2021年因受到車(chē)用、工業(yè)與通訊需求助力,，第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)動(dòng)能有望高速回升,。其中又以GaN功率器件的成長(zhǎng)力道最為明顯，預(yù)估其今年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6,100萬(wàn)美元,，年增率高達(dá)90.6%,。

　　根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查，2018至2020年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦、疫情等影響,，整體市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)力不足致使成長(zhǎng)持續(xù)受到壓抑,。然受到車(chē)用、工業(yè)與通訊需求助力,，2021年第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)動(dòng)能有望高速回升,。其中又以GaN功率器件的成長(zhǎng)力道最為明顯，預(yù)估其今年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6,100萬(wàn)美元,，年增率高達(dá)90.6%,。

　　TrendForce集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示，首先,，預(yù)期疫苗問(wèn)世后疫情有所趨緩,，進(jìn)而帶動(dòng)工業(yè)能源轉(zhuǎn)換所需零組件如逆變器、變頻器等,，以及通訊基站需求回穩(wěn),；其次，隨著特斯拉（Tesla）Model 3電動(dòng)車(chē)逆變器逐漸改采SiC器件制程后,，第三代半導(dǎo)體于車(chē)用市場(chǎng)逐漸備受重視,；最后，中國(guó)政府為提升半導(dǎo)體自主化,，今年提出十四五計(jì)劃投入巨額人民幣擴(kuò)大產(chǎn)能,，上述都將成為推升2021年GaN及SiC等第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)的動(dòng)能。

　　電動(dòng)車(chē),、工業(yè)及通訊需求回溫,，帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體器件營(yíng)收上揚(yáng)

　　觀察各類(lèi)第三代半導(dǎo)體器件，GaN器件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺(tái)積電（TSMC）,、世界先進(jìn)（VIS）等嘗試導(dǎo)入8英寸晶圓生產(chǎn),，然現(xiàn)行主力仍以6英寸為主。因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端,、手機(jī)充電器及車(chē)用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘?，預(yù)期2021年通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8億和6,100萬(wàn)美元，年增30.8%及90.6%,。

　　其中,，GaN功率器件年增最高的主因是手機(jī)品牌如小米（Xiaomi）、OPPO,、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭,，憑借高散熱效能與體積小的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)獲得消費(fèi)者青睞，截至目前筆電廠商也有意跟進(jìn),。TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期,，GaN器件會(huì)持續(xù)滲透至手機(jī)與筆電配件，且年增率將在2022年達(dá)到最高峰，后續(xù)隨著廠商采用逐漸普及,，成長(zhǎng)動(dòng)能將略為趨緩。

　　SiC器件部分,，由于通訊及功率領(lǐng)域皆需使用該襯底,，因而6英寸晶圓的供應(yīng)量顯得吃緊，預(yù)估2021年SiC器件于功率領(lǐng)域營(yíng)收可達(dá)6.8億美元,，年增32%,。目前各大襯底商如科銳（CREE）、貳陸（II-VI）,、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）等已陸續(xù)開(kāi)展8英寸襯底研制計(jì)劃,，但仍有待2022年后才有望逐漸紓緩供給困境。