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新潔能擬定增募資不超14.5億 用于第三代半導體功率器件等項目

2021-11-13
來源:全球半導體觀察整理
關(guān)鍵詞: 新潔能 第三代 半導體

11月11日晚間,,無錫新潔能股份有限公司(以下簡稱“新潔能”)發(fā)布公告,,擬定增募資不超過14.5億元,用于第三代半導體SiC/GaN功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,、功率驅(qū)動IC及智能功率模塊(IPM)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊(含車規(guī)級)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,、補充流動資金,。

第三代半導體SiC/GaN具有禁帶寬度大,、擊穿電場強度高,、電子遷移率高,、熱導電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強等特點,,具有強大的功率處理能力,、較高的開關(guān)頻率、更高的電壓驅(qū)動能力,、更小的尺寸,、更高的效率和更高速的散熱能力,,可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫高頻,、高功率,、高輻射等惡劣環(huán)境條件的要求,。

新潔能表示,通過本募投項目的實施,,有助于公司順應半導體功率器件行業(yè)發(fā)展趨勢,,提前布局SiC/GaN寬禁帶半導體功率器件產(chǎn)品,,實現(xiàn)公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級,從而進一步強化公司在半導體功率器件高端應用市場的核心競爭力,。

此外,,該公司寬禁帶半導體功率器件的性能已得到國內(nèi)外的公認,,相關(guān)的襯底生產(chǎn)工藝、外延工藝,、器件制備工藝等也逐步成熟。半導體功率器件部分下游行業(yè)需求逐漸由硅基向SiC/GaN等寬禁帶半導體功率器件轉(zhuǎn)變,,尤其以新能源汽車,、充電樁、光伏逆變,、5G通訊、激光電源,、服務(wù)器和消費電子快充等高端新興行業(yè)成為SiC/GaN產(chǎn)品規(guī)模擴張的主要動力。

新潔能2021三季報顯示,公司主營收入10.99億元,,同比上升65.05%;歸母凈利潤3.11億元,,同比上升207.83%;扣非凈利潤3.05億元,,同比上升210.13%;其中2021年第三季度,,公司單季度主營收入4.22億元,同比上升49.84%,;單季度歸母凈利潤1.36億元,同比上升198.78%,;單季度扣非凈利潤1.35億元,同比上升198.57%,。

據(jù)公開資料顯示,新潔能成立于2013年,,于2020年9月在上海證券交易所掛牌交易,。新潔能主要從事半導體功率器件的研發(fā)與銷售,主要采取了Fabless的經(jīng)營模式,。目前,,公司產(chǎn)品憑借低損耗、高可靠性品質(zhì),,已成功進入汽車電子,、電機驅(qū)動、家用電器,、消費電子,、LED照明、電動車,、安防,、網(wǎng)絡(luò)通信等市場領(lǐng)域,獲得國內(nèi)外知名公司的認證,。




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