SiP系統(tǒng)級封裝（System in Package）,，先進封裝HDAP（High Density Advanced Package），兩者都是當(dāng)今芯片封裝技術(shù)的熱點,，受到整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高度關(guān)注,。那么，二者有什么異同點呢,？

　　有人說SiP包含先進封裝,，也有人說先進封裝包含SiP，甚至有人說SiP和先進封裝意思等同,。

　　這里,，我們首先明確SiP≠先進封裝HDAP，兩者主要有3點不同：1）關(guān)注點不同,，2）技術(shù)范疇不同,， 3）用戶群不同。

　　除了這3點不同之外,，SiP和HDAP也有很多相同之處,，兩者在技術(shù)范疇上有很大的重疊范圍，有些技術(shù)既屬于SiP也屬于先進封裝,。

　　1）關(guān)注點不同

　　SiP的關(guān)注點在于：系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實現(xiàn),，所以系統(tǒng)是其重點關(guān)注的對象，和SiP系統(tǒng)級封裝對應(yīng)的為單芯片封裝,；

　　先進封裝的關(guān)注點在于：封裝技術(shù)和工藝的先進性,，所以先進性的是其重點關(guān)注的對象，和先進封裝對應(yīng)的是傳統(tǒng)封裝,。

　　SiP對應(yīng)單片封裝/先進封裝對應(yīng)傳統(tǒng)封裝

　　SiP是系統(tǒng)級封裝,，因此SiP至少需要將兩顆以上的裸芯片封裝在一起，例如將Baseband芯片+RF芯片封裝在一起形成SiP,，單芯片封裝是不能稱之為SiP的,。

　　先進封裝HDAP則不同，可以包含單芯片封裝,，例如FOWLP （Fan Out Wafter Level Package） ,、FIWLP （Fan In Wafter Level Package）。

　　先進封裝強調(diào)封裝技術(shù)和工藝的先進性,，因此,，采用Bond Wire等傳統(tǒng)工藝的封裝不屬于先進封裝。

　　此外,，有些封裝技術(shù)既屬于SiP也屬于HDAP,，下圖顯示的是 i watch采用的SiP技術(shù)，因為其封裝技術(shù)和工藝比較先進,，也可以稱為先進封裝技術(shù),。

　　i Watch 采用了SiP技術(shù)

　　2）技術(shù)范疇不同

　　參考下圖,，先進封裝的技術(shù)范疇用橙紅色表示,，SiP技術(shù)范疇用淡綠色表示,，兩種重疊的部分呈現(xiàn)為橙黃色，位于該區(qū)域的技術(shù)既屬于SiP也屬于HDAP,。

　　HDAP和SiP的技術(shù)范疇

　　從圖中我們可以看出,，F(xiàn)lip Chip、集成扇出型封裝INFO （Integrated Fan Out） ,、2.5D integration,、3D integration、Embedded技術(shù)既屬于HDAP也同樣會應(yīng)用于SiP,；

　　單芯片的FIWLP,、FOWLP、FOPLP （Fan Out Panel Level Package）屬于先進封裝,，但不屬于SiP,；

　　FIWLP 和 FOWLP

　　腔體 Cavity、Bond Wire,、2D integration,、2D+ integration、4D integration多應(yīng)用在SiP中,，通常不屬于先進封裝,。

　　當(dāng)然，以上的分類也不是絕對的,，只是表明絕大多數(shù)情況下的技術(shù)范疇,。

　　例如，INFO技術(shù)屬于FOWLP,，由于集成了2顆以上的芯片,，因此也可以被稱為SiP；FliP Chip 屬于2D integration,，但一般也被認為是先進封裝,。

　　腔體Cavity技術(shù)常用在陶瓷封裝的基板設(shè)計制造中，通過腔體結(jié)構(gòu),，可以縮短鍵合線長度,，提高其穩(wěn)定性，屬于一種傳統(tǒng)封裝技術(shù),，但也不能排除先進封裝中采用Cavity對芯片進行嵌入和埋置,。

　　關(guān)于以上概念和名詞的詳細解釋，推薦讀者參考電子工業(yè)出版社即將出版的新書：《基于SiP技術(shù)的微系統(tǒng)》,。

　　3）用戶群不同

　　對于SiP和先進封裝HDAP,，從晶圓廠（Foundry）到半導(dǎo)體封測廠（OSAT）,，再到板級系統(tǒng)電路裝配運營商（System user），半導(dǎo)體的整個產(chǎn)業(yè)和供應(yīng)鏈都涉及在內(nèi),，但不同的用戶群關(guān)注點又有所不同,。

　　Foundry主要關(guān)注先進封裝中密度最高，工藝難度最高的部分,，例如2.5D integration和3D integration,，OSAT關(guān)注面比較廣泛，從單芯片的WLCSP到復(fù)雜的系統(tǒng)級封裝SiP都有關(guān)注,，系統(tǒng)用戶System user則對SiP關(guān)注較多,，參看下圖。

　　HDAP和SiP的用戶群分布

　　此外,，從上圖我們也可以看出,，雖然HDAP和SiP的芯片數(shù)量相當(dāng)（除了單芯片的WLP），SiP在芯片種類上通常會更多,，類別更豐富,。

　　SiP和先進封裝技術(shù)受到整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)注，其技術(shù)優(yōu)勢主要體現(xiàn)在產(chǎn)品的小型化,、低功耗,、高性能等方面，它們能解決目前電子系統(tǒng)集成的瓶頸,。其技術(shù)本身來看目前并沒有瓶頸,，只是在裸芯片的供應(yīng)鏈和芯片間相關(guān)的接口標準需要提升和逐步完善。

　　從目前如Chiplet和異構(gòu)集成等概念得到業(yè)界的積極響應(yīng)和普遍應(yīng)用,，裸芯片供應(yīng)鏈和芯片之間的接口標準也有望逐漸得到改善,。

　　最后我們總結(jié)一下：

　　SiP和先進封裝HDAP高度重合，但并不完全等同,，SiP 重點關(guān)注系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實現(xiàn),，而HDAP則更專注封裝技術(shù)和工藝的先進性，此外,，兩者的技術(shù)范疇和用戶群也不完全相同,。