,、SK海力士競(jìng)爭(zhēng)。
     報(bào)導(dǎo)指出,，美光招聘敘述是“企業(yè)內(nèi)部開發(fā)EUV應(yīng)用技術(shù),，并管理新EUV系統(tǒng)，以及與EUV設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）溝通”,，工作地點(diǎn)就在美光總部美國愛達(dá)荷州,。美光已開始生產(chǎn)第3代10納米級(jí)（1z）DRAM存儲(chǔ)器，預(yù)計(jì)2021上半年開始大量生產(chǎn)第4代10納米級(jí)（1a）DRAM存儲(chǔ)器,。

與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星,、SK海力士不同的是，美光不打算將EUV技術(shù)運(yùn)用在第4代10納米級(jí)DRAM存儲(chǔ)器,，而是未來第7代10納米級(jí)（1d）DRAM存儲(chǔ)器,。
     存儲(chǔ)器與CPU邏輯制程一樣，近年面臨制程微縮的問題,。如果使用EUV光刻技術(shù),，可減少多重曝光過程，提供更細(xì)微的制程精度與良率,，進(jìn)一步減少產(chǎn)品生產(chǎn)時(shí)間并降低成本,，還可提高效能。不過,，EUV光刻設(shè)備每部單價(jià)近1.5億歐元,，初期投資成本較深紫外光光刻設(shè)備（DUV）高許多，因此會(huì)讓廠商考慮再三,。美光先前就是因成本考量,，加上采用DUV設(shè)備打造的DRAM符合市場(chǎng)需求，因此時(shí)程落后三星及SK海力士,。

 目前三星已在第3代10納米級(jí)DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)導(dǎo)入EUV技術(shù),，且還預(yù)計(jì)2021年發(fā)表第4代10納米級(jí)的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)增加EUV技術(shù)。至于SK海力士則將在2021年量產(chǎn)第4代10納米級(jí)DRAM存儲(chǔ)器導(dǎo)入EUV技術(shù),，目前SK海力士也分批導(dǎo)入EUV設(shè)備,，預(yù)計(jì)在京畿道利川市的新DRAM工廠建立EUV技術(shù)產(chǎn)線。
     相較兩家競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已導(dǎo)入或正導(dǎo)入EUV技術(shù),，美光顯然落后,。外界解讀這次美光招聘EUV工程人員,，目的在于先研究EUV運(yùn)作技術(shù)，以在未來正式推出相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)品,。因市場(chǎng)預(yù)期存儲(chǔ)器市場(chǎng)將逐漸迎接正循環(huán)周期,，美光也藉此儲(chǔ)備未來市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的最佳能量。