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美光1α制程DRAM批量出貨,!不使用EUV,,同樣實現(xiàn)極高密度,!

2021-06-02
來源:EETOP
關鍵詞: 美光 DRAM EUV

  美光在今年1月發(fā)表導入1α制程的DRAM產(chǎn)品,,本月則已開始大量出貨使用1α制程的LPDDR4xDRAM,。美光亦在業(yè)界領先的數(shù)據(jù)中心平臺(例如第三代AMD EPYC)完成1α制程DDR4的驗證,目前兩款產(chǎn)品皆已在包含臺中A3 新廠的美光臺灣先進DRAM 廠區(qū)量產(chǎn)中,。

  與其競爭對手不同的是,,美光至少在幾年內不打算使用極紫外 (EUV) 光刻技術,。然而,由于該公司仍需要提高其存儲芯片的密度并降低其每比特成本,,但美光可以依靠其自身的其他創(chuàng)新技術來實現(xiàn)縮小其 DRAM 的尺寸,。美光的 1α 節(jié)點 與 1Z 相比,位密度提高了 40%,,功耗降低了 15%,。它還提供更高的性能潛力。

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  美光1α制程存儲器席卷市場,,以先進的DRAM 技術帶動創(chuàng)新,,不管是服務器平臺以數(shù)據(jù)為中心的工作負載,或消費型輕薄筆電,,皆能受惠,。1α 制程有助提升存儲器電源效率,更長的電池續(xù)航力更讓筆電攜帶更加便利,,適用于現(xiàn)今居家辦公和學習的環(huán)境,。

  美光也表示,有鑒于遠距辦公與教學日益普遍,,美光與全球個人電腦生態(tài)系統(tǒng)伙伴密切合作,,在個人電腦需求激增趨勢下提供最新存儲器技術,其中包含與臺灣OEM業(yè)者宏碁(2353)攜手合作,,將使用1α制程的LPDDR4x和DDR4應用至宏碁系統(tǒng)中,。

  此外,美光今(2)日也宣布車用的128 GB及256 GB容量的96層NAND快閃存儲器已開始送樣,,兩者同屬美光領先業(yè)界的UFS 3.1 接口NAND 新產(chǎn)品組合,。隨著車用資訊娛樂系統(tǒng)不斷更新,現(xiàn)已包含高畫質顯示屏,,并搭載應用人工智能技術(AI)的人機接口,,可處理聲音,、手勢及影像辨識,。美光UFS 3.1 產(chǎn)品組合正可提供汽車業(yè)亟需的低延遲、高傳輸儲存解決方案,。

  美光UFS 3.1 存儲器讀取速度比UFS 2.1 快兩倍,,讓數(shù)據(jù)密集的車用資訊娛樂系統(tǒng)及先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)開機更快,延遲降低,。此外,,UFS3.1 存取效能提高50%,能符合Level 3 以上ADAS 感測器,、相機以及汽車黑盒子即時終端儲存(local storage)增加的需求,。

 


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