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瀾起科技:DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

2021-10-29
來源:全球半導(dǎo)體觀察整理
關(guān)鍵詞: 瀾起科技 DDR5 內(nèi)存接口

10月29日,,瀾起科技宣布DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。

據(jù)介紹,該系列芯片是DDR5內(nèi)存模組的重要組件,,包括寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 (RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器(DB),、串行檢測(cè)集線器 (SPD Hub),、溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC),可為DDR5 RDIMM,、LRDIMM,、UDIMM、SODIMM等內(nèi)存模組提供整體解決方案,。

瀾起科技表示,,這次推出的DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片RCD/DB,支持的最高速率達(dá)4800Mbps,,是 DDR4最高速率的1.5倍,;接口電壓低至1.1V,能耗更低,;采用創(chuàng)新的信號(hào)校準(zhǔn)協(xié)議及均衡技術(shù),,大幅提高了內(nèi)存信號(hào)完整性。

據(jù)悉,,與DDR4內(nèi)存模組相比,,DDR5內(nèi)存模組在架構(gòu)上進(jìn)行了革新,除配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外,,還需要搭配其它專用配套芯片,。瀾起科技首次推出的DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub這三款配套芯片,,可為DDR5內(nèi)存模組提供多通道電源及管理,、多點(diǎn)溫度檢測(cè)、I3C串行總線及路由等輔助功能,。




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