《電子技術(shù)應(yīng)用》
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意法半導(dǎo)體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間

2021-10-19
來源:意法半導(dǎo)體
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 PWM MOSFET

  意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝,,具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制,。

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  SiC 功率技術(shù)被廣泛用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,SiC驅(qū)動(dòng)器STGAP2SiCSN可以簡(jiǎn)化節(jié)能型電源系統(tǒng),、驅(qū)動(dòng)和控制電路的設(shè)計(jì),節(jié)省空間,并增強(qiáng)穩(wěn)健性和可靠性,。目標(biāo)應(yīng)用包括電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、開關(guān)式電源,、高壓功率因數(shù)校正器 (PFC),、DC/DC 變換器、不間斷電源 (UPS),、太陽能發(fā)電,、電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備、風(fēng)扇,、工廠自動(dòng)化,、家用電器 、電磁爐。

  STGAP2SiCSN 在柵極驅(qū)動(dòng)通道和低壓控制之間有電流隔離,,在高壓軌上可以耐受高達(dá) 1700V 的電壓,。輸入到輸出傳播時(shí)間小于 75ns,確保 PWM 控制精度高,?!?00V/ns共模瞬變抗擾度 (CMTI) 保證開關(guān)可靠性。內(nèi)置保護(hù)功能包括欠壓鎖定和熱關(guān)斷,,欠壓鎖定 (UVLO)通過閾值電壓防止 SiC 電源開關(guān)在低能效或不安全條件下工作,。在檢測(cè)到結(jié)溫過高后,熱關(guān)斷降低驅(qū)動(dòng)器的兩個(gè)輸出,。

  新產(chǎn)品提供兩種配置選擇,,獨(dú)立多輸出配置可以使用外部電阻單獨(dú)優(yōu)化導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間,而單輸出配置具有源米勒鉗位功能,,可以增強(qiáng)高頻硬開關(guān)應(yīng)用的穩(wěn)健性,,利用米勒鉗位防止功率開關(guān)過度振蕩。

  STGAP2SiCSN 邏輯輸入兼容低達(dá) 3.3V 的 TTL 和 CMOS 邏輯信號(hào),,簡(jiǎn)化了與主微控制器或 DSP處理器的連接,。在高達(dá) 26V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,驅(qū)動(dòng)器的最大吸電流和拉電流均為 4A,。片上集成的自舉二極管簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并提高了可靠性,,關(guān)斷模式有獨(dú)立輸入引腳,有助于大限度地降低系統(tǒng)功耗,。




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