眾所周知,，在芯片生產(chǎn)過(guò)程中,，光刻機(jī)是繞不過(guò)的設(shè)備,，如果從整個(gè)生產(chǎn)來(lái)看,，光刻機(jī)的成本占總設(shè)備成本的30％。

最關(guān)鍵的是,，當(dāng)進(jìn)入到7nm工藝后,，必須要用到EUV（極紫外線）光刻機(jī)，這種光刻機(jī)只有荷蘭ASML能夠生產(chǎn),，且產(chǎn)能有限,，廠商們要買到，并不容易,，要排除，且ASML要優(yōu)先供應(yīng)臺(tái)積電,、三星,、intel這幾家股東。

所以一直以來(lái),，大家都在尋找其它辦法,，比如不用EUV光刻機(jī)，能不能生產(chǎn)7nm及以下的芯片,？事實(shí)上,，也有廠商是這么想并打算這么干的,，因?yàn)橥ㄟ^(guò)DUV光刻機(jī)進(jìn)行多重曝光，理論上也能達(dá)到7nm,。

但這種辦法非常復(fù)雜,，對(duì)技術(shù)要求非常高，同時(shí)良率低,，晶圓的損耗比較大,，所以如果能夠買到EUV光刻機(jī)，就不可能用這種辦法,，這種辦法生產(chǎn)出來(lái)的芯片,，完全沒(méi)有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

而近日,，日本廠商搞出了另外一種辦法,，那就是不采用DUV多重曝光，而是開(kāi)發(fā)了一種新的NIL制程技術(shù),，這種技術(shù)不需要EUV光刻機(jī),，就可以將芯片制程推至5nm。

這家廠商就是日本的存儲(chǔ)大廠鎧俠Kioxia（東芝）,，它與日本的光學(xué)／半導(dǎo)體廠商佳能,，還有光罩／半導(dǎo)體廠商大日本印刷株式會(huì)社（DNP），經(jīng)過(guò)了4年的研發(fā),，終于研發(fā)出了納米壓印微影（NIL） 的量產(chǎn)技術(shù),。

目前鎧俠已將其應(yīng)用到了15nm的NAND閃存制造上了，并表示到2025年應(yīng)該可以應(yīng)用到5nm的芯片制造上,。

鎧俠表示,，NIL 技術(shù)與EUV光刻技術(shù)相比，可以大幅度的減少耗能,，轉(zhuǎn)化效率高,，耗電量可壓低至EUV 技術(shù)的10％，同時(shí)NIL技術(shù)下的設(shè)備也便宜,，與ASML的EUV光刻機(jī)相比,，投資可降低至僅有EUV 設(shè)備的40％。

不過(guò)也有專業(yè)人士指出,，NIL技術(shù)也許能夠推進(jìn)芯片制程至5nm,，但可能更適應(yīng)于NAND這種3D堆疊的閃存芯片，不一定適用于所有的芯片,。

不過(guò)合作廠商之一的佳能,，則表示要努力的將NIL 量產(chǎn)技術(shù)廣泛的應(yīng)用于制作DRAM 及PC 用的CPU 等邏輯芯片的設(shè)備上。

對(duì)于這個(gè)技術(shù)，不知道大家怎么看,？如果真的能夠推進(jìn)至5nm,，且用于除NAND之外的通用芯片，那么ASML就必將走下神壇,。

甚至從一定程度而言,，也是國(guó)產(chǎn)芯的好消息，你覺(jué)得,？對(duì)于這樣的彎道超車的技術(shù),，真希望它能夠多一點(diǎn)，并且是中國(guó)廠商研發(fā)的就好了,。