《電子技術(shù)應(yīng)用》
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東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊,,有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

2021-02-26
來源:東芝
關(guān)鍵詞: 東芝 MOSFET 碳化硅 芯片

中國上海,2021年2月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,,面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,,該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn),。

為達(dá)到175℃的通道溫度,該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV(智能柔性封裝低電壓)封裝,。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對高效緊湊設(shè)備的需求,。

應(yīng)用

?用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器

?可再生能源發(fā)電系統(tǒng)

?工業(yè)電機(jī)控制設(shè)備

特性

?漏源額定電壓:VDSS=3300V

?漏極額定電流:ID=800A雙通道

?寬通道溫度范圍:Tch=175℃

?低損耗:

Eon=250mJ(典型值)

Eoff=240mJ(典型值)

VDS(on)sense=1.6V(典型值)

?低雜散電感:Ls=12nH(典型值)

?高功率密度的小型iXPLV封裝

主要規(guī)格

(除非另有說明,@Tc=25℃)

截圖20210226095647.png



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