由于受硅材料固有特性的限制，基于硅工藝的器件速度已經(jīng)接近到物理極限,，進(jìn)一步提升器件速度并保持線性特性變得十分困難,。而SiGe由于其獨(dú)特的物理性質(zhì)和重要的技術(shù)應(yīng)用價(jià)值，逐漸在電子和光電子半導(dǎo)體器件中得到廣泛的應(yīng)用,。

　　SiGe 速率升級(jí)

　　1,、光通信芯片速率升級(jí)：

　　由于Optical Fiber Networks等應(yīng)用對(duì)性能要求較高，因此高性能Sige工藝可以得到應(yīng)用,，fT（GHz）50-300GfT,，CMOS器件電壓為1.8V/3.3V：

　　前傳從6G/10G向25G升級(jí)；

　　中傳以50G/100Gbit/s速率為主,；

　　回傳光模塊逐漸以100G//200G/400Gbit/s速率為主,。

　　應(yīng)用于光通信方向都是在SiGe 搭配CMOS器件180nm節(jié)點(diǎn)，性能優(yōu)異,。

　　2,、高性能射頻前端以LNA/PA 為主：

　　用于Automotive Radar,  60GHz WiFi, 24GHz Backhaul, Light Peak and Thunderbolt, GPS LNA等高性能模擬器件， 集成SW+LNA, LNA+SW+PA射頻前端FEM的SiGe工藝,， fT（GHz）一般小于100G,，搭配350/180nm CMOS器件。

　　Millimeter Wave 等應(yīng)用一般使用200G以上fT的工藝,，搭配180nm的CMOS器件,。

　　3、除光通信,、射頻前端以外的其他高速應(yīng)用：

　　對(duì)于Cable/DSL line drivers, Audio Amplifiers, Hard Disk Pre-Amplifiers, Serdes 等應(yīng)用,，其Ft（GHz）一般為50-300G, CMOS器件電壓為1.8V/3.3V。

　　目前,，SiGe工藝方向已有數(shù)十家客戶Tape-out,，目前已有客戶在光通信、服務(wù)器高速接口等方向通過(guò)摩爾精英的流片服務(wù)進(jìn)入量產(chǎn)環(huán)節(jié),。

　　摩爾精英流片服務(wù)方案

　　摩爾精英為客戶提供一站式晶圓流片,、封裝、測(cè)試,、產(chǎn)品工程及量產(chǎn)管理服務(wù),，包括全工藝覆蓋的MPW/FullMask/量產(chǎn)服務(wù)，封裝快速打樣/SiP設(shè)計(jì)/量產(chǎn)管理,、基于自主ATE設(shè)備的測(cè)試服務(wù),，和項(xiàng)目整體管理包含質(zhì)量、交期和良率等服務(wù),。

　　摩爾精英流片服務(wù)依托于與國(guó)內(nèi)外主流晶圓廠建立戰(zhàn)略合作關(guān)系,，提供8nm-350nm的流片服務(wù),，涵蓋MPW, Fullmask及量產(chǎn)服務(wù)；根據(jù)每個(gè)客戶的需求,，提供質(zhì)量,、交期和性價(jià)比均衡的最佳的流片解決方案。

　　摩爾精英流片服務(wù)提供專業(yè)的技術(shù)服務(wù)流程：

　　提供工藝選擇的相關(guān)資料（工藝覆蓋0.35um-8nm）

　　幫助選擇合理及正確process devices 和 production mask

　　協(xié)助客戶完成 Tape-out 流程

　　跟蹤并保障Fab out schedule

　　提供晶圓生產(chǎn)inline測(cè)試報(bào)告

　　提供完整的晶圓物流及交貨服務(wù)

　　主流晶圓廠工藝節(jié)點(diǎn)：

自建FAE技術(shù)團(tuán)隊(duì),，平均Fab PIE CE工作經(jīng)驗(yàn)10+, Design Service工作經(jīng)驗(yàn) 5+, Fab端駐場(chǎng)服務(wù),，直接對(duì)接Tapeout window，高效反饋客戶問(wèn)題,。

摩爾精英流片服務(wù)供應(yīng)商（部分）