Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級80 V P溝道MOSFET,,以提高系統(tǒng)能效和功率密度
2021-04-11
來源:Vishay
賓夕法尼亞,、MALVERN — 2021年4月7日 — 日前,,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出通過AEC-Q101認(rèn)證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP,。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達(dá)到80 V p溝道器件優(yōu)異水平,,可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝,,10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW,。
日前發(fā)布的汽車級MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,,占位面積減小50 %,,有助于降低導(dǎo)通功耗,節(jié)省能源,,同時(shí)增加功率密度提高輸出,。SQJA81EP 10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為52 nC,減少柵極驅(qū)動損耗,,柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積,,即用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的MOSFET優(yōu)值系數(shù)(FOM)達(dá)到業(yè)界出色水平。
器件可在+175 °C高溫下工作,,滿足反向極性保護(hù),、電池管理、高邊負(fù)載開關(guān)和LED照明等汽車應(yīng)用牢固性和可靠性要求,。此外,,SQJA81EP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動光學(xué)檢測(AOI)功能,消除機(jī)械應(yīng)力,,提高板級可靠性,。
器件80 V額定電壓滿足12 V、24 V和48 V系統(tǒng)多種常用輸入電壓軌所需安全裕度,。MOSFET提高了功率密度,,從而減少需要并聯(lián)的元器件數(shù)量,節(jié)省PCB空間,。此外,,作為p溝道器件,SQJA81EP可簡化柵極驅(qū)動設(shè)計(jì),,無需配置n溝道器件所需的電荷泵,。 MOSFET采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素,、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),,經(jīng)過100 % Rg和UIS測試,。
SQJA81EP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為14周,。
VISHAY簡介
Vishay 是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一,,這些產(chǎn)品對于汽車、工業(yè),、計(jì)算,、消費(fèi)、通信,、國防,、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設(shè)計(jì)至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶,,Vishay承載著科技基因——The DNA of tech?,。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”。