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賽微將在山東投資建設硅基氮化鎵產(chǎn)線

2021-04-02
來源:半導體行業(yè)觀察

  昨日,,全球領先的MEMS代工企業(yè)賽微電子發(fā)表公告稱,,公司于2021 年 4 月 1 日與青州市人民政府簽署了《合作協(xié)議》,,擬在青州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)發(fā)起投資 10 億元分期建設聚能國際 6-8 英寸硅基 氮化鎵功率器件半導體制造項目,。

  公告進一步指出,,該項目總占地面積 30 畝,,一期建成投產(chǎn)后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 5,000 片/月的生產(chǎn)能力,,二期建成投產(chǎn)后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 12,000 片/月的生產(chǎn)能力,,將為全球 GaN 產(chǎn)品客戶的旺盛需求提供成熟 的技術支持和產(chǎn)能保障,。

  根據(jù)公告,該項目一期計劃建設周期為 9 個月,,2021 年底前做好投產(chǎn)前準備,,2022 年 上半年投入生產(chǎn),一期產(chǎn)能投產(chǎn)達效后預計可新增年銷售收入 5 億元,,利稅 8,000 萬元,。

  賽微在公告中表示,公司的GaN(氮化鎵)業(yè)務市場需求旺盛,、自主研制產(chǎn)品性能優(yōu)異,,但卻嚴重受制于外部不可控產(chǎn)能。因此,,公司GaN 業(yè)務的進一步發(fā)展急需自主可控產(chǎn)能的 保障,。此次公司與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》,共同推進 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓制造項目的建設,,將在租賃現(xiàn)成土地廠房的基礎上進行適應性補充建設,,且已經(jīng)鎖定成套熱線設備、目標是在 2021 年內建成并做好投產(chǎn)準備,,有利 于公司進一步完善 GaN 業(yè)務的全產(chǎn)業(yè)鏈 IDM(垂直整合制造)布局,,在現(xiàn)有產(chǎn)業(yè) 鏈合作基礎上進一步加強產(chǎn)能保障,把握 GaN 業(yè)務發(fā)展的關鍵機遇窗口,,逐步形 成自主可控,、全本土化、可持續(xù)拓展的 GaN 材料,、設計,、制造能力,促進公司第三代半導體業(yè)務的長遠發(fā)展,。

  截至目前,,賽微已于 2018 年 7 月在青島市嶗山區(qū)投資設立“青島聚能創(chuàng)芯 微電子有限公司”,,主要從事功率與微波器件,尤其是氮化鎵(GaN)功率與微 波器件的設計,、開發(fā),;已于 2018 年 6 月在青島市即墨區(qū)投資設立“聚能晶源(青 島)半導體材料有限公司”,主要從事半導體材料,,尤其是氮化鎵(GaN)外延 材料的設計,、開發(fā)、生產(chǎn),,該公司投資建設的第三代半導體材料制造項目(一期) 已于 2019 年 9 月達到投產(chǎn)條件,正式投產(chǎn),。作為公司 GaN 業(yè)務一級平臺公司,, 聚能創(chuàng)芯匯聚了業(yè)界領先團隊,擁有第三代半導體材料生長,、工藝制造,、器件設 計等全產(chǎn)業(yè)鏈技術能力及儲備,且截至目前在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圓,、GaN 功率器件及應用方面已形成系列產(chǎn)品并實現(xiàn)批量銷售,。

  公司本次與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》,擬在青州市建設 6-8 英寸硅 基氮化鎵功率器件半導體制造項目,,若項目順利建成,,將有助于公司進一步完善 GaN 業(yè)務的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,把握 GaN 業(yè)務發(fā)展的關鍵機遇窗口,,逐步形成自主可 控的生產(chǎn)制造能力,,促進公司相關業(yè)務的長遠發(fā)展,有利于提高公司的綜合競爭 實力,,將對公司的長遠發(fā)展產(chǎn)生積極影響,。

 

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