《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > EDA與制造 > 業(yè)界動態(tài) > 存儲器價格下跌,明年DRAM產業(yè)將供過于求?

存儲器價格下跌,,明年DRAM產業(yè)將供過于求,?

2021-11-06
來源:半導體行業(yè)觀察
關鍵詞: 存儲器

  據外媒消息稱,自今年年初以來,,一直在上漲的DRAM存儲器的交易價格僅在10月份就下跌了近10%,。

  這一點在市場研究機構TrendForce的數(shù)據上也能看到印證:10月份PC用DRAM通用產品(DDR4 8GB)成交價為3.71美元,環(huán)比降價0.39美元,,比上一季度下降9.51%,,這一跌幅達到自2019年7月以來的最高跌幅,當時價格暴跌一度至11.18%,。DRAM自今年1月份起一直保持價格上升趨勢,,此次是全年首次降價。

  據其最新研究數(shù)據顯示,,2022年的DRAM供給位元成長率約18.6%,,然而由于目前買方庫存水位已偏高,加上2022年需求位元成長率僅17.1%,,明年DRAM產業(yè)將由供不應求轉至供過于求,。盡管DRAM價格將因供過于求而出現(xiàn)下滑,但在寡占市場型態(tài)下,,整體產值并不會大幅下跌,,預估2022年的DRAM總產值將達915.4億美元,年增微幅上升0.3%,。

  微信圖片_20211106110901.jpg

  2019-2022年DRAM產值與年增長率(單位:百萬美元)

  從DRAM方面的資本支出來看,,近年來其整體資本支出對營收占比逐漸升高,主要有兩大原因:

 ?。?)由于DRAM的制程微縮已經逐漸面臨物理極限,,在20nm制程以后,除了美光(Micron)1α nm仍造就有近30%的單晶圓位元成長外,,其他從1Xnm轉至1Ynm,、或者1Ynm轉至1Znm制程,,成長已經收斂至15%以內。2022年三星(Samsung)與SK海力士(SK hynix)的最先進制程將正式導入關鍵機臺EUV,,而該機臺的生產交期長且造價高昂,,使得三大原廠紛紛提前提撥大筆的資本支出,以因應EUV的前置訂單,。

 ?。?)由于DRAM已形成寡占市場型態(tài),即便偶爾出現(xiàn)均價下跌周期,,也因為供應商的生產秩序形成,,銷售均價難以跌破總生產成本,故DRAM原廠能夠逐漸累積來自該產品的生產獲利,。由于制程轉進不易,,除三大原廠以外,市占較小的南亞科(Nanya Tech),、華邦(Winbond)等廠商皆有實際擴產計劃,,成為DRAM 市場CAPEX to sales ratio持續(xù)升高的另一大原因。

  2021年,,芯片產能緊缺席卷全球,,半導體產業(yè)迎來結構性轉變,存儲行業(yè)亦面臨著巨大的挑戰(zhàn),。面對發(fā)展良機與各種不確定性因素,,三星和SK海力士等國外存儲大廠紛紛展開動作。

  據報道,,因DRAM價格下行,,雖然對存儲后市表示看好,但三星和SK海力士也在針對庫存進行調整,。據悉,,三星和SK海力士將啟動出貨控制計劃,控制其DRAM供應量,。此舉將于今年第四季度正式啟動,,同時兩家公司都在計劃增加晶圓代工產能。

  對于未來市場走勢,,以明年各季度的供過于求比例作為預測基礎,,TrendForce預計 DRAM 平均銷售單價將年減 15%,價格下滑幅度在上半年較為明顯,。此外,,報告預計明年下半年起,受益于 DDR5 的滲透率提升與旺季需求效應帶動,,DRAM 均價跌幅將收斂,,不排除有持平或漲價的可能性,。

  三星電子計劃,為應對內存不確定性,,通過14納米DRAM,、第7代176層NAND Flash生產線,進一步提高半導體成本競爭力,。

  三星電子最近投入量產的業(yè)界最小線寬14納米DRAM,,共5個層應用了EUV(極外線)工藝,實現(xiàn)了業(yè)界領先的晶圓密度,。一片晶圓的DRAM數(shù)量比前幾代增加約20%,,大大降低了晶圓成本。

  SK海力士也表示:“短期內DRAM市場的不確定性很高,。” 并推進了以收益性為中心的經營,,而不是通過規(guī)模經濟進行占有率競爭,。




電子技術圖片.png

本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,,并不代表本網站贊同其觀點,。轉載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容,、版權和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,,避免給雙方造成不必要的經濟損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。