從英特爾悄悄拿起，

　　到臺(tái)積電發(fā)揚(yáng)光大,，

　　再被三星輕輕放下,，

　　FinFET登臺(tái)已10年之久，

　　如今隨著摩爾定律逐漸失速，

　　新的時(shí)代迎來新的繼承者,。

　　40年來處理器性能變化（圖源：CAOS）

　　近日,，據(jù)eenews消息，三星代工廠流片了基于環(huán)柵 （GAA） 晶體管架構(gòu)的3nm芯片,，通過使用納米片（Nanosheet）制造出了MBCFET（多橋通道場(chǎng)效應(yīng)管）,，可顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù),。

　　該工藝需要一套不同于FinFET晶體管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和認(rèn)證工具,，因此三星使用了Synopsys的Fusion Design Platform。該工藝的物理設(shè)計(jì)套件（PDK）于2019年5月發(fā)布,，并于去年通過了認(rèn)證,。伴隨著此次成功流片，意味著三星3nm芯片大規(guī)模量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)已正式臨近,。

　　三星執(zhí)行副總裁兼代工銷售和營銷主管Charlie Bae表示：“基于GAA結(jié)構(gòu)的下一代工藝節(jié)點(diǎn)（3nm）將使三星能夠率先打開一個(gè)新的智能互聯(lián)世界,，同時(shí)加強(qiáng)我們的技術(shù)領(lǐng)先地位”。

　　　　什么是GGA,？

　　GGA——（Gate all around Field Effect Transistors,，GAAFET），又稱全環(huán)柵晶體管,，是一種繼續(xù)延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線的新興技術(shù),，可進(jìn)一步增強(qiáng)柵極控制能力，克服當(dāng)前技術(shù)的物理縮放比例和性能限制,。

　　據(jù)了解,，GAAFET有兩種結(jié)構(gòu)，一種是使用納米線（Nanowire）作為電子晶體管鰭片的常見GAAFET,，另外一種則是以納米片（Nanosheet）形式出現(xiàn)的較厚鰭片的多橋通道場(chǎng)效應(yīng)管MBCFET,，這兩種方式都可以實(shí)現(xiàn)3nm，但取決于具體設(shè)計(jì),。從GAAFET到MBCFET,，可以視為從二維到三維的躍進(jìn)，能夠改進(jìn)電路控制,，降低漏電率,。

　　按照專家觀點(diǎn)：GAA晶體管能夠提供比FinFET更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求,。這主要體現(xiàn)在同等尺寸結(jié)構(gòu)下,，GAA溝道控制能力增強(qiáng)，給尺寸進(jìn)一步微縮提供了可能,；傳統(tǒng)FinFET的溝道僅三面被柵極包圍,，而GAA以納米線溝道設(shè)計(jì)為例,，溝道的整個(gè)外輪廓都被柵極完全包裹住，意味著柵極對(duì)溝道的控制性能就更好,。

　　Leti公司高級(jí)集成工程師Sylvain Barraud指出：“與FinFET相比,，除了具有更好的柵極控制能力以外，GAA堆疊的納米線還具有更高的有效溝道寬度,，能夠提供更高的性能,。”

　　GAA相比FinFET的優(yōu)勢(shì)（圖源：semianalysis）

　　根據(jù)三星的說法,，與7nm FinFET制造工藝相比,，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低50%,，邏輯面積減少45%,。

　　能夠看到，GAA晶體管結(jié)構(gòu)標(biāo)志著工藝技術(shù)進(jìn)入了關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn),，對(duì)于保持下一波超大規(guī)模創(chuàng)新所需的縮放軌跡至關(guān)重要,。

　　三星和臺(tái)積電的岔路口

　　目前，臺(tái)積電,、三星在5nm/7nm工藝段都采用FinFET結(jié)構(gòu),，而在下一世代3nm工藝的晶體管結(jié)構(gòu)選擇上，兩者出現(xiàn)分歧,。

　　三星選擇采用GAA結(jié)構(gòu),。在今年的IEEE國際固態(tài)電路大會(huì)（ISSCC）上，三星首次公布了3nm制造技術(shù)的一些細(xì)節(jié)——3nm工藝中將使用類似全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）結(jié)構(gòu),，率先開啟了先進(jìn)工藝在技術(shù)架構(gòu)上的轉(zhuǎn)型,。

　　臺(tái)積電則出于穩(wěn)健考慮，選擇在第一代3nm工藝?yán)^續(xù)沿用FinFET技術(shù),，盡可能實(shí)現(xiàn)無縫過渡,。畢竟在相同的制程技術(shù)與制造流程下，不用變動(dòng)太多的生產(chǎn)工具,，也能有較具優(yōu)勢(shì)的成本結(jié)構(gòu),。尤其是對(duì)客戶來說，在先進(jìn)制程的開發(fā)里變更設(shè)計(jì),，無論是改變?cè)O(shè)計(jì)工具或者是驗(yàn)證和測(cè)試的流程,，都會(huì)是龐大的時(shí)間和經(jīng)濟(jì)成本。臺(tái)積電首席科學(xué)家黃漢森強(qiáng)調(diào),，做此選擇是從客戶的角度出發(fā),，采用成熟的FinFET結(jié)構(gòu)產(chǎn)品性能顯然會(huì)更加穩(wěn)定，也有助于客戶降低生產(chǎn)的成本,。

　　不過,，這或許只是一個(gè)短期策略。依托FinFET技術(shù),，臺(tái)積電芯片工藝制程的終點(diǎn)來到了3nm,，當(dāng)鰭片（Fin）寬度達(dá)到5nm（等于3nm節(jié)點(diǎn)）時(shí)，F(xiàn)inFET將接近實(shí)際極限,，再向下就會(huì)遇到瓶頸,。

　　因此也有消息透露，臺(tái)積電的2nm工藝將轉(zhuǎn)向GAA架構(gòu)（采用跟三星一樣的MBCFET架構(gòu)）,。全新的MBCFET架構(gòu),，以GAA制程為基礎(chǔ)的架構(gòu)，可以解決FinFET因?yàn)橹瞥涛⒖s而產(chǎn)生的電流控制漏電等物理極限問題,。

　　平面晶體管與FinFET,、GAAFET以及MBCFET（圖源：Semianalysis）

　　綜合來看，2nm或?qū)⑹荈inFET結(jié)構(gòu)全面過渡到GAA結(jié)構(gòu)的技術(shù)節(jié)點(diǎn),。在經(jīng)歷了Planar FET,、FinFET后，晶體管結(jié)構(gòu)將整體過渡到GAAFET結(jié)構(gòu)上,。

　　三星和臺(tái)積電的選擇考量都是商業(yè)決策下的結(jié)果,。對(duì)臺(tái)積電和客戶來說，維持當(dāng)前的設(shè)計(jì)體系,，擴(kuò)展FinFET似乎是一條更安全的途徑,。若最終的產(chǎn)品性能還能與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手平起平坐，那臺(tái)積電可能又將在3納米產(chǎn)品世代再勝一籌,。

　　對(duì)三星來講,，3nm時(shí)代在技術(shù)架構(gòu)方面尋找差異化，試圖進(jìn)一步拉近與臺(tái)積電芯片代工方面的技術(shù)差距,。IBS首席執(zhí)行官Jones表示：“與3nm FinFET相比,，3nm環(huán)繞閘極具有更低的閾值電壓，并可能降低15%到20%的功耗,，在某種程度上提供了更多的性能,。”三星正在通過新的嘗試和提前布局來尋求更多可能性,。

　　FinFET走到了盡頭,？

　　過去十年，F(xiàn)inFET技術(shù)成功延續(xù)了摩爾定律,，但時(shí)至今日,，隨著摩爾定律失速，F(xiàn)inFET也仿佛走到了盡頭,。

　　談到FinFET,，得從平面MOSFET開始說起,，自平面MOSFET器件工藝誕生后，特征尺寸就隨著摩爾定律的指引在不停地縮小,。在晶體管特征尺寸微縮的過程中,，雖然也遇到過各種困難，但是通過將鋁互聯(lián)改成銅互聯(lián),，在柵極加入High-k材料,、引入Stress engineering等方法都可以在不改變平面器件工藝的情況下把尺寸做小。

　　但是當(dāng)柵極長(zhǎng)度逼近20nm門檻時(shí),，對(duì)電流的控制能力急劇下降,，漏電率也在升高，傳統(tǒng)的平面MOSFET看似走到了盡頭,，材料的改變也無法解決問題,。

　　對(duì)此，加州大學(xué)伯克利分校胡正明教授給出了新的設(shè)計(jì)方案,，也就是FinFET晶體管,，又稱鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在FinFET中,，溝道不再是二維的,，而是三維的“鰭（Fin）”形狀，而柵極則是三維圍繞著“鰭”,，這就大大增加了柵極對(duì)于溝道的控制能力,，從而解決漏電問題。

　　胡正明教授2001年在學(xué)界正式提出FinFET方案,，但真正被商業(yè)落實(shí)還是在十年以后,。英特爾在FinFET工藝上率先出手，2011年推出了商業(yè)化的22nm FinFET工藝技術(shù),。隨后包括臺(tái)積電在內(nèi)的全球各大半導(dǎo)體廠商積極跟進(jìn),，陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)到FinFET工藝中。從16/14nm開始,，F(xiàn)inFET成為了半導(dǎo)體器件的主流選擇,，成功地推動(dòng)了從22nm到5nm等數(shù)代半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，并將擴(kuò)展到3納米工藝節(jié)點(diǎn),。

　　FinFET工藝七大玩家進(jìn)展（圖源：芯思想）

　　FinFET工藝技術(shù)自2011年商業(yè)化后,，體系結(jié)構(gòu)持續(xù)進(jìn)行改進(jìn)，以提高性能并減小面積,。到了5nm節(jié)點(diǎn)后,，雖然使用了EUV光刻技術(shù)，但是基于FinFET結(jié)構(gòu)進(jìn)行芯片尺寸的縮小變得愈發(fā)困難。FinFET工藝制造,、研發(fā)成本也越來越高,，即使在7nm、5nm仍能堅(jiān)持,，但是再往前似乎已經(jīng)是力不從心,。

　　隨著三星,、英特爾兩大晶圓代工巨頭率先轉(zhuǎn)向GAA工藝,，正在預(yù)示著在更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)上，F(xiàn)inFET將走向終結(jié),。根據(jù)國際器件和系統(tǒng)路線圖（IRDS）的規(guī)劃,，在2021-2022年以后，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)將逐步被GAA結(jié)構(gòu)所取代,。

　　然而,，雖然FinFET無法再繼續(xù)深耕更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，但在現(xiàn)有業(yè)務(wù)布局中仍占有相當(dāng)份額,，并正處于逐年增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì),。這一點(diǎn)從臺(tái)積電FinFET工藝收入中能夠得到印證。

　　圖源：TSMC

　　從上面數(shù)據(jù)可以看到,，臺(tái)積電2020年第一季度FinFET工藝收入占比54.5%,，在2021年第一季度更是達(dá)到驚人的63%。FinFET收入增長(zhǎng)背后,，離不開臺(tái)積電在此的專注和投入,，在當(dāng)前半導(dǎo)體短缺的情況下，臺(tái)積電3年投資1000億美元建設(shè)大量的FinFET產(chǎn)能,，應(yīng)對(duì)市場(chǎng)和客戶需求,。同時(shí)，臺(tái)積電正在努力推動(dòng)其500多個(gè)客戶進(jìn)入FinFET時(shí)代,，加速其繁榮,。

　　因此，現(xiàn)在說FinFET壽終正寢還為時(shí)尚早,，臺(tái)積電正在將FinFET帶向多個(gè)領(lǐng)域,。

　　　　芯片制造的未來走向

　　市場(chǎng)對(duì)于高性能芯片的渴望在不斷推動(dòng)技術(shù)的演進(jìn)，在人們?yōu)?nm節(jié)點(diǎn)工藝擔(dān)憂的時(shí)候,，新的GAA技術(shù)出現(xiàn)了,。那么除此之外，芯片制造未來還有哪些走向,？

　　Forksheet FET & CFET

　　隨著未來向更小制程的繼續(xù),，將要求標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)nFET和pFET器件之間的間距更小。但是,，對(duì)于FinFET和Nanosheet而言,，工藝限制了這些n-to-p器件之間的間距,。

　　除了Nanosheet，還有一些屬于“全柵”類的其它技術(shù)選項(xiàng),。為了擴(kuò)大這些器件的可微縮性,，IMEC提出了一種創(chuàng)新的架構(gòu)，稱為Forksheet FET,。

　　Forksheet被視為下一個(gè)發(fā)展路線（圖源：IMEC）

　　Forksheet可以理解為是Nanosheet的自然延伸,，具有超出2nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的額外縮放和性能。Forksheet的nFET和pFET集成在同一結(jié)構(gòu)中,，由介電墻將nFET和pFET隔開,。這個(gè)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)就在于它有更緊密的n到p的間距，并減少面積縮放,。與Nanosheet FET相比,，在相同制程下，F(xiàn)orksheet FET的電路更加緊湊,。

　　在從平面晶體管到FinFET再到Nanosheet的進(jìn)化過程中,，可以將Forksheet視為下一個(gè)發(fā)展路徑。

　　此外,，CFET——Complementary FETs（互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是2nm甚至以后另一種類型的技術(shù)選項(xiàng),。CFET由兩個(gè)獨(dú)立的Nanosheet FET（p型和n型）組成，是一種把p型納米線疊在n型納米線上的結(jié)構(gòu),。通過這種疊加的形式,，CFET等于是實(shí)現(xiàn)了一種折疊的概念，借此消除了n-to-p分離的瓶頸,，能夠?qū)卧性磪^(qū)域的面積減少2倍,。

　　CFET結(jié)構(gòu)

　　IBS首席執(zhí)行官Handel Jones稱：“CFET前景廣闊，但目前還為時(shí)過早,。向1nm CFET系列邏輯器件的發(fā)展推動(dòng)了新BEOL和MOL解決方案的開發(fā),，但問題是即使增強(qiáng)了柵極結(jié)構(gòu)，我們也需要增強(qiáng)MOL和BEOL,，需要通過引入新的導(dǎo)體來補(bǔ)充這些集成方案,，否則性能提升將受到限制?！?/p>

　　對(duì)于未來技術(shù)架構(gòu)的演進(jìn)趨勢(shì),，IMEC認(rèn)為：3納米之前采用Nanosheet、2納米采用Forksheet,、1納米采用CFET,。在進(jìn)一步的研究中，需要解決將這些器件完全投入生產(chǎn)的工藝挑戰(zhàn)。

　　總而言之,，目前這些仍在研發(fā)中的技術(shù)前景尚好,，但也都有更自的挑戰(zhàn)待突破，包含散熱的控制和制造成本等,，但可以看到的是,，對(duì)于2納米及之后的芯片制造，已有數(shù)項(xiàng)技術(shù)正在進(jìn)行中,，雖有困難但也是遙不可及,。

　　Bizen晶體管架構(gòu)

　　英國初創(chuàng)公司Search For The Next（SFN）和蘇格蘭芯片制造商Semefab合作開發(fā)了Bizen晶體管架構(gòu)，可能從另一方向打破CMOS的極限,。提出Bizen晶體管架構(gòu)最初的目的就是為了創(chuàng)建具有較少掩膜步驟的芯片,，使得同一塊芯片上同時(shí)具有邏輯和功率晶體管，在這一初衷下創(chuàng)建一個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器的集成電路,。

　　SFN首席執(zhí)行官Summerland提出了使用齊納二極管反向偏置特性的想法，該特性是由二極管N區(qū)域和P區(qū)域之間摻雜水平的突然變化產(chǎn)生的,，最終致使量子電流的產(chǎn)生,，以此來驅(qū)動(dòng)雙極晶體管。

　　具體而言,，SFN的Bizen晶體管設(shè)計(jì)將雙極結(jié)與齊納二極管的概念結(jié)合在一起,，利用量子隧穿效應(yīng)從傳統(tǒng)的雙極晶體管中消除了電阻以及所有金屬層。晶體管使用量子隧道連接?xùn)艠O并能夠建立多個(gè)柵極連接,，這意味著可以在一個(gè)晶體管內(nèi)創(chuàng)建多個(gè)非門和或門,，從而縮小了邏輯電路的裸片。

　　半導(dǎo)體材料：鉍（Bi）

　　從材料方面來看,，目前硅基半導(dǎo)體主流制程已進(jìn)展至5nm,、甚至3nm的節(jié)點(diǎn)，芯片單位面積能容納的電晶體數(shù)目,，也將逼近硅的物理極限,，芯片效能無法再逐年顯著提升。

　　一直以來業(yè)界對(duì)二維材料寄予厚望,，卻苦于無法解決二維材料高電阻,、及低電流等問題，前不久,，由臺(tái)大,、臺(tái)積電與麻省理工學(xué)院（MIT）共同發(fā)表的研究表示，由美國麻省理工團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)在二維材料上搭配半金屬鉍（Bi）的電極,，能大幅降低電阻并提高傳輸電流,。隨后臺(tái)積電技術(shù)研究部門將鉍（Bi）沉積制程進(jìn)行優(yōu)化，臺(tái)大團(tuán)隊(duì)并運(yùn)用氦離子束微影系統(tǒng)（Helium-ion beam lithography）將元件通道成功縮小至納米尺寸，終于獲得這項(xiàng)突破性的研究成果,。

　　臺(tái)大電機(jī)系暨光電所吳志毅教授進(jìn)一步說明,，使用鉍（Bi）為接觸電極的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)后，二維材料電晶體的效能不但與硅基半導(dǎo)體相當(dāng),，又有潛力與目前主流的硅基制程技術(shù)相容,，有助于未來突破摩爾定律的極限。

　　半導(dǎo)體設(shè)備：EUV的下一步

　　從DUV到EUV的過渡對(duì)延續(xù)摩爾定律起到了重要作用,。為了繼續(xù)微縮,，幾年前ASML開始研發(fā)下一代工具——High NA（高數(shù)值孔徑）EUV，提升NA（numerical aperture,，鏡口率 ） 的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高半導(dǎo)體微細(xì)加工所需的電路分辨率,。

　　ASML預(yù)計(jì)，High NA設(shè)備將在2025年或2026年進(jìn)入商業(yè)生產(chǎn),。與傳統(tǒng)的EUV光刻相比,，High NA EUV光刻有望提供更先進(jìn)的圖案縮放解決方案。此外,，在未來的工藝節(jié)點(diǎn)上,，除了下一代EUV光刻技術(shù)外，新的沉積,，蝕刻和檢查/計(jì)量技術(shù)也在研究中,。

　　寫在最后

　　3nm即將發(fā)生，2nm也是如此,。由于沒有一種技術(shù)可以滿足所有的應(yīng)用,，在芯片縮小和功能擴(kuò)展的過程中，制程的進(jìn)步,、晶體管結(jié)構(gòu)的變化和其他方法會(huì)交替進(jìn)行,，不斷推動(dòng)芯片性能向上攀升

　　在此情況下，除了制造商需要各顯本事之外,，如何從技術(shù),、市場(chǎng)與成本中取得最大的利基，將是個(gè)企業(yè)間競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵所在,。特別是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的成本十分高昂,，若不能在生產(chǎn)技術(shù)與制造成本中取得較佳的平衡，未來發(fā)展也將會(huì)非常艱辛,。再考慮到半導(dǎo)體制造供應(yīng)鏈龐大的牽連體系,，不僅是制造設(shè)備，也包含設(shè)計(jì)工具和檢驗(yàn)測(cè)試等部分,，若沒有優(yōu)異的解決方案,，也難以在競(jìng)爭(zhēng)中保持優(yōu)勢(shì)地位,。

　　在寫下這篇文字的時(shí)候，前方又傳來消息：“三星圍繞3nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了大量營銷和炒作,，目前看起來形勢(shì)嚴(yán)峻,，產(chǎn)品性能似乎也進(jìn)行了大量修改，基于GAA架構(gòu)的3nm節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將推遲到2024年推出…”

　　但貌似也無傷大雅,，2022年也好,，2024年也罷。

　　不難預(yù)見,，屬于GAA晶體管的時(shí)代正在開啟…