日前，有媒體報(bào)道稱，消息人士透露,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬(wàn)片晶圓,，并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,，不過(guò)為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,，該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。

對(duì)此,，1月13日,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)官方微信號(hào)發(fā)布聲明進(jìn)行回應(yīng)。

近日,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”或“我司”）發(fā)現(xiàn)個(gè)別境外媒體通過(guò)多種渠道刊登,、散布關(guān)于我司產(chǎn)能建設(shè)、產(chǎn)品銷售等不實(shí)言論,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)特此發(fā)表嚴(yán)正聲明：

長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年7月成立至今,，始終秉承守法合規(guī)的經(jīng)營(yíng)理念,，在國(guó)內(nèi)外各項(xiàng)實(shí)際工作中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)嚴(yán)格遵守當(dāng)?shù)氐姆煞ㄒ?guī),，所提供的產(chǎn)品與服務(wù)面向商用及民用客戶,。關(guān)于公司下一步建設(shè)計(jì)劃具體情況請(qǐng)以公司官方渠道為準(zhǔn)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將保留對(duì)發(fā)布不實(shí)報(bào)道與言論的境內(nèi)外個(gè)別媒體和記者,，以及轉(zhuǎn)發(fā)或協(xié)助散播不實(shí)報(bào)道的組織或個(gè)人依法追究法律責(zé)任的權(quán)利,。

圖片來(lái)源：長(zhǎng)江存儲(chǔ)

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND進(jìn)展

資料顯示，2016年7月,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)由紫光集團(tuán)聯(lián)合大基金等共同出資成立,，為國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目的實(shí)施主體。2016年12月,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期工廠正式破土動(dòng)工,；2017年9月,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期工廠實(shí)現(xiàn)提前封頂,，同年10月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上,，通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式,，成功設(shè)計(jì)并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片。

從技術(shù)開(kāi)發(fā)的時(shí)間點(diǎn)來(lái)看,，2017年7月,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND閃存設(shè)計(jì)完成；2017年11月,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)首次流片,。2018年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)場(chǎng)安裝,，項(xiàng)目進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,；2018年第三季度，長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。

在量產(chǎn)32層3D NAND閃存的同時(shí),，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也在加速64層3D NAND閃存開(kāi)發(fā)進(jìn)度。2018年8月,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)首次流片,，同時(shí)推出其全新NAND架構(gòu)Xtacking。

2019年9月,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布正式量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存,，這是中國(guó)首款64層3D NAND閃存，亦是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,。

2020年4月,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布,，其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證,，還同時(shí)發(fā)布了128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片,。