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深入分析5nm芯片

2021-05-19
來源:悅智網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 5nm芯片 蘋果 華為

  蘋果公司于2020年10月發(fā)布了新型智能手機(jī)“iPhone 12”系列,,搭載的是采用5納米工藝的全球首個(gè)名為“A14 BIONIC”芯片,。蘋果公司將“A14 BIONIC”芯片應(yīng)用到了iPhone 12,、新款“iPad Air”,。2020年11月蘋果公司又發(fā)布了搭載“Apple Silicon M1(采用5納米工藝)”的“MacBook Pro”,、“MacBook Air”,、“Mac mini”,。蘋果2020年秋季至冬季的新品都搭載了采用尖端5納米工藝的處理器,。

  同一時(shí)期,,中國的華為/海思也發(fā)布了搭載5納米“Kirin 9000”的尖端智能手機(jī)---“Mate 40 Pro”,。

  截止到2020年年末時(shí)間點(diǎn),發(fā)布搭載5納米處理器的智能手機(jī)的廠家僅有蘋果和華為兩家公司,,其處理器都是臺(tái)灣TSMC生產(chǎn)的,。就這樣,TSMC率先開啟了5納米時(shí)代,。

  三星連續(xù)發(fā)布數(shù)款采用5納米工藝的產(chǎn)品

  2021年初,,Samsung Electronics(以下簡稱為“三星”)為了追趕TSMC,,連續(xù)發(fā)布了數(shù)款搭載5納米工藝處理的產(chǎn)品。下面進(jìn)行詳細(xì)解說,。

  下圖1是中國小米發(fā)布的高端智能手機(jī)“Mi 11”的分解圖片,。拆下背面蓋板和主板后,放大的處理器照片,。處理器采取疊層封裝技術(shù)(Package On Package,,POP),上部封裝為DRAM,,下部封裝為處理器,。

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  圖1:2021年1月發(fā)售的小米“Mi 11”。(圖片出自:Technology Analyze Everything)

  “Mi 11”在攝像頭上也十分出色,,搭載108M(1億800萬)像素的CMOS圖像處理器,。DRAM為8GB的LPDDR5,處理器為美國高通的最新“Snapdragon 888”,。也有12GB的DRAM,,但此次分解的為8GB產(chǎn)品。

  下圖2為2021年1月發(fā)布并開始銷售的三星的高端智能手機(jī)“Galaxy S21 Ultra 5G”,,下圖2為拆下蓋板后,,放大了主板和處理器部分的圖片。

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  圖2:2021年1月三星發(fā)布的高端智能手機(jī)“Galaxy S21 Ultra 5G”,。(圖片出自:Technology Analyze Everything)

  處理器與圖1中小米的“Mi 11”一樣,,都是高通的“Snapdragon 888”,但DRAM為12GB的LPDDR5,。攝像頭與小米一樣為108M像素的CMOS圖像傳感器,,且為四眼攝像頭。

  與小米“Mi 11”最大的差異是三星的基板為兩層,,即小米采用了一封基板,,三星采用了兩層基板。

  第一層為用于通信的收發(fā)器(Transiver),、功率放大器(Power Amplifier),,第二層為處理器、存儲(chǔ)器,。就高端智能手機(jī)而言,,蘋果和華為都采用的是兩層基板結(jié)構(gòu)。而且三星的5G手機(jī)都是兩層基板構(gòu)造,?!癕i 11”雖然也是高端機(jī)型,卻采用了單層基板。此外,,小米的基板在降噪方面做了很大努力(本文不做詳細(xì)說明),。

  歷代“Galaxy”上搭載的“Exynos”系列

  圖3與圖2 一樣,是三星于2021年1月發(fā)布并發(fā)售的中高端機(jī)型“Galaxy S21 5G”的分解圖,。圖3為取下背面蓋板,、無線充電線圈、主板后,,放大后的處理器圖片,。處理器與以上兩種不同,而是三星自己生產(chǎn)的高端處理器-—“Exynos 2100”,。

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  圖3:2021年1月三星發(fā)布的“Galaxy S21 5G”,。(圖片出自:Technology Analyze Everything)

  “Exynos 2100”是三星于2010年自主研發(fā)的處理器,,被應(yīng)用于各款Galaxy手機(jī),。圖3中雖然是被應(yīng)用于中高端機(jī)型,,但也有應(yīng)用于高端機(jī)型的情況。其關(guān)系并不是高通>三星,,而是Snapdragon 888 = Exynos 2100,。就搭載了“Exynos 2100”的機(jī)型而言,,在“Galaxy S21”中,,有8GB LPDDR5,也有12GB版本,。Galaxy S21和Galaxy S21 Ultra都是雙層基板結(jié)構(gòu),。就Galaxy S21的攝像頭像素而言,比以上兩款稍差一些,,為64M,。

  三星將Exynos和Snapdragon分開使用

  下表1是圖1到圖3的匯總圖。小米為一層板,,三星的兩款機(jī)型都是雙層板,,就攝像頭而言,高端機(jī)型為108M像素,,中端機(jī)型為64M像素,,雖然DRAM都采用了LPDDR5,但是容量分別為8GB和12GB,。處理器也分為高通的Snapdragon 888和三星的Exynos 2100,。雖然本文不會(huì)涉及過多,三星也對(duì)外發(fā)售了處理器“Exynos 1080”,,其性能略遜于Exynos 2100,。

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  表1:三種機(jī)型所搭載的處理器和存儲(chǔ)器的對(duì)比。(表格出自:Technology Analyze Everything)

  Exynos 1080已經(jīng)被中國的智能手機(jī)所采用,。

  下表2比較了三星的“Exynos 2100”和高通的“Snapdragon 888”,,Technology Analyze Everything株式會(huì)社分別對(duì)兩款芯片進(jìn)行了拆解和分析,,芯片面積的測(cè)量精確到0.01mm(本文不涉及具體數(shù)值)。

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  表2:三星的“Exynos 2100”和高通的“Snapdragon 888”的比較圖,。(表格出自:Technology Analyze Everything)

  兩款芯片都是由三星的5納米制程制造的,。蘋果和華為的芯片由TSMC制造,而高通和三星這兩家強(qiáng)勢(shì)企業(yè)使用的是三星的5納米制程,。

  兩種芯片的規(guī)格極其類似,。將高、中,、低三個(gè)階層的CPU設(shè)計(jì)為八核(高規(guī)格為1核,、中規(guī)格為3核、低規(guī)格為四核),,也將5G模式匯集于此,。5G模式的頂峰速度幾乎相等。此外,,AI加速計(jì)算性能為26TOPS,,幾乎相等。GPU和DSP雖然不一樣,,但是性能幾乎同等,。

  比較Snapdragon和Exynos的面積

  下圖4是過往七年內(nèi)高通的Snapdragon 和三星的 Exynos的面積比較圖。Snapdragon(表示為SD)為藍(lán)色,,Exynos(表示為E)為橙色,。

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  圖4:過去七年內(nèi)Snapdragon和Exynos的面積比較圖。(圖片出自:Technology Analyze Everything)

  高通和三星不一定在同一年份使用同一款處理器,。最左邊的“Snapdragon 810”采用的是20納米工藝,,同年的“Exynos 7420”為14納米。由于制造工藝不同,,因此面積也不同,,“Snapdragon 810”的面積是“Exynos 7420”的1.7倍。

  對(duì)于一直致力于尖端規(guī)格的高通而言,,這種差異是一大打擊,。如果使工藝微縮化,就可以下調(diào)電壓,,從而縮小芯片面積,,最終也更易于降低功耗。由于選擇了20納米工藝,,因此在各方面都落后于同年使用了14納米的三星,。

  后來,高通一直在堅(jiān)持制作比“Exynos”面積小的芯片。并不是降低性能,,而是進(jìn)一步強(qiáng)化封裝,、軟件和硬件的協(xié)調(diào)性設(shè)計(jì)。

  2021年三星推出了采用5納米工藝的大型處理器,。與TSMC一樣,,其5納米工藝的主要用途是手機(jī)。有不少讀者向Technology Analyze Everything 株式會(huì)社詢問:TSMC和三星,,誰更出色,?誰的速度更快?誰更小型化,?

  比較TSMC的5納米芯片和三星的5納米芯片

  下圖5是比較了用TSMC的5納米工藝制造的華為/海思的Kirin9000和三星5納米工藝制造的“Exynos 2100”,。我們的測(cè)量單位還是精確到0.01mm。

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  圖5:TSMC的5納米工藝制造的華為/海思的Kirin9000 和三星5納米工藝制造的“Exynos 2100”的比較圖,。(圖片出自:Technology Analyze Everything)

  一般情況下,,很難比較兩種同樣的產(chǎn)品。但是,,兩款處理器都搭載了同樣規(guī)格的運(yùn)算器,。且GPU都是Arm “Mali G78”。三星為14核,,海思為24核,,核數(shù)不一樣,但是“核”的單位是一樣的,。

  也可以計(jì)算出采用TSMC  5納米工藝制造的芯片的面積與三星5納米工藝制造的芯片面積之差,。同樣,CPU核都搭載了4核的Arm“Cortex-A55”,,因此,可以計(jì)算出A55的單個(gè)核的差,。就周波數(shù)性能,、面積差異等而言,Technology Analyze Everything株式會(huì)社已經(jīng)在別處公布,。

  2021年還會(huì)相繼發(fā)布采用5納米工藝,、6納米工藝的產(chǎn)品,未來Technology Analyze Everything株式會(huì)社還會(huì)繼續(xù)拆解芯片,,比較各家公司的產(chǎn)品差異,。

  


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