《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 模擬設(shè)計(jì) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 2021年度蘇州重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新擬立項(xiàng)項(xiàng)目公示:涉及第三代半導(dǎo)體等

2021年度蘇州重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新擬立項(xiàng)項(xiàng)目公示:涉及第三代半導(dǎo)體等

2021-11-05
來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察整理
關(guān)鍵詞: 第三代 半導(dǎo)體

近日,,蘇州市科學(xué)技術(shù)局公示2021年度蘇州市重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新擬立項(xiàng)項(xiàng)目,,公示期為2021年11月1日至11月7日,,為期7天,。

1111111111.png

圖片來(lái)源:蘇州市科學(xué)技術(shù)局官網(wǎng)截圖

據(jù)了解,公示的項(xiàng)目有前瞻性應(yīng)用基礎(chǔ)研究擬立項(xiàng)項(xiàng)目及關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)擬立項(xiàng)項(xiàng)目,,其中有不少關(guān)于半導(dǎo)體領(lǐng)域的項(xiàng)目,。

前瞻性應(yīng)用基礎(chǔ)研究擬立項(xiàng)項(xiàng)目中,包括由山東大學(xué)蘇州研究院為承擔(dān)單位的基于第三代半導(dǎo)體材料的芯片封裝集成散熱技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目,、由西交利物浦大學(xué)為承擔(dān)單位的高可靠性高功率硅基氮化鎵MIS-HEMTs功率器件研發(fā)項(xiàng)目等,。

22222222.png

圖片來(lái)源:蘇州市科學(xué)技術(shù)局公示資料部分整理

關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)擬立項(xiàng)項(xiàng)目中,,包括由蘇州銅寶銳新材料有限公司為承擔(dān)單位的面向高功率芯片高熱流密度散熱材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,、由蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司為承擔(dān)單位的第三代超級(jí)結(jié)功率器件研發(fā),、由蘇州高泰電子技術(shù)股份有限公司為承擔(dān)單位的第三代半導(dǎo)體晶圓高端制程膠帶的研發(fā)、由蘇州博洋化學(xué)股份有限公司為承擔(dān)單位的面向12英寸晶圓制造的半導(dǎo)體級(jí)超凈高純異丙醇的研發(fā)等,。

333333333333.png

圖片來(lái)源:蘇州市科學(xué)技術(shù)局公示資料部分整理


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected]