早在2018年的時(shí)候,高通就有過(guò)一段隱晦的暗示,意思是別太相信芯片代工廠的芯片工藝,他們現(xiàn)喜歡將數(shù)字弄得小一點(diǎn),臺(tái)積電、三星都有類似的問(wèn)題,。

而在2019年的時(shí)候,臺(tái)積電也承認(rèn)了這個(gè)問(wèn)題,當(dāng)時(shí)的技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森表示,現(xiàn)在的XXnm其實(shí)與晶體管柵極已經(jīng)不是絕對(duì)相關(guān)了,工藝節(jié)點(diǎn)已經(jīng)變成了一種營(yíng)銷游戲,。

但實(shí)話實(shí)說(shuō),雖然臺(tái)積電算是承認(rèn)了所謂的工藝節(jié)點(diǎn)有問(wèn)題,但大家依然還是以工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)評(píng)價(jià)各代工廠的芯片技術(shù),。

比如2020年臺(tái)積電、三星達(dá)到了5nm,而英特爾還在10nm,大家認(rèn)為英特爾肯定落后于三星,、臺(tái)積電,。而2022年三星、臺(tái)積電會(huì)進(jìn)入3nm,而英特爾可能進(jìn)入7nm,明顯英特爾落后2代了,。

但臺(tái)積電,、三星的3nm又真正的是3nm么?英特爾的7nm又是真正的7nm么,這可就真的是一筆糊涂賬了。

不過(guò)好在外界對(duì)于芯片工藝,還有另外的一個(gè)評(píng)價(jià)方法,那就是晶體管密度,。我們知道芯片是由晶體管組成的,工藝的提升,是以縮小晶體管的溝道長(zhǎng)度為目標(biāo)的,工藝越先進(jìn),溝道長(zhǎng)度越短,晶體管密度就越大,。

所以一直以來(lái),在這些芯片制造廠對(duì)外宣稱的工藝不可信時(shí),一些權(quán)威機(jī)構(gòu),就喜歡用晶體管密度來(lái)看大家的技術(shù)差異性,密度相同,工藝就基本相同。

近日Digitimes分析了三星,、臺(tái)積電,、Intel及IBM四家的半導(dǎo)體工藝密度問(wèn)題,對(duì)比了10nm、7nm,、5nm,、3nm及2nm的情況,我們發(fā)現(xiàn)或許只有intel是清白的,其它幾家的工藝真的水分太大了,。

為何這么說(shuō)?如上圖所示,如果從晶體管密度來(lái)看,intel的10nm工藝,晶體管密度達(dá)到了1．06億個(gè)每平方毫米,比三星,、臺(tái)積電的7nm還要強(qiáng)。

而intel的7nm,晶體管密度會(huì)達(dá)到1．8億個(gè)每平方毫米,比三星的3nm(1．7億個(gè)),、臺(tái)積電的5nm(1．73億個(gè))要強(qiáng),。

而intel的5nm,晶體管密度會(huì)達(dá)到3億個(gè)每平方毫米,比臺(tái)積電的3nm(2．9億個(gè))要強(qiáng),直追IBM之前公布的2nm工藝(3．33億個(gè))。

而intel的3nm,晶體管密度會(huì)達(dá)到5．2億個(gè)每平方毫米,比臺(tái)積電公布的2nm工藝(4．9億個(gè))要強(qiáng),。

關(guān)于這個(gè)晶體管密度,我們還可以反向驗(yàn)證一下,麒麟9000是153億個(gè)晶體管,其面積不到100平方毫米,算下來(lái)大約是1．7億個(gè)晶體管每平方毫米,是與臺(tái)積電的5nm工藝(1．73億)基本吻合的,。

可以說(shuō),大家真也不必太過(guò)于關(guān)注什么5nm、3nm這個(gè)工藝了,真的是水分較大,各企業(yè)橫向之間不太好比較了,比如intel的10nm就一定差于三星的7nm?真不好說(shuō),。只能同一企業(yè)縱向比較,比如臺(tái)積電的5nm肯定強(qiáng)于7nm,臺(tái)積電的3nm肯定強(qiáng)于5nm,。

但不管怎么樣,臺(tái)積電、三星們的這個(gè)營(yíng)銷游戲,真的太成功了,至少一般的網(wǎng)友已經(jīng)成功的被他們洗臉了,早就相信3nm就是3nm了,。