編者按：自2018年12月被首次提出以來(lái),，“新基建”持續(xù)升溫。進(jìn)入2020年,，隨著國(guó)家層面對(duì)新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的密集推動(dòng)與部署,，“新基建”迎來(lái)風(fēng)口,。新基建所囊括的各領(lǐng)域發(fā)展都受到廣泛關(guān)注。作為現(xiàn)代電子信息技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)和關(guān)鍵,，半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)對(duì)于新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)至關(guān)重要,。“新基建”如火如荼,，對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)了哪些機(jī)遇和挑戰(zhàn),？2021年的新基建將有哪些新的特點(diǎn),？對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展有哪些促進(jìn)和拉動(dòng)？為此,， ChinaAET專(zhuān)訪了多家半導(dǎo)體企業(yè),，請(qǐng)他們談一談新基建的“芯”動(dòng)力。
“新基建”涉及了多個(gè)不同的應(yīng)用領(lǐng)域,，但其中幾個(gè)重要領(lǐng)域,，如5G基礎(chǔ)設(shè)施、特高壓,、軌道交通,、新能源充電樁等的建設(shè)，都對(duì)功率器件,、模擬器件以及電源管理IC有著大量的需求,。同時(shí)，這些領(lǐng)域還都對(duì)電子元器件有一項(xiàng)共同的需求——高的質(zhì)量品質(zhì),。有一家歷史悠久的半導(dǎo)體企業(yè),，奉行的企業(yè)理念是“產(chǎn)品質(zhì)量第一”，那就是羅姆（ROHM）,。對(duì)于“新基建”,，ROHM有哪些觀點(diǎn)？日前,，羅姆半導(dǎo)體（深圳）有限公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理蘇勇錦先生接受了ChinaAET專(zhuān)訪,，深入介紹了羅姆對(duì)于新基建主要領(lǐng)域的分析和解讀。
羅姆半導(dǎo)體（深圳）有限公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理蘇勇錦
5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
蘇勇錦介紹,，在5G通信中,，除了基帶單元之外，還有被稱為“遠(yuǎn)程無(wú)線電頭（RHH）”的單元,，這種單元在每個(gè)基帶單元上都會(huì)附有幾個(gè),，負(fù)責(zé)轉(zhuǎn)換RF信號(hào)等。由于“遠(yuǎn)程無(wú)線電頭(RRH)”中配備了大量通信用的陣列天線,，因此用來(lái)放大功率的傳感器放大器和用來(lái)進(jìn)行高級(jí)控制的電流檢測(cè)用分流電阻器等通用產(chǎn)品的需求日益增長(zhǎng),。
此外，在基帶單元中,，對(duì)ROHM先進(jìn)的功率元器件和模擬元器件的需求與日俱增。盡管各國(guó)所使用的頻段各不相同,，但與4G通信相比,，5G通信通常是在高頻段進(jìn)行的，因此業(yè)內(nèi)正在研究能夠高效率且高頻工作的SiC和GaN等功率元器件的應(yīng)用,。另外,，基帶單元的設(shè)計(jì)中,，通過(guò)電源部分的設(shè)計(jì)來(lái)節(jié)能的做法增加。這是因?yàn)?G通信的基站比4G通信多,，尤其需要減少基站外圍的功耗,。ROHM的電源IC系列產(chǎn)品采用ROHM自有的模擬技術(shù)，可高效率工作,，非常有助于基帶單元的進(jìn)一步節(jié)能,，因此各通信設(shè)備制造商已經(jīng)開(kāi)始評(píng)估采用。
蘇勇錦表示,，ROHM將繼續(xù)為不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)開(kāi)發(fā)電源,、模擬和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品領(lǐng)域的高附加值產(chǎn)品，同時(shí),，將繼續(xù)加強(qiáng)晶體管,、二極管和電阻器等通用元器件的制造和生產(chǎn)能力，致力于確保長(zhǎng)期穩(wěn)定的供應(yīng),。
新能源汽車(chē)充電樁
蘇勇錦介紹,，充電樁的主要發(fā)展趨勢(shì)包括大功率和雙向充電。
在大功率方面,，通過(guò)將充電樁的功率從以往的120 kW提高到300 kW,，可以大大縮短充電時(shí)間。相應(yīng)地,，控制用的功率元器件也需要具有更高的耐壓能力,，比如從以往的400 V提到1000 V。為了提高功率元器件的耐壓,，比起IGBT,，通常更多使用SiC或Si超級(jí)結(jié)MOSFET。特別是ROHM正在開(kāi)發(fā)中的第四代SiC MOSFET,，耐壓能力高達(dá)1000 V以上,，特性變化受溫度影響較小，并且損耗更低,，因此有助于提高充電樁的效率并進(jìn)一步節(jié)能,。
關(guān)于第二個(gè)發(fā)展趨勢(shì)雙向充電，作為智能電網(wǎng)的一部分,，V2H（Vehicle to Home,，由車(chē)輛向家庭供電）和V2G（Vehicle to Grid，由車(chē)輛向電網(wǎng)供電）等雙向充電樁開(kāi)始普及,。
在雙向充電的情況下,，要求功率元器件要在比當(dāng)前主流的單向充電方式更高的頻率范圍工作。ROHM正在開(kāi)發(fā)中的第四代SiC MOSFET能夠高速開(kāi)關(guān),。因此不僅可以在高頻范圍工作,，而且還有助于線圈的小型化,，是雙向充電樁的理想選擇。
特高壓和軌道交通
蘇勇錦介紹到,，在特高壓,、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車(chē)充電樁這三種電力設(shè)施中,，特高壓,、城際高速鐵路和城市軌道交通需要3.5 kV～6 kV的功率元器件，人們對(duì)采用SiC來(lái)實(shí)現(xiàn)節(jié)能和小型化寄以厚望,。雖然不是主電源,，但在輔助電源應(yīng)用中已經(jīng)開(kāi)始采用SiC。ROHM目前重點(diǎn)發(fā)展的SiC產(chǎn)品適用于1000 V級(jí)車(chē)載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用,。作為長(zhǎng)期生產(chǎn)模擬IC產(chǎn)品的制造商,，ROHM不僅可以提供SiC單品，還可以配套提供電源和模擬相結(jié)合的解決方案,。
例如,，2015年，ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的輔助電源,，開(kāi)發(fā)出用來(lái)驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET的高耐壓,、低損耗AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC。在2019年,，ROHM開(kāi)發(fā)出第一款內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,，促進(jìn)了SiC在工業(yè)設(shè)備中的應(yīng)用。此外,，在充電樁領(lǐng)域,，ROHM通過(guò)提供使用了SiC MOSFET、柵極驅(qū)動(dòng)器和分流電阻的電流檢測(cè)系統(tǒng),，為構(gòu)建高效和安全的系統(tǒng)貢獻(xiàn)力量,。這些綜合解決方案已經(jīng)獲得了高度好評(píng)。
蘇勇錦介紹,，在汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,，ROHM正在積極展開(kāi)行動(dòng)，最近面向中國(guó)的新能源汽車(chē),，與驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)——臻驅(qū)科技合作成立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,，以開(kāi)發(fā)搭載SiC的車(chē)載逆變器；還與德國(guó)大陸集團(tuán)緯湃科技建立了開(kāi)發(fā)合作伙伴關(guān)系,。
蘇勇錦表示,，關(guān)于GaN，我們認(rèn)為GaN在耐壓100 V～600 V左右的范圍有望普及。其應(yīng)用包括耐壓600 V的車(chē)載充電器,，耐壓100 V的話，適用48 V服務(wù)器以及車(chē)載電源領(lǐng)域,。ROHM目前正在面向這些領(lǐng)域開(kāi)發(fā)GaN產(chǎn)品,。GaN的某些性質(zhì)只有在高頻下才會(huì)發(fā)揮出其優(yōu)點(diǎn)，因此GaN器件的驅(qū)動(dòng)變得非常重要,。ROHM也在開(kāi)發(fā)用于驅(qū)動(dòng)GaN的驅(qū)動(dòng)器,，并且通過(guò)將LSI驅(qū)動(dòng)器和GaN配套發(fā)布，與僅開(kāi)發(fā)GaN器件的同行業(yè)公司相比實(shí)現(xiàn)差別化,。