如何評估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫,？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考,。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha,，給大家做一些清晰和深入的解析。

　　· IPOSIM中Rthha定義：折算到每個Switch（開關(guān)）的散熱器熱阻

　　· 折算思路：對于常規(guī)模塊,，先確定散熱器的總熱阻,，再根據(jù)散熱器包含的Switch數(shù)量，折算出熱阻Rthha,。對于PIM模塊,，其散熱器熱阻需要額外計算。

　　一,、 兩電平仿真中的Rthha的定義與設(shè)置

　　在兩電平逆變拓撲中,，每個Switch基本單元為：T1+D1

　　兩電平舉例說明：3XFF600R12KE4 per Inverter

　　（FF600R12KE4）

　　62mm封裝的半橋模塊如上,，三個半橋模塊置于散熱器,，組成完整的三相逆變拓撲,。假設(shè)每個模塊200W損耗，散熱器的溫升30℃,，則散熱器總熱阻為30℃/（200W*3）=0.05K/W,。

　　散熱器總共包含了6個Switch基本單元，因此IPOSIM中Rthha為：0.05*6=0.30K/W,。

　　二,、 三電平仿真中的Rthha的定義與設(shè)置

　　三電平的拓撲相對復(fù)雜一些，以常見的三種拓撲NPC1,、NPC2和ANPC為例,，分別進行說明：

　　在NPC1拓撲中，每個Switch基本單元為：T1+D1+T2+D2+D5

　　在NPC2拓撲中,，每個Switch基本單元為：T1+D1+T2+D2

　　在ANPC拓撲中,，每個Switch基本單元為：T1+D1+T2+D2+T5+D5

　　三電平NPC1舉例說明：

　　3XF3L150R07W2E3_B11 per Inverter

　　（F3L150R07W2E3_B11）

　　在中小功率的三電平應(yīng)用里,，1個模塊就能裝下三電平的1個甚至3個橋臂,。如Easy2B封裝的三電平模塊F3L150R07W2E3_B11，模塊內(nèi)為1個NPC1橋臂,，3個模塊置于散熱器上,，組成完整的三電平的三相逆變拓撲。假設(shè)每個Easy2B模塊損耗200W, 散熱器的溫升30℃,，則散熱器總熱阻為：30℃/（200W*3）=0.05K/W,。

　　散熱器總共包含了6個Switch基本單元，因此IPOSIM中Rthha為：0.05*6=0.30K/W,。

　　三電平ANPC舉例說明：

　　3XFF600R12ME4_B72 per phase

　?。‵F600R12ME4_B72）

　　在大功率的三電平應(yīng)用里，往往需要多個模塊才能組成1個三電平橋臂,，如EconoDual3?封裝的半橋模塊FF600R12ME4_B72,，3個模塊組成1個ANPC或NPC1的橋臂，同樣3個模塊置于散熱器上,，只是三電平拓撲的某一相,。假設(shè)3個模塊損耗一共1200W，散熱器溫升50℃,，則散熱器總熱阻為50℃/1200W=0.042K/W,。

　　散熱器只包含了2個Switch基本單元，因此IPOSIM中Rthha為：0.042*2=0.084K/W,。

　　三,、 變頻器PIM模塊仿真中的Rthha的定義與設(shè)置

　　在中小功率的變頻器應(yīng)用里，常常會用到PIM模塊（包含整流、制動和逆變）,，如英飛凌最新IGBT7系列EasyPIM模塊FP25R12W2T7_B11,。

　　如下圖所示，是基于有限元熱仿真的散熱器表面溫度分布：環(huán)境溫度50℃,，散熱器表面最高溫度82.3℃,，其中每個整流二極管RD的損耗為3W，每個IGBT的損耗為10W,，每個FWD的損耗為4W,。

　　考慮到模塊內(nèi)整流部分和逆變部分的相互影響，我們可分別計算逆變（Inv）和整流（Rec）部分的Switch對應(yīng)的散熱器熱阻Rthha,，其中：

　　PIM模塊逆變部分的散熱器熱阻Rthha（Inv）=（82.3℃-50℃）/（10W+4W）=2.30K/W

　　PS：如果按散熱器總熱阻X6去折算逆變部分的熱阻，會存在低估的情況：

　　散熱器總熱阻=（82.3℃-50℃）/（6*10W+6*4W+6*3W）=0.317K/W,，

　　即0.317*6=1.90K/W,，

　　比上述的熱阻值2.30K/W偏低約18%。

　　散熱器（總）熱阻在不同工況下的變化

　　散熱器的熱阻并非定值,，而是會隨熱源的分布變化而變化,。

　　在一些大功率三電平的應(yīng)用場合，一方面,，各個模塊之間的損耗不同,；同時，模塊間損耗差異還會隨著工況不同而變化,，因此,，需要格外關(guān)注此時散熱器總熱阻的變化情況。如下,，分別以常見白模塊和黑模塊三電平NPC1拓撲為例,，進行簡單的分析。

　　案例一

　　基于EconoDual^TM3白模塊NPC1三電平,，在某種水冷條件下,，不同工況時的散熱器總熱阻：

　　案例二

　　基于PrimePACK^TM3黑模塊NPC1三電平，在某種水冷條件下,，不同工況時的散熱器總熱阻：

　　因此,，需考慮最惡劣工況下的熱阻，或者在不同工況仿真時,，采取不同的散熱器熱阻應(yīng)對,，以獲得更準確的仿真結(jié)果。

　　綜上所述,，文章總結(jié)了在IPOSIM中Rthha參數(shù),，在兩電平和三電平應(yīng)用中的定義與設(shè)置，以及一些常見的問題,，期望對大家如何正確選取Rthha進行準確的IPOSIM仿真有所幫助,。

　　紙上得來終覺淺,，絕知此事要躬行。

　　趕緊打開IPOSIM試試吧,。