賓夕法尼亞,、MALVERN — 2021年1月28日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出十款新型650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管,。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計，通過降低開關(guān)損耗提升高頻應用能效,，不受溫度變化的影響—從而使二極管能夠在更高的溫度下工作,。 

日前發(fā)布的MPS二極管可屏蔽肖特基勢壘產(chǎn)生的電場,，減少漏電流，同時通過空穴注入提高浪涌電流能力,。與硅肖特基器件相比,，新型二極管處理電流相同的情況下，正向壓降僅略有上升,，堅固程度明顯提高,。

器件適用于服務器、電信設(shè)備,、UPS和太陽能逆變器等應用領(lǐng)域的功率因數(shù)校正（PFC）續(xù)流,、升降壓續(xù)流和LLC轉(zhuǎn)換器輸出整流，為設(shè)計人員實現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化提供高靈活性,。二極管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝,，額定電流為4 A~40 A，可在+175 °C高溫下工作,。

器件規(guī)格表：

新型SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),，供貨周期為10周。