《電子技術(shù)應(yīng)用》
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沙子短缺令新冠疫苗玻璃瓶告急,“芯片荒”會(huì)加劇嗎?

2021-03-09
來源:電子工程專輯
關(guān)鍵詞: 沙子 新冠疫苗 芯片

  3月5日,,英國(guó)《每日郵報(bào)》發(fā)表題為《全球沙子短缺,,可能意味著不能為新冠疫苗生產(chǎn)足夠的玻璃瓶》的報(bào)道稱,專家警告說,,全球正面臨沙子短缺危機(jī),。隨著新冠疫苗的分發(fā),預(yù)計(jì)未來兩年全球?qū)⑿枰?0億支玻璃藥瓶,,這將使沙子的需求進(jìn)一步激增,。

  除了疫苗瓶,沙子的用途還很廣

  沙子是地球地殼中含量較豐富的物質(zhì),,也是除了水以外全世界上消耗最多的原材料,。沙子中所含有的元素硅,是地球地殼中第2大組成元素,,約占地殼總質(zhì)量的25%,,廣泛用于制造玻璃、混凝土,、瀝青,、甚至硅微芯片

  據(jù)報(bào)道,,全球沙子使用量的倍增部分原因是因?yàn)槌鞘谢难该桶l(fā)展,。據(jù)聯(lián)合國(guó)估計(jì),全球沙子的使用量是水泥的10倍,,也就是說,,單單在建筑工程的損耗上,全球每年就損耗了大約400億到500億噸沙子,,沙子的消耗速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了沙子的自然形成速度,。在過去的20年中,全球范圍沙子的使用量增加了兩倍,!

  隨著新冠疫苗的分發(fā),,預(yù)計(jì)未來兩年全球?qū)⑿枰?0億支玻璃藥瓶,這將使沙子的需求進(jìn)一步激增,。

  在過去10年的大部分時(shí)間里,,建筑開發(fā)以及對(duì)智能手機(jī)和其他使用屏幕的個(gè)性化技術(shù)設(shè)備的需求,導(dǎo)致沙子,、礫石和碎石出現(xiàn)短缺現(xiàn)象,。

  盡管聯(lián)合國(guó)曾于2019年將“沙子短缺危機(jī)”提上議程,,但因無人關(guān)注和在意,,目前尚未形成“可持續(xù)開采和使用沙子”的詳細(xì)計(jì)劃,但依舊增長(zhǎng)的人口、未來工業(yè)化進(jìn)程,、城市擴(kuò)大化都將推動(dòng)沙子使用量的爆炸性增長(zhǎng),,“沙子短缺危機(jī)”已成為21世紀(jì)可持續(xù)發(fā)展的最大挑戰(zhàn)之一。

  聯(lián)合國(guó)全球資源信息數(shù)據(jù)庫(GRID)全球沙土觀測(cè)計(jì)劃說:“由于城市化,、人口增長(zhǎng)和基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展趨勢(shì),,需求還在增長(zhǎng),這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)將持續(xù)下去,?!?/p>

  為什么提到沙子,會(huì)想到芯片,?

  硅為何成了制造半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)材料呢,?

  北京理工大學(xué)材料學(xué)院副研究員常帥在接受《科技日?qǐng)?bào)》采訪時(shí)表示:“這主要是因?yàn)椋璧幕瘜W(xué)性質(zhì)較穩(wěn)定,,具有優(yōu)異的半導(dǎo)體特性,;其次,硅的儲(chǔ)量極為豐富,,在地殼中的豐度高達(dá)27.72%,。” ,。此外如今單晶硅制取技術(shù)十分成熟,,相關(guān)的基于硅片的半導(dǎo)體制造工藝如摻雜、光刻等也已普及,,制造成本相對(duì)可控,。

  可能有人會(huì)問,作為集成電路中最重要的元素硅,,廣泛存在于沙子中,,全球沙子短缺是否會(huì)加劇芯片荒?

  1,、沙子的提純和處理

  制造芯片其實(shí)主要是硅,,而沙子是硅的主要原料,所以第一步就是用碳把沙子中的硅提純,。通過將原材料與焦煤置于1800-2000℃的環(huán)境中,,將沙子中的二氧化硅轉(zhuǎn)換成純度98%左右的冶金級(jí)單質(zhì)硅,這種材料也被稱為工業(yè)硅,。

  但純度98%的工業(yè)硅,,還不能用于芯片制造,還需應(yīng)用一些化工工藝,,利用氯化氫將工業(yè)硅進(jìn)一步純化,。要提純到99.9999999%,,9個(gè)9的純度才能滿足芯片制造。

  2,、制作單晶硅棒

  提純后的硅屬于多晶硅或無定形硅,,此時(shí)硅的純度雖達(dá)標(biāo),但由于其內(nèi)部的原子排列很混亂,,依舊無法直接應(yīng)用于精密半導(dǎo)體器件的一線生產(chǎn),。這里可以類比一下同族元素中的碳元素。我們知道碳在自然環(huán)境中形成的穩(wěn)定晶體是鉆石,,單晶硅晶體也是同理,,所以需要通過一些方法將純度達(dá)標(biāo)的硅材料制成單晶硅。

  在實(shí)際生產(chǎn)操作中,,工作人員主要是通過直拉法或區(qū)熔法,,將多晶硅或無定形硅轉(zhuǎn)換成為單晶硅硅錠。然后在高溫液態(tài)化的硅元素里加入籽晶,,提供晶體生長(zhǎng)的中心,,慢慢將晶體向上提升,上升同時(shí)以一定速度繞提升軸旋轉(zhuǎn),,以便將硅錠控制在所需直徑內(nèi),。結(jié)束時(shí),只要提升單晶硅爐溫度,,硅錠就會(huì)自動(dòng)形成一個(gè)錐形尾部,,單晶硅錠的制備就完成了。

  3,、切割,、研磨

  再切割成一片一片的硅晶圓片,現(xiàn)在一般是8寸或12寸,,厚度一般在0.8~1mm,。由于單晶硅性質(zhì)穩(wěn)定,所以切割工具用的是更加厲害的金剛石鋸,,也就是鉆石鋸,。

  由于切割出的晶圓表面依然不光滑,所以需要經(jīng)過仔細(xì)研磨來減少切割時(shí)造成的凹凸不平的表面,。研磨的時(shí)候會(huì)用到一些特殊的化學(xué)液體來對(duì)晶圓表面進(jìn)行清洗,,最后拋光。

  到這一步,,沙子的提純和處理就完成了,,晶圓的制備也完成了。

  4,、光刻和刻蝕

  這一步驟主要用于光刻機(jī)和刻蝕機(jī),,也是整個(gè)CPU制作環(huán)節(jié)中最復(fù)雜,、成本最高的。先把硅晶圓片放到燒爐,,在表面形成一層均勻的氧化膜,,然后再涂上光刻膠,。讓紫外線通過光罩,,把芯片設(shè)計(jì)電路圖投射到涂了光刻膠的硅晶圓上,改變晶圓上光刻膠的性質(zhì),,達(dá)到電路圖的復(fù)制,。

  再用刻蝕機(jī)把這個(gè)投射出的電路圖腐蝕掉了,露出硅基底,,形成了電路的樣子,。這時(shí)候硅晶圓上是坑坑洼洼的。

  5,、等離子注入

  接下來就是等離子注入了,,將需要摻雜的導(dǎo)電性元素導(dǎo)入電弧室,通過放電使其離子化,,經(jīng)過電場(chǎng)加速后,,將離子束由晶圓表面注入。離子注入完畢后的晶圓還需要經(jīng)過熱處理,,一方面利用熱擴(kuò)散原理進(jìn)一步將導(dǎo)電元素“壓入”晶圓中,,另一方面恢復(fù)晶格完整性,活化注入元素的電氣特性,。

  經(jīng)過這一步驟后,,晶圓內(nèi)部的某些硅原子已經(jīng)被替換成了其他原子,從而獲得了能夠產(chǎn)生自由電子或者空穴的性能,。

  6,、絕緣層處理、沉淀銅層

  到這一步,,晶體管的雛形已經(jīng)基本完成了,。此時(shí)需要利用氣相沉積法在硅晶圓的表面沉積一層氧化硅薄膜,形成絕緣層,。之后利用光刻技術(shù)在不同電路層之間開孔,,引出導(dǎo)體電極。

  而晶體管是相互連接的,,這時(shí)候要進(jìn)行鍍銅了,。這一步的目的是將銅均勻沉積到絕緣層上,下一步可以直接在銅層上進(jìn)行布線,。利用濺射沉積法完成銅層的沉淀后,,再次利用光刻機(jī)對(duì)銅層進(jìn)行雕刻,,形成場(chǎng)效應(yīng)管的源極、漏極,、柵極,。最后,在銅層上沉積一層絕緣層,。

  7,、構(gòu)建互聯(lián)銅層

  經(jīng)過上面一系列漫長(zhǎng)的過程之后,芯片的晶體管結(jié)構(gòu)已經(jīng)制作完成,,這一步的主要目的就是將晶體管連接起來,。

  因?yàn)槟壳按蠖鄶?shù)英特爾CPU采用FINFET工藝,有很多層電路,,因此要不斷重復(fù)“涂膠-光刻-刻蝕-離子注入-絕緣層處理”這一系列步驟,,并且在這個(gè)過程中穿插各種成膜(絕緣膜、金屬膜)工藝,,才能最終獲得所需要的3D晶體管結(jié)構(gòu),。

  8、切片,、封裝,、測(cè)試

  加工好之后的晶圓,切割成單獨(dú)的內(nèi)核再進(jìn)行測(cè)試,、封裝,,就成為了一塊可安裝到設(shè)備中的芯片了。這個(gè)過程就不贅述了,。

  缺沙子,,不會(huì)造成芯片荒

  建筑和工業(yè)用沙子,不會(huì)經(jīng)過提純之類的加工而直接使用,,這對(duì)沙子的含堿量,、顆粒粗細(xì)等都有更高要求。所以海沙,、沙漠的沙子都不適合建筑業(yè),,只有河沙適合。

  提煉硅元素,,制造硅晶圓,,其實(shí)這里對(duì)沙子的要求相對(duì)簡(jiǎn)單,只要含有二氧化硅就可以提煉,,但只有高純度的單晶硅,,才能用作生產(chǎn)材料。目前在上述1,、2,、3環(huán)節(jié)中,,國(guó)內(nèi)技術(shù)水平還比較落后,主要靠從日本進(jìn)口9個(gè)9的硅,。

  而據(jù)常帥介紹,,半導(dǎo)體行業(yè)所用的硅材料,其主要來源并不是河沙,,而是各種含硅的礦石,,如脈石英、石英礫石等,。這些礦石在地球的儲(chǔ)量非常大,,而且半導(dǎo)體這種高精尖化產(chǎn)業(yè)對(duì)硅材料的消耗量遠(yuǎn)小于建筑行業(yè),。

  全球多晶硅年產(chǎn)能約為64萬噸,,用于制造芯片的只有3萬噸;半導(dǎo)體用硅材料,,僅占全部硅材料總產(chǎn)量的5%,。在整個(gè)硅材料應(yīng)用中,半導(dǎo)體只是一個(gè)很小的應(yīng)用領(lǐng)域,,大量的硅材料,,如太陽能級(jí)硅、有機(jī)硅等都被用于建筑,、運(yùn)輸,、化工、紡織,、食品,、醫(yī)療等領(lǐng)域。

  因此“沙子不夠用”這一問題不會(huì)成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的瓶頸,,也不用擔(dān)心會(huì)造成更嚴(yán)重的“芯片荒”,。

  硅的替代材料出現(xiàn)了嗎?

  倘若有一天原材料真沒了,,是否有能替代硅的新原料來制造芯片,?

  雖然近年來碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料很火爆,,但以當(dāng)今的技術(shù)水平來看,,其主要應(yīng)用還是集中在功率器件、射頻前端器件等專用領(lǐng)域,,尚難在全產(chǎn)業(yè)范圍內(nèi)替代硅基原料,。

  “信息技術(shù)第一法則”摩爾定律指出,集成電路上可容納的元器件數(shù)目每18個(gè)月約翻1倍,??稍骷臄?shù)量不可能無限制地增長(zhǎng)下去,,單位面積上可集成的元器件數(shù)目會(huì)達(dá)到極限,這之后必然會(huì)出現(xiàn)新技術(shù),,但什么時(shí)候能出現(xiàn)不得而知,,所以半導(dǎo)體器件制造依舊會(huì)沿襲現(xiàn)有工藝,硅依舊會(huì)是主要制造材料,。

  除了技術(shù)因素外,,在尋找替代性材料時(shí),成本是最大的考量因素,。

  在對(duì)成本考慮較少,、對(duì)技術(shù)可靠性要求較高的航天、軍事等領(lǐng)域,,或許能用得起硅材料的替代品,。但在絕大部分領(lǐng)域,替換現(xiàn)有“物美價(jià)廉”的硅而轉(zhuǎn)用其他材料,,很可能會(huì)導(dǎo)致電子信息類產(chǎn)品成本暴漲,。

  目前在材料領(lǐng)域,科學(xué)家雖針對(duì)取代硅材料的新型材料展開了種種研究,,但這些研究主要是圍繞彌補(bǔ)硅材料的一些固有缺陷進(jìn)行的,,如硅材料的載流子遷移率還不夠快、透明性及發(fā)光性差等,,這些劣勢(shì)限制了其在半導(dǎo)體某些領(lǐng)域里的應(yīng)用,。

  “對(duì)于各種新型材料,不管是早期的砷化鎵還是當(dāng)下炙手可熱的石墨烯,,抑或是各種有機(jī)半導(dǎo)體材料,,它們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中,受制于工藝繁瑣或成本高昂,,尚無法撼動(dòng)硅材料的霸主地位,。而且,雖然一些材料在某方面的性能或許能超過硅,,但在其他方面卻存在這樣或那樣的缺點(diǎn),。可能在不久的將來,,當(dāng)材料技術(shù)獲得突破,,這些缺點(diǎn)都被克服,那么替代硅的材料就真的出現(xiàn)了,?!背洷硎尽?/p>


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