基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2,，作為新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)晶體管的首款產(chǎn)品,，是一個適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。

　　兩個650V常關(guān)型GaN晶體管的導(dǎo)通電阻 (RDS(on))分別是150mΩ和225mΩ,，每個晶體管都集成一個優(yōu)化的柵極驅(qū)動器,，使GaN晶體管像普通硅器件一樣便捷易用。集成了先進(jìn)的驅(qū)動功能和GaN本身固有性能優(yōu)勢,，MasterGaN2可進(jìn)一步提升有源鉗位反激式變換器等拓?fù)潆娐返母吣苄?、小體積和輕量化優(yōu)勢。

　　MasterGaN電力系統(tǒng)級封裝(SiP)系列在同一封裝中整合兩個GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和配套的高壓柵極驅(qū)動器,，并內(nèi)置了所有的必備的保護(hù)功能,。設(shè)計(jì)人員可以輕松地將霍爾傳感器和DSP,、FPGA或微控制器等外部設(shè)備直連MasterGaN器件。輸入兼容3.3V-15V邏輯信號,，有助于簡化電路設(shè)計(jì)和物料清單,，允許使用更小的電路板，并簡化產(chǎn)品安裝,。這種集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度,。

　　GaN技術(shù)正在推進(jìn)USB-PD適配器和智能手機(jī)充電器向快充方向發(fā)展。意法半導(dǎo)體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80％,，減重70％,，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

　　內(nèi)置保護(hù)功能包括高低邊欠壓鎖定(UVLO),、柵極驅(qū)動器互鎖,、專用關(guān)閉引腳和過熱保護(hù)。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應(yīng)用優(yōu)化的封裝,，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm,。