當前的消費者對于續(xù)航里程,、充電時間和性價比等問題越來越關(guān)注，為了加快電動汽車(EV)的采用，全球的汽車制造商都迫切需要增加電池容量,、縮短充電時間，同時確保汽車尺寸,、重量和器件成本保持不變,。

電動汽車車載充電器(OBC)正經(jīng)歷著飛速的發(fā)展，它使消費者可以在家中,、公共充電樁或商業(yè)網(wǎng)點使用交流電源直接為電池充電,。為了提高充電速度，OBC功率水平已從3.6kW增加到了22kW,，但與此同時,，OBC必須安裝在現(xiàn)有機械外殼內(nèi)并且必須始終隨車攜帶，以免影響行駛里程,。OBC功率密度最終將從現(xiàn)在的低于2kW/L增加到高于4kW/L,。

開關(guān)頻率的影響

OBC本質(zhì)上是一個開關(guān)模式的電源轉(zhuǎn)換器。它主要由變壓器,、電感器,、濾波器和電容器等無源器件以及散熱器組成，這些器件構(gòu)成了其重量和尺寸的大部分,。增加開關(guān)頻率需要縮小無源器件尺寸,。但是，較高的開關(guān)頻率會在功率金屬氧化物半導體(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管等開關(guān)元件中造成較高的功耗,。

縮小尺寸需要進一步降低功率損耗才能保持器件溫度不變,，因為縮小尺寸后散熱面積隨之減小。需要同時增加開關(guān)頻率和效率才能形成這種更高的功率密度,。這帶來了巨大的設計難題,，而硅基電源器件很難解決這一難題。

增加開關(guān)速度（器件端子之間電壓和電流的變化速度）將從根本上減少開關(guān)能量損耗,。這一過程必不可少,，否則實際的最大頻率將受到限制,。在端子之間具有較低寄生電容（在低電感電路布線中精心設計）的電源器件便可以順利實現(xiàn)此目的。

優(yōu)于硅器件的性能

使用寬帶隙半導體,，例如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)構(gòu)建的電源器件具有獨特的物理特性,，可顯著降低電容，同時確保同等的導通電阻和擊穿電壓,。更高的擊穿臨界電場（GaN比硅高10倍）和更高的電子遷移率（GaN比硅高33%）可有效實現(xiàn)更低的導通電阻和更低的電容,。這樣一來，GaN和SiC FET與硅相比本身就可以在更高的開關(guān)速度下工作,，并且損耗更低,。

GaN的優(yōu)勢尤其明顯：

· GaN的低柵極電容可在硬開關(guān)期間實現(xiàn)更快的導通和關(guān)斷，從而減少了交叉功率損耗,。GaN的柵極電荷品質(zhì)因數(shù)為1nC-Ω,。

· GaN的低輸出電容可在軟開關(guān)期間實現(xiàn)快速的漏源轉(zhuǎn)換，在低負載（磁化）電流下尤其如此,。例如,，典型 GaN FET的輸出電荷品質(zhì)因數(shù)為5nC-Ω，而硅器件為25nC-Ω,。借助這些器件,，設計人員可以使用較小的死區(qū)時間和低磁化電流,，而它們對于增加頻率和減少循環(huán)功率損耗必不可少,。

· 與硅和SiC電源MOSFET不同，GaN晶體管結(jié)構(gòu)中本身沒有體二極管,，因此沒有反向恢復損耗,。這使得圖騰柱無橋功率因數(shù)校正等新型高效架構(gòu)可以在數(shù)千瓦時變得可行，這在以前使用硅器件時是無法實現(xiàn)的,。

所有這些優(yōu)點使設計人員能夠使用GaN在更高的開關(guān)頻率下實現(xiàn)高效率,，如圖1所示。額定電壓為650V的GaN FET可支持最高10kW的應用,，例如服務器交流/直流電源,、電動汽車高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器和OBC（并聯(lián)堆疊可達到22kW）。SiC器件最高可提供1.2kV的電壓,，并具有高載流能力,，非常適合用于電動汽車牽引逆變器和大型三相電網(wǎng)逆變器。

圖 1：GaN在支持超高頻應用方面優(yōu)于所有技術(shù)

高頻設計挑戰(zhàn)

在開關(guān)頻率達到數(shù)百伏特時,，需要對典型的10ns上升和下降時間進行精心設計,，以避免寄生電感效應。FET和驅(qū)動器之間的共源電感和柵極回路電感具有以下關(guān)鍵影響：

· 共源電感限制漏源瞬態(tài)電壓(dV/dt)和瞬態(tài)電流(dI/dt),，從而降低開關(guān)速度,，增加硬開關(guān)期間的重疊損耗和軟開關(guān)期間的轉(zhuǎn)換時間。

· 柵極回路電感限制柵極電流dI/dt，從而降低開關(guān)速度,，增加硬開關(guān)期間的重疊損耗,。其他負面影響包括增加對米勒導通效應的易感性，形成額外功率損耗風險,，增加更大程度減小柵極絕緣體電壓過應力的設計難題,，如果不適當緩解過應力，則會降低可靠性,。

這樣一來,，工程師可能需要使用鐵氧體磁珠和阻尼電阻，但是這些會降低開關(guān)速度并與增加頻率的目標背道而馳,。盡管GaN和SiC器件本身就適用于進行高頻工作,，但要充分發(fā)揮它們的優(yōu)勢仍需要克服系統(tǒng)級設計難題。如果能夠獲得設計精良的產(chǎn)品,，而該產(chǎn)品兼顧了易用性,、穩(wěn)定性和設計靈活性的話，則可以加快對該技術(shù)的應用,。

具有集成式驅(qū)動器,、保護和功耗管理功能的GaN FET

德州儀器(TI)的650V完全集成式汽車類GaN FET具有GaN的高效、高頻開關(guān)優(yōu)勢,，且沒有相關(guān)的設計和器件選擇缺陷,。GaN FET和驅(qū)動器緊密集成在低電感四方扁平無引線(QFN)封裝中，大大降低了寄生柵極回路電感,，讓設計人員無需擔憂柵極過應力和寄生米勒導通效應,，并且共源電感非常低，可實現(xiàn)快速開關(guān),，減少損耗,。

LMG3522R030-Q1 與 C2000? 實時微控制器中的高級控制功能（如 TMS320F2838x 或 TMS320F28004x相結(jié)合，可在功率轉(zhuǎn)換器中實現(xiàn)高于1MHz的開關(guān)頻率,，與現(xiàn)有的硅和SiC解決方案相比,，其磁體尺寸減小了59％。

與分立式FET相比,，演示中大于100V/ns 的漏源壓擺率可降低67%的開關(guān)損耗,，而其可調(diào)節(jié)性介于 30-150V/ns之間，可權(quán)衡效率與電磁干擾,，從而降低下游產(chǎn)品設計風險,。集成式電流保護功能確保了穩(wěn)健性，并增加了許多新功能,，包括用于管理有源功率的數(shù)字脈寬調(diào)制溫度報告,、運行狀況監(jiān)測和理想二極管模式（如 LMG3525R030-Q1 所提供）,，讓設計人員無需實施自適應死區(qū)時間控制。12mm×12mm的頂部冷卻QFN封裝還可以增強散熱管理,。

TI GaN器件通過了4,000多萬小時的器件可靠性測試,，并且10年壽命的故障率小于1，可滿足汽車制造商所期望的耐用性,。TI GaN在普遍可用的硅基板上構(gòu)建,，并使用所有內(nèi)部制造設施的現(xiàn)有工藝節(jié)點制造，與基于SiC或藍寶石基板的其他技術(shù)不同,，它具有確定的供應鏈和成本優(yōu)勢,。在線訪問TI GaN，了解有關(guān)汽車類GaN FET的更多信息,。