Vishay推出先進的30 V N溝道MOSFET,，進一步提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效
器件采用PowerPAK® 1212 8S封裝,，導通電阻低至0.95 m,，優(yōu)異的FOM僅為29.8 m*nC
2021-06-01
來源：Vishay
賓夕法尼亞,、MALVERN — 2021年5月25日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出多功能新型30 V n溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET---SiSS52DN,，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效,。Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻僅為0.95 mW,，比上一代產品低5 %,。此外， 4.5 V條件下器件導通電阻為1.5 mW,，而4.5 V條件下導通電阻與柵極電荷乘積,，即MOSFET開關應用重要優(yōu)值系數（FOM）為29.8 mW*nC，是市場上優(yōu)值系數最低的產品之一,。
SiSS52DN的FOM比上一代器件低29 %,，從而降低導通和開關損耗，節(jié)省功率轉換應用的能源,。
SiSS52DN適用于同步整流,、同步降壓轉換器、DC/DC轉換器,、開關柜拓撲結構,、OR-ring FET低邊開關，以及服務器,、通信和RF設備電源的負載切換,。MOSFET可提高隔離和非隔離拓撲結構的性能，簡化設計人員兩種電路的器件選擇,。
器件經過100 % RG和UIS測試,，符合RoHS標準，無鹵素,。
SiSS52DN現可提供樣品并已實現量產,，供貨周期為12周。
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