改變大功率電燈或電動機亮度的最佳技術之一就是脈寬調制(PWM)。在汽車電子系統中,,一段時間以來,,控制單元已使用PWM命令來對各種執(zhí)行器進行控制和管理。利用周期性信號驅動負載,,電路的效率就非常高,,所有產生的功率就都能傳輸到負載,也即損耗幾乎為零,。通過使用SiC MOSFET作為開關元件,,總效率將會更高。
改變大功率電燈或電動機亮度的最佳技術之一就是脈寬調制(PWM),。在汽車電子系統中,,一段時間以來,控制單元已使用PWM命令來對各種執(zhí)行器進行控制和管理,。例如,,柴油機壓力調節(jié)器、電風扇和前照燈的亮度就采用PWM信號進行管理,。利用周期性信號驅動負載,,電路的效率就非常高,所有產生的功率就都能傳輸到負載,,也即損耗幾乎為零,。通過使用SiC MOSFET作為開關元件,總效率將會更高,。
設備
本文要講的電路是一個簡單的DC電源穩(wěn)壓器,可承受24V的強大負載,。顯然,,電壓可以通過調整PCB的特性來進行改變。它可以用于改變燈的亮度或加快或降低DC電動機的速度,。邏輯操作由MCU執(zhí)行,。電源的調節(jié)操作通過兩個按鈕管理,。占空比的大小通過一個LED二極管監(jiān)控。
PWM信號
PWM信號是具有可變“占空比”的方波(圖1),,可以通過調制占空比而利用它來控制電氣負載(在本例中為執(zhí)行器或電動機)所吸收的功率,。PWM信號的特征是固定頻率和可變占空比?!罢伎毡取笔欠讲ǔ尸F“高”電平的時間與周期T之比,,其中“T”是頻率的倒數:T=1/f。例如:
50%占空比所對應的方波,,在50%的時間內保持高電平,,而在其余50%的時間內保持低電平;
10%占空比所對應的方波,,在10%的時間內保持高電平,,而在其余90%的時間內保持低電平;
90%占空比所對應的方波,,在90%的時間內保持高電平,,而在其余10%的時間內保持低電平;
100%占空比所對應的信號始終為高電平,;
0%占空比所對應的信號始終為低電平,。
為了更清楚起見,如果考慮上述最后兩種情況,,則占空比等于0%表示脈沖持續(xù)時間為零(實際上是無信號),,而接近100%的值表示最大信號傳輸,也即受控設備獲得完整,、恒定的電源,。
圖1:PWM信號及其對負載的影響。
方框圖
圖2給出了該系統的框圖,。MCU管理邏輯操作并接收操作員下發(fā)的命令,。它還能產生PWM(小功率)信號而驅動預驅動器。后者將電流信號放大并將其傳遞給驅動器,,進而控制負載,。
圖2:系統框圖。
電氣原理圖
在圖3中可以看到接線圖,。該系統采用大約30V的電壓供電,。然后通過三個穩(wěn)壓器(7824、7812和7805)降低到5V而用于MCU邏輯,。與只使用7805相比,,這種技術可以限制熱量。PIC 12F675的GP0端口驅動有一個LED二極管,而用作PWM信號的監(jiān)控器,。GP1端口對由IRL540功率MOSFET組成的預驅動器進行控制——這特別適用于使用MCU的應用,,因為此時供給“柵極”的能量非常低。第一個MOSFET的“漏極”端子對第二個SiC MOSFET進行驅動,,對負載(電阻性或電感性)上的電流進行開關,。兩個快速二極管可消除感性負載產生的過電壓。也可以不使用它們,,因為SiC MOSFET受到了很好的保護,,但是最好還是考慮使用它們。如果使用電阻性負載,,則可以將它們從電路中去掉,。兩個常開按鈕通過相應的下拉電阻連接到MCU的GP4和GP5端口,如果不按下它們,,就可以確保是低電位,。
圖3:電氣原理圖。
電子元器件
下面列出了電路的電子元器件,。它們并不緊缺,,可以在市場上輕松找到。圖4給出了各種元器件的引腳排列,。
電阻:
R1:330Ω
R2:10k?
R3:10k?
R4:100?
R5:10k?
R6:47k?
R7:220?,,5W
電容:
C1:100nF
C2:100nF
C3:100nF
C4:100nF
C5:100nF
C6:100nF
C7:1,000μF電解電容
半導體
D1:紅光LED,5mm周長
D2:快恢復二極管RFN5TF8S
D3:快恢復二極管RFN5TF8S
Q1:MOSFET SiC UF3C065080T3S
Q2:MOSFET IRL540(非IRF540)
雜項:
U1:PIC12F675_P MCU
U2:LM7812CT穩(wěn)壓器
U3:7805穩(wěn)壓器
U4:LM7824CT穩(wěn)壓器
F1:熔斷器,,40A
J1:接線端子
J2:接線端子
S1:常開按鈕
S2:常開按鈕
圖4:元器件引腳排列,。
PCB
要制作原型,就必須設計PCB,,其走線如圖5所示,。即使其非常簡單,我們也強烈建議使用光刻技術來獲得更可靠,、更專業(yè)的結果,。一旦準備好基礎,就需要用與焊盤相對應的0.8mm或1mm的鉆頭鉆孔,,從而增加與集成電路相關的焊盤的精度,。要增加走線的厚度,實現更好的散熱,,可以在它們上面熔化錫,。
圖5:PCB。
組件
下面就可以開始焊接元器件(圖6),。首先從低矮的元件開始,,例如電阻,、電容和插座,然后再繼續(xù)到較大的元件,,例如接線端子、LED二極管,、MOSFET,、熔斷器和電解電容。應特別注意有極性元件,。焊接時要使用功率約為30W的小型烙鐵,,注意不要使不能承受過多熱量的電子元件過熱。最后,,需要注意集成電路及其插座的引腳排列,。圖6:元器件的布置和電路的3D視圖。
固件
本文最后附有源程序列表(.BAS)——是使用GCB(Great Cow Basic)編譯器用BASIC語言編寫的——以及可執(zhí)行文件(.HEX),。在對保險絲和I/O端口進行初始配置之后,,就會進入無限循環(huán),檢查兩個按鈕的邏輯狀態(tài),。按下第一個按鈕,,占空比就會減小,;按下第二個按鈕,,占空比就會增加。占空比的百分比有10%,、30%,、50%、70%和90%,。當然,,也可以根據程序規(guī)范添加其他值。由于PIC內部時鐘的速度較低(4MHz),,因此無法通過變量來參數化等待狀態(tài)的定時,。相反,則是已經創(chuàng)建了具有不同百分比占空比的專用子程序,。在這種情況下,,由固件生成的PWM信號的頻率約為2kHz。使用更快速的PIC可以對等待暫停進行參數化并對代碼進行優(yōu)化,。低頻率的PWM可能會在感性負載上產生聲音提示,。但是,在電阻負載上不存在該問題,。
電路仿真
觀察電路在開關點的行為以及研究SiC MOSFET的工作非常有趣,。圖7給出了以下幾點在占空比為50%時的PWM信號波形圖:
MCU的GPIO1端口上的PWM信號
MOSFET IRL540的漏極上的PWM信號
SiC MOSFET UF3C065080T3S的漏極上的PWM信號
圖7:不同點的PWM信號波形圖,。
圖8給出了在各種占空比百分比(10%、30%,、50%,、70%、90%)下,,MCU輸出處的PWM信號的波形圖,。
圖8:不同占空比百分比下的波形圖。
電路效率
就功率傳輸而言,,使用SiC MOSFET時效率非常高,。這個效率通常可以認為不錯,,但不幸的是,,預驅動器的存在會使其降低。圖9給出了電路總效率的曲線圖,,具體取決于施加到輸出的負載,。為了提高電路效率,可以嘗試略微提高MOSFET IRL540漏極電阻R7的值,,確保SiC MOSFET的閉合沒有問題,。
圖9:電路效率與所加負載的關系。
在元件導通期間,,直接從電路的各個工作點測量SiC MOSFET的RDS(on)值非常有趣,。根據歐姆定律,有:
圖10對官方數據手冊中所給的值進行了確認,。
圖10:SiC MOSFET的RDS(on)值的測量,。
UF3C065080T3S SiC MOSFET
UnitedSiC公司的共源共柵產品將其高性能G3 SiC JFET與經過共源共柵優(yōu)化的MOSFET封裝在一起,從而生產出了當今市場上唯一的標準柵極驅動SiC器件,。該系列不僅具有極低的柵極電荷,,而且在類似額定值的任何器件中具有最佳反向恢復特性。當與推薦的RC緩沖器一起使用時,,這些器件非常適合對感性負載進行開關,,并且它們也非常適合任何需要標準柵極驅動的應用。其特點包括:
RDS(on)典型值為80mΩ
最高工作溫度為175℃
出色的反向恢復特性
低柵極電荷
低固有電容
ESD保護,,HBM 2級
它的典型應用有:
電動汽車充電
光伏逆變器
開關電源
功率因數校正模塊
電機驅動
感應加熱
由于本文隨附有SPICE文件,,因此可以將SiC MOSFET與最重要的電子仿真程序一起使用。
總結
PWM控制可以對電動執(zhí)行器(例如電機和電燈)獲得更好的定性性能,。盡管可以隨意改變亮度,,但是光的質量更好。即使在低轉速下,,發(fā)動機扭矩也很高,。本文介紹的電路主要用于指導,,并為對該領域的進一步研究奠定了基礎。熟悉PWM很有用,。顯然,,設計人員可以在功率和效率上進行改進。但是,,建議不要將提供的功率移到最大,,以免電路過熱。