功率半導(dǎo)體器件又稱電力電子器件，是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電路控制的核心器件,，主要用于變頻、整流,、變壓、功率縮放,、功率調(diào)節(jié)等場(chǎng)景,。功率半導(dǎo)體具有不同功率和頻率類型，以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求,，已廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子,、通訊、汽車,、軌道交通,、發(fā)電配電、工業(yè)控制等領(lǐng)域,，是電氣化產(chǎn)品的核心零部件。

　　經(jīng)過(guò)一百多年的發(fā)展,，功率半導(dǎo)體的種類不斷豐富,，SiC 及 GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體（第三代功率半導(dǎo)體）是未來(lái)的發(fā)展方向。從 1904 年電子管問(wèn)世以來(lái),，功率半導(dǎo)體經(jīng)歷了水銀整流器時(shí)代,、晶閘管時(shí)代、晶閘管及 MOSFET 時(shí)代,、Si-IGBT 時(shí)代,，并逐漸進(jìn)入了寬禁帶半導(dǎo)體時(shí)代。自 2001 年以來(lái),，SiC二極管,、SiC-BJT、SiC-MOSFET 及 GaN-HEMT 等寬禁帶的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開(kāi)發(fā)成功并量產(chǎn),。第三代半導(dǎo)體功率產(chǎn)品的主要特點(diǎn)是禁帶寬度大,、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高,、抗輻射能力強(qiáng),、發(fā)光效率高、頻率高,，可廣泛用于通訊,、汽車、航空航天等高功率領(lǐng)域,，前景廣闊,。

　　隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,，產(chǎn)品種類不斷豐富的同時(shí)也逐漸體系化，按照不同的分類標(biāo)準(zhǔn),，可分為多種產(chǎn)品類別,。按開(kāi)通及關(guān)斷是否受器件端控制，功率半導(dǎo)體可分為不可控型,、半可控型和全可控型三類,；按驅(qū)動(dòng)類型，功率半導(dǎo)體可分為電流,、電壓和光驅(qū)動(dòng)三類,；按是否集成電路分類，功率半導(dǎo)體可以分為分立器件,、功率模組和功率 IC,。不同種類的產(chǎn)品具有不同的性能參數(shù)，對(duì)應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景和領(lǐng)域,。

　　// 1.1 汽車行業(yè)是功率半導(dǎo)體的最大應(yīng)用領(lǐng)域

　　汽車行業(yè)是功率半導(dǎo)體的最大應(yīng)用領(lǐng)域,，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額達(dá)27%。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品功率范圍從 500W 以下到 1KW 以上均有覆蓋,，開(kāi)關(guān)頻率最高達(dá) 10萬(wàn) Hz 以上,，產(chǎn)品應(yīng)用分布于電網(wǎng)、風(fēng)能,、軌道交通,、家電、汽車,、太陽(yáng)能,、工業(yè)等眾多領(lǐng)域。2019 年,，汽車行業(yè)是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體應(yīng)用最多的領(lǐng)域,，市場(chǎng)占比達(dá) 27%，其次是消費(fèi)電子,，市場(chǎng)份額達(dá)到 23%,。

　　功率半導(dǎo)體是汽車電力系統(tǒng)的核心部件，廣泛應(yīng)用于汽車的各個(gè)系統(tǒng),。功率半導(dǎo)體的主要功能為直流轉(zhuǎn)交流（逆變）,、交流轉(zhuǎn)直流（整流）、變頻,、變相等,，與電能轉(zhuǎn)換有關(guān)的系統(tǒng)都離不開(kāi)功率半導(dǎo)體的參與，在汽車的動(dòng)力、車身,、底盤(pán),、網(wǎng)絡(luò)、安全和娛樂(lè)等系統(tǒng)均有分布,。隨著電動(dòng)化,、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的不斷推進(jìn),，汽車中與電力相關(guān)的設(shè)備將不斷增加,，與之相應(yīng)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的用量也將持續(xù)上漲。

　　// 1.2 政策支持推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代,，電動(dòng)化拉動(dòng)需求增長(zhǎng)

　　1.2.1  政策法規(guī)推動(dòng)功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

　　國(guó)家大力支持高端汽車功率半導(dǎo)體行業(yè),，通過(guò)政策法規(guī)加快國(guó)產(chǎn)替代。為保證國(guó)內(nèi)汽車功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的安全,，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵部件的自主可控,，推動(dòng)高端汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)替代，近年來(lái)國(guó)家在汽車功率半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域陸續(xù)出臺(tái)了一系列政策法規(guī),，鼓勵(lì)新一代汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā),、制造及測(cè)試，支持加大對(duì)汽車功率半導(dǎo)體重點(diǎn)項(xiàng)目的投入,。

　　1.2.2 功率半導(dǎo)體是汽車電動(dòng)化的剛需,，單車價(jià)值量不斷提升

　　能源結(jié)構(gòu)優(yōu)化勢(shì)在必行，化石燃料的消耗量將逐漸減少,，國(guó)內(nèi)交通的電氣化程度將不斷提升。據(jù)國(guó)家發(fā)改委《中國(guó)可再生能源展望 2019》預(yù)測(cè),，化石能源消耗量占比將從 2020 年的 86%降低至 2050 年的 35%,，其中，原油消耗量占比將從 2020 年的 20%下降至 2050 年的 7%,，而清潔能源將是未來(lái)的主流能源,。與化石燃料消耗量遞減相對(duì)的是國(guó)內(nèi)交通電氣化程度將不斷提高，自 2018 年到 2035 年,，電氣化程度將從 2%至少提升至 12%,，2050 年的電氣化程度將超過(guò) 30%。

　　作為交通電氣化的重要組成部分,，汽車電動(dòng)化是未來(lái)發(fā)展趨勢(shì),，與電動(dòng)化密切相關(guān)的功率半導(dǎo)體的需求將大幅提升。英飛凌數(shù)據(jù)顯示,，純電動(dòng)汽車半導(dǎo)體價(jià)值為 750 美元,，相對(duì)于燃油車的 447 美元，半導(dǎo)體整體價(jià)值量提升了 68%,。同時(shí),，傳統(tǒng)燃油車中功率半導(dǎo)體價(jià)值量占整車半導(dǎo)體價(jià)值量的 21%,，而純電動(dòng)車中功率半導(dǎo)體價(jià)值量占整車半導(dǎo)體價(jià)值量的比例高達(dá) 55%，增幅達(dá)到 34%,。

　　電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)電能轉(zhuǎn)換要求高,，功率半導(dǎo)體是不可或缺的組成部分。電動(dòng)汽車電力電源系統(tǒng)較為復(fù)雜,，動(dòng)力系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)需要頻繁進(jìn)行電壓和電流的轉(zhuǎn)換,，加之電動(dòng)汽車對(duì)電能管理需求更加精細(xì)化，需要大量的DC-DC,、DC-AC 逆變器,、變壓器、換流器等功率半導(dǎo)體器件,。如驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)需要逆變器 DC-AC,，用來(lái)將電池包中 12V 的直流電轉(zhuǎn)換為 220V 的交流電以驅(qū)動(dòng)電機(jī)。

　　IGBT 在電動(dòng)汽車中的需求量較大,，約占整車總成本的 6%~10%,。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本占電動(dòng)汽車整車成本的 15%-20%,，其中,，IGBT占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的 40%-50%，即約占整車總成本的 6%-10%左右,。以特斯拉為例,，其三相交流異步電機(jī)共使用了 96 個(gè) IGBT，而單個(gè) IGBT 的價(jià)格在 4~5 美元,，單車僅電機(jī)用 IGBT 的價(jià)值就達(dá)到 384~480 美元,。

　　// 1.3  受益于電動(dòng)化進(jìn)程的推進(jìn)，國(guó)內(nèi)汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求持續(xù)上漲

　　隨著國(guó)內(nèi)混動(dòng)汽車和純電動(dòng)車滲透率的不斷提升,，對(duì)汽車功率半導(dǎo)體的需求旺盛,，2025 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 250 億元。參照《汽車半導(dǎo)體系列報(bào)告（一）：國(guó)產(chǎn)替代優(yōu)化存量市場(chǎng),，電動(dòng)化與智能化拉動(dòng)增量需求》中的測(cè)算方法,，傳統(tǒng)汽車的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模維持在 85 億元左右；混動(dòng)汽車銷量較小,，預(yù)計(jì)2025 年將突破 10 億元,；純電動(dòng)車銷量快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì) 2025 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)155 億元,，占汽車功率半導(dǎo)體的比例高達(dá) 62%,。隨著電動(dòng)化進(jìn)程的深入，國(guó)內(nèi)汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大。

　　2.MOSFET 和 IGBT 市場(chǎng)需求旺盛,，技術(shù)突破助力國(guó)產(chǎn)替代

　　功率半導(dǎo)體種類繁多,，汽車中用量最大的功率半導(dǎo)體器件是 IGBT、MOSFET 和功率 IC 等,。汽車功率半導(dǎo)體主要分布在動(dòng)力,、車身、驅(qū)動(dòng)等核心系統(tǒng),，涉及到引擎控制,、車燈控制、電機(jī)控制,、變速箱控制,、制動(dòng)控制、轉(zhuǎn)型控制等功能,。功率 IC 主要為包括 IGBT/MOSFET 的模組,，可以看出 IGBT和 MOSFET 分立器件是汽車半導(dǎo)體的關(guān)鍵，鑒于此,，下文主要對(duì) IGBT 和MOSFET 進(jìn)行重點(diǎn)論述,。

　　依據(jù)上下游關(guān)系，功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈可分為三個(gè)部分：

　?。?）上游主要為半導(dǎo)體材料及半導(dǎo)體設(shè)備廠商,；

　　（2）中游主要為功率器件的設(shè)計(jì),、生產(chǎn),、封裝、測(cè)試等加工制造過(guò)程,，最終得到功率分立器件,、功率 IC 和功率模組三類產(chǎn)品。

　?。?）下游主要為消費(fèi)電子、工業(yè)控制,、通訊設(shè)備,、航空航天、汽車電子,、光伏風(fēng)電等應(yīng)用領(lǐng)域,。

　　// 2.1 電動(dòng)化助推 MOSFET 市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品滲透率穩(wěn)步提升

　　2.1.1 功率半導(dǎo)體是汽車電動(dòng)化的剛需,，單車價(jià)值量不斷提升

　　MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）,，全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,，一般也簡(jiǎn)稱為 MOS 管,，是一種重要的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品?；诠ぷ鬏d流子的不同極性,，MOSFET 通常分為 N 型與 P 型兩種類型，即NMOSFET 與 PMOSFET,，也簡(jiǎn)稱為 NMOS,、PMOS 等。

　　MOSFET 通常由源極（S）,、柵極（G）和漏極（D）組成,，而 VGS 為源極與柵極之間的電壓。以 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 為例,，當(dāng) VGS 增加時(shí),，將吸引更多的 P 襯底表面層電子；當(dāng) VGS 達(dá)到某一數(shù)值時(shí),，電子在柵極附近的 P 襯底表面形成連接兩個(gè) N+區(qū)的 N 型薄層,，即 N 型溝道；VGS 越大,，吸引到 P襯底表面的電子就越多,，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小,。

　　基于載流子種類和摻雜方式的不同,，MOSFET 形成了多種類型結(jié)構(gòu)，其中,，N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 是應(yīng)用最廣泛的結(jié)構(gòu),。依據(jù)載流子種類的不同，可將 MOSFET 分為 P 溝道和 N 溝道兩種類型,；依據(jù)摻雜方式的不同,，可分為增強(qiáng)型和耗盡型；結(jié)合載流子種類和摻雜方式,，MOSFET 主要分為 P 溝道增強(qiáng)型,、P 溝道耗盡型、N 溝道增強(qiáng)型,、N 溝道耗盡型等四個(gè)大類,。由于高頻率低功耗是 MOSFET 的發(fā)展方向，故高功率的 N 溝道和低成本的增強(qiáng)型MOSFET 是行業(yè)主流結(jié)構(gòu),。

　　2.1.2 第三代半導(dǎo)體基 MOSFET 將搶占高壓場(chǎng)景市場(chǎng)份額

　　MOSFET 在汽車上的應(yīng)用廣泛,，電動(dòng)汽車進(jìn)一步拉動(dòng)市場(chǎng)需求,。在傳統(tǒng)燃油車上，MOSFET 主要應(yīng)用于汽車車門控制,、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向裝置,、冷卻風(fēng)扇、風(fēng)擋雨刮,、電動(dòng)后備箱,、前照燈、水泵,、踏板等系統(tǒng),；在電動(dòng)汽車上，除了傳統(tǒng)的應(yīng)用外,，又將應(yīng)用范圍擴(kuò)展到車載充電,、電池管理、主驅(qū)動(dòng),、DC-DC,、高壓負(fù)載等系統(tǒng)?？梢?jiàn),，電動(dòng)化增加了汽車市場(chǎng)對(duì) MOSFET 的需求，隨著電動(dòng)化的不斷深入,，MOSFET 行業(yè)有望開(kāi)啟新一輪的快速增長(zhǎng),。

　　硅基 MOSFET 耐壓性較低的缺點(diǎn)，限定其主要應(yīng)用于 DC/DC,、低電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng),、OBC 等低壓高頻模塊。目前,，硅基 MOSFET 的電動(dòng)化應(yīng)用主要有：?jiǎn)⑼＜夹g(shù)汽車中,，功率在 1.5-10kW（平均 3.5kW）的啟動(dòng)/停止模塊；輕混電動(dòng)車,、強(qiáng)混電動(dòng)車,、插電式混合動(dòng)力汽車、純電動(dòng)車中,，功率在 1.5-30kW（平均 2.25kW）的 DC-DC 模塊,；輕混電動(dòng)車中，功率在 5-20kW（平均 15kW）的主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,；插電式混合動(dòng)力汽車、純電動(dòng)車中,，功率在 3-6kW 的 OBC（充電+逆變）模塊,。

　　以第三代半導(dǎo)體為基材的 MOSFET 克服了硅基 MOSFET 耐壓性差,、損耗大的缺點(diǎn)，將搶占高壓場(chǎng)景的應(yīng)用市場(chǎng),。車規(guī)級(jí)產(chǎn)品屬于高端產(chǎn)品,，特別是用于主驅(qū)電機(jī)等高電壓系統(tǒng)的產(chǎn)品，產(chǎn)品要求更高,。目前汽車高電壓系統(tǒng)應(yīng)用的功率器件主要是 IGBT,，但是 IGBT 的開(kāi)關(guān)頻率相對(duì) MOSFET 較低，第三代半導(dǎo)體基 MOSFET 兼具硅基 MOSFET 的高頻性和 IGBT 的耐高壓優(yōu)點(diǎn),。隨著 SiC,、GaN 等第三代半導(dǎo)體基 MOSFET 的成熟及量產(chǎn)，GaN 及 SiC將滲透部分 Super Junction MOSFET,、Trench MOSFET,、IGBT 市場(chǎng)，SiC 或GaN-MOSFET 將占據(jù)更大的高壓汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng),。

　　2.1.3 新能源汽車 MOSFET 市場(chǎng)需求增長(zhǎng)較快,，國(guó)內(nèi)廠商亟待突破

　　2022 年全球汽車 MOSFET 市場(chǎng)規(guī)模將突破百億元，其中,，新能源汽車市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速,。資料顯示，2022 年全球汽車 MOSFET 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 116 億元,，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 5%;根據(jù) Yole 預(yù)測(cè),，2024 年全球新能源汽車 MOSFET 模塊市場(chǎng)規(guī)模將從 2018 年的 0.5 億美元增長(zhǎng)到 2.41 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 30%,，表現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)性,。隨著各國(guó)電動(dòng)化戰(zhàn)略的推進(jìn)，新能源汽車市場(chǎng)的MOSFET 將迎來(lái)井噴式增長(zhǎng),。

　　國(guó)外頭部廠商占據(jù)全球 MOSFET 市場(chǎng) 81.2%的份額,，國(guó)內(nèi)廠商的市場(chǎng)份額較小。2019 年全球 MOSFET 市場(chǎng)占有率前三位的廠商分別是英飛凌（24.6%）,、安森美（12.8%）,、意法半導(dǎo)體（9.5%），CR3 達(dá) 46.9%;其中,，國(guó)內(nèi)廠商安世半導(dǎo)體（聞泰科技收購(gòu)）排名第九（占 4.1%市場(chǎng)份額）,，華潤(rùn)微市占率進(jìn)入前十（占 3.0%市場(chǎng)份額）。由此可見(jiàn),，國(guó)內(nèi)廠商必須提高自身的技術(shù)實(shí)力,，提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。（詳情請(qǐng)參考《汽車半導(dǎo)體系列報(bào)告（一）：國(guó)產(chǎn)替代優(yōu)化存量市場(chǎng),，電動(dòng)化與智能化拉動(dòng)增量需求》）

　　// 2.2 高壓場(chǎng)景凸顯 IGBT 性能優(yōu)勢(shì),，本土企業(yè)實(shí)現(xiàn)突破

　　2.2.1 小型化和低功耗是 IGBT 技術(shù)的發(fā)展方向

　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）,，全稱絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙極型三極管）和 MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）復(fù)合而成的全控型電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體,，兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。主要應(yīng)用于直流電壓為 600V 及以上的高壓變流系統(tǒng)，如交流電機(jī),、電源管理,、照明電路、牽引傳動(dòng),、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域,。

　　IGBT 是通過(guò) VGS 形成的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制開(kāi)關(guān)的耐高壓電子元器件。IGBT 和 MOSFET 結(jié)構(gòu)十分接近,，近似為 MOSFET 背面增加 N+和 P+層（“+” 意味著更高的自由電子或者空穴密度）,，從而增加了載流能力和抗壓能力。當(dāng) VGS 增加時(shí),，吸引更多漂移區(qū)表面層電子,，電子在柵極附近的 P 層表面形成連接 N+和 N 區(qū)的 N 型薄層，IGBT 處于導(dǎo)通狀態(tài),，相反則處于關(guān)閉狀態(tài),。

　　IGBT 技術(shù)已迭代至第五代，技術(shù)進(jìn)步主要圍繞小型化及低損耗,。自 20世紀(jì)八十年代起,，IGBT 已先后經(jīng)歷了 PT、NPT,、FS,、Trench-FS、MPT 等五代技術(shù),。近年來(lái),，IGBT 產(chǎn)品種類不斷豐富的同時(shí)，通過(guò) FS,、微溝道等技術(shù),，IGBT 產(chǎn)品體積逐步縮小，重量不斷減少,；與此同時(shí),，隨著 TC、FS,、溝槽柵,、微溝道等技術(shù)的逐步應(yīng)用，相同電壓下 IGBT 器件的損耗逐步降低,，可有效滿足目前電動(dòng)汽車及高壓電網(wǎng)使用需求,。

　　2.2.2 IGBT 多用于高壓場(chǎng)景,，決定能量釋放速度和轉(zhuǎn)化效率

　　IGBT 主要分布于汽車電力管理、驅(qū)動(dòng)及控制等高壓高功率系統(tǒng),。IGBT主要分為 IGBT 分立器件和 IGBT 模塊兩種形式，分立器件及模塊耐壓大部分在 600V 以上,。由于其良好的耐壓性能,，IGBT 主要用于汽車中需要承受較高電壓和功率的系統(tǒng)（平均功率均高于 15kW，大部分用于 25kW 以上）,。IGBT主要分布于汽車主驅(qū)動(dòng),、高壓負(fù)載、車載充電,、轉(zhuǎn)向助力等系統(tǒng)中,，承擔(dān)交直流電的轉(zhuǎn)換、高低壓電的轉(zhuǎn)換等功能,。

　　不同動(dòng)力的汽車中,，應(yīng)用 IGBT 的系統(tǒng)不同。主要應(yīng)用系統(tǒng)有：強(qiáng)混電動(dòng)車,、插電式混合動(dòng)力車,、純電動(dòng)車中，功率在 20kW-150kW（平均 70kW）的發(fā)電機(jī)系統(tǒng),、功率在 20kW-40kW（平均 30kW）的主電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),；輕混電動(dòng)車中，功率在 5-20kW（平均 15kW）的主電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),；插電式混合動(dòng)力車,、純電動(dòng)車中，功率在 10-40kW（平均 25kW）的 OBC（充電+逆變）系統(tǒng)等,。

　　IGBT 的性能是決定整車能量釋放速度和轉(zhuǎn)化效率的關(guān)鍵因素,。BJT 具有飽和壓降低、載流密度大的優(yōu)勢(shì),，但其驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET 的驅(qū)動(dòng)功率很小、開(kāi)關(guān)速度快,，但其具有飽和壓降大,、載流密度小的缺點(diǎn)。IGBT 是由BJT 和 MOS 復(fù)合而成,，這也使其兼具兩者驅(qū)動(dòng)功率小,、飽和壓降低的優(yōu)點(diǎn)。IGBT 的主要作用是交流直流轉(zhuǎn)換,、高低壓轉(zhuǎn)換,，可以使電機(jī)瞬間爆發(fā)巨大能量和瞬間減少輸出,，還可以根據(jù)用電需求對(duì)電機(jī)進(jìn)行變頻調(diào)速，提高能量轉(zhuǎn)化效率,，是電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)最核心的元件,。

　　2.2.3 國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí) IGBT 市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，本土企業(yè)發(fā)展勢(shì)頭良好

　　國(guó)內(nèi)汽車 IGBT 市場(chǎng)規(guī)?？焖贁U(kuò)張,，且擴(kuò)張速度連續(xù)多年遠(yuǎn)高于汽車總銷量增速。Trendforce 數(shù)據(jù)顯示,，到 2025 年,，國(guó)內(nèi)汽車 IGBT 的市場(chǎng)規(guī)模將從 2018 年的 48 億元快速增長(zhǎng)至 310 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá) 30.54%;市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的背后反映的是國(guó)內(nèi)電動(dòng)化程度不斷加深的現(xiàn)狀,，電動(dòng)化也是 IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力,。與此同時(shí)，汽車 IGBT 市場(chǎng)增速連續(xù) 5 年超過(guò)汽車總銷量增速,，超額增速最高達(dá)到 23.81%;IGBT 市場(chǎng)增速遠(yuǎn)高于汽車總銷量增速主要是由于單車 IGBT 價(jià)值量提升造成的,，增速差距越大，說(shuō)明單車的電氣化程度越高,。

　　國(guó)外 IGBT 產(chǎn)業(yè)成熟,、產(chǎn)品體系完整，國(guó)外頭部廠商占據(jù)全球 IGBT 市場(chǎng) 78.6%以上的份額,。由于國(guó)外起步較早,，國(guó)外廠商技術(shù)積累深厚、產(chǎn)品體系豐富,、產(chǎn)品應(yīng)用廣泛,，全面領(lǐng)先國(guó)內(nèi)廠商。Omdia 數(shù)據(jù)顯示,，2019 年全球IGBT 市場(chǎng)占有率前十的廠商中有九家是國(guó)外廠商,，且國(guó)外廠商市占率超過(guò)78.6%;國(guó)內(nèi)廠商只有斯達(dá)半導(dǎo)進(jìn)入前十，而占比僅為 2.5%,。2019 年國(guó)內(nèi)新能源汽車 IGBT 模塊市場(chǎng)占有率前十的國(guó)內(nèi)廠商有比亞迪,、斯達(dá)半導(dǎo)、中車時(shí)代三家,，且三家企業(yè)的市占率達(dá)到 37.7%,，發(fā)展勢(shì)頭良好。（詳情請(qǐng)參考《汽車半導(dǎo)體系列報(bào)告（一）：國(guó)產(chǎn)替代優(yōu)化存量市場(chǎng),，電動(dòng)化與智能化拉動(dòng)增量需求》）

　　材料,、設(shè)計(jì)、封裝、運(yùn)營(yíng)模式協(xié)同發(fā)展,，提升汽車功率器件廠商競(jìng)爭(zhēng)力

　　// 3.1  材料端：基材 SiC 化是方向,，晶圓大尺寸化是趨勢(shì)

　　3.1.1 SiC 將成為汽車功率半導(dǎo)體的重要基材

　　SiC 基材產(chǎn)品具有明顯的性能優(yōu)勢(shì)，相關(guān)產(chǎn)品已應(yīng)用于量產(chǎn)車型中,。SiC作為第三代半導(dǎo)體材料,，在擊穿場(chǎng)強(qiáng)、禁帶寬度,、電子飽和速度,、熔點(diǎn)及熱導(dǎo)率方面都有較大優(yōu)勢(shì)，同時(shí),，可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)和耐高溫高壓工作,。相比于 Si-MOSFET,，SiC-MOSFET 電壓隔離區(qū)厚度僅為其 1/10，漂移區(qū)阻值降低至原來(lái)的 1/300,。目前,，特斯拉 Model 3 車型已全部使用SiC-MOSFET 產(chǎn)品，2020 年上市的比亞迪漢也采用了相關(guān)的 SiC 產(chǎn)品,。隨著制造成本的下降,，未來(lái)將有更多車型裝配 SiC 功率器件產(chǎn)品，市場(chǎng)滲透率持續(xù)提升,。

　　全球車規(guī)級(jí) SiC 功率器件產(chǎn)業(yè)成熟度較低,，整個(gè)行業(yè)處于大規(guī)模放量前期。目前,，國(guó)內(nèi)外均未出現(xiàn)高成熟度的車規(guī)級(jí) SiC 功率器件產(chǎn)品,，意法半導(dǎo)體和科銳的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品成熟度相對(duì)較高（應(yīng)用于汽車領(lǐng)域成功率在 90%以上），其中,，意法半導(dǎo)體的相關(guān)產(chǎn)品已成功應(yīng)用于特斯拉車型上,。在技術(shù)層面，相關(guān)廠商主要采用 DMOS 和 UMOS 兩種工藝,。在市場(chǎng)層面,，由于目前SiC 器件價(jià)格為傳統(tǒng)器件的 3~5 倍，甚至達(dá)到 10 倍,，行業(yè)整體放量仍需時(shí)間,。

　　車規(guī)級(jí) SiC 功率器件將逐漸替代部分 IGBT，并成為電動(dòng)車及充電設(shè)施的關(guān)鍵功率器件,，汽車產(chǎn)業(yè)將成為 SiC 功率器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一,。相對(duì)于 IGBT，SiC-MOSFET 有以下優(yōu)點(diǎn)：可處理大功率電流且開(kāi)關(guān)速度更高；功率模塊需要集成的其它元器件更少,，可有效降低整體模塊成本,；SiC-MOSFET關(guān)斷時(shí)不會(huì)引起尾電流，開(kāi)關(guān)損耗較小,。Yole 預(yù)測(cè),，2024 年全球 SiC 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 19.3 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 29%,，其中,，汽車行業(yè)的應(yīng)用將占 49%的份額。

　　隨著電動(dòng)化進(jìn)程的不斷深入,，汽車領(lǐng)域?qū)?SiC 功率器件的需求不斷擴(kuò)大,，2025 年全球市場(chǎng)需求量達(dá) 17.78 億美元。Yole 預(yù)測(cè),，2025 年全球電動(dòng)汽車用SiC 功率器件（包括主逆變器,、OBC、DC/DC）的市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 15.53 億美元,，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 38%;充電樁用 SiC 功率器件的市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 2.25 億美元,，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 90%。電動(dòng)化浪潮將持續(xù)推高市場(chǎng)對(duì) SiC 功率器件的需求,。

　　3.1.2 8 英寸晶圓是功率器件的主力,，部分廠商布局 12 英寸

　　全球 8 英寸晶圓產(chǎn)能增長(zhǎng)趨緩，12 英寸晶圓產(chǎn)能增長(zhǎng)迅速,。從 2017 年到2022 年,，全球 8 英寸晶圓每月的產(chǎn)能增長(zhǎng)率為 11%，但 2020 年之后 8 英寸晶圓廠數(shù)量已呈下降趨勢(shì),。盡管 MEMS 芯片,、功率半導(dǎo)體、邏輯芯片等市場(chǎng)需求依然強(qiáng)烈,，但 8 英寸晶圓所需設(shè)備市場(chǎng)供給有限,，限制了產(chǎn)能釋放。在 12英寸晶圓方面,，全球晶圓廠的數(shù)量將從 2019 年的 123 家快速增長(zhǎng)至 2024 年的 161 家,；與此同時(shí)，每月產(chǎn)能也將增加約 180 萬(wàn)片,，到 2024 年,，每月總產(chǎn)能將突破 700 萬(wàn)片，增長(zhǎng)率高達(dá) 33%,。

　　中高端功率器件主要采用 8 英寸晶圓,，部分高端產(chǎn)品開(kāi)始使用 12 英寸晶圓,。數(shù)據(jù)顯示，MOSFET 及分立器件用 8 英寸晶圓份額已占 8 英寸晶圓全部產(chǎn)能的 40%,，是 8 英寸晶圓最重要的應(yīng)用領(lǐng)域之一,。目前，晶閘管（TVS,、TSS,、可編程過(guò)壓保護(hù)集成電路等）和二極管（高阻斷電壓二極管、低壓降二極管,、整流橋等）主要使用 4 英寸生產(chǎn)線,；高端肖特基二極管和高壓 MOSFET主要使用 6 英寸生產(chǎn)線；IGBT,、溝槽 MOSFET 和超結(jié) MOSFET 等多使用 8英寸生產(chǎn)線,；少部分高端 IGBT 已開(kāi)始使用 12 英寸生產(chǎn)線。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)品多采用 8 英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn),，行業(yè)產(chǎn)能緊缺擠占汽車半導(dǎo)體產(chǎn)能份額,，短期難以緩解的現(xiàn)狀倒逼汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)勝劣汰加劇。通常情況下,，新建晶圓廠的建設(shè)周期至少需要 2 年，樂(lè)觀估計(jì)目前的緊缺行情至少將延續(xù)至明年初,；若需求持續(xù)上升,，緊缺行情將持續(xù)更長(zhǎng)時(shí)間。在芯片長(zhǎng)期緊缺的背景下,，眾多技術(shù)及資源實(shí)力較弱的中小型芯片設(shè)計(jì)企業(yè)將面臨缺乏代工產(chǎn)能的困境,，大部分芯片設(shè)計(jì)公司將面臨兼并重組的風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí),，芯片生產(chǎn)成本的提高,，將淘汰生產(chǎn)管理粗放、制造技術(shù)落后的部分廠商,，優(yōu)質(zhì)廠商優(yōu)勢(shì)凸顯,。

　　// 3.2  設(shè)計(jì)端：小型化設(shè)計(jì)是功率器件的發(fā)展方向

　　功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司的工作內(nèi)容包括從結(jié)構(gòu)版圖到生產(chǎn)工藝、封裝測(cè)試等的全流程設(shè)計(jì),。傳統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)公司的主要工作內(nèi)容是單純的結(jié)構(gòu)版圖設(shè)計(jì),，不涉及后端生產(chǎn)、封測(cè)等工藝層面的內(nèi)容,；而功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司的設(shè)計(jì)內(nèi)容包括從器件版圖設(shè)計(jì)到制造設(shè)計(jì),、封裝設(shè)計(jì)和測(cè)試設(shè)計(jì)，即既包括器件結(jié)構(gòu)版圖的設(shè)計(jì),，又包括生產(chǎn)工藝及流片方案,、質(zhì)量控制、封裝工藝及控制規(guī)范、測(cè)試方案及規(guī)范等全流程的設(shè)計(jì),。全流程的設(shè)計(jì)正是功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司與傳統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)公司的最大區(qū)別,，對(duì)設(shè)計(jì)人才能力的要求更加全面。

　　具有全流程設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)的人才是功率器件廠商的核心競(jìng)爭(zhēng)力,。功率半導(dǎo)體的研發(fā)涉及微電子,、材料學(xué)、物理學(xué),、機(jī)械,、熱力學(xué)等學(xué)科，對(duì)相關(guān)人才的多學(xué)科融合能力要求高,；由于功率半導(dǎo)體的整體性能與產(chǎn)品設(shè)計(jì),、生產(chǎn)、封測(cè)等環(huán)節(jié)均有密切關(guān)系,，這就要求研發(fā)設(shè)計(jì)人員不僅具有較強(qiáng)的設(shè)計(jì)能力,，還要對(duì)生產(chǎn)和封測(cè)等工藝有全方位的理解和掌握；同時(shí),，不同應(yīng)用場(chǎng)景的產(chǎn)品在性能參數(shù)等方面存在較大差異,，供應(yīng)商需要具備定制化開(kāi)發(fā)的能力，需要具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),。由于核心技術(shù)長(zhǎng)期被歐美等國(guó)際巨頭壟斷,，目前國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域內(nèi)，既懂設(shè)計(jì)又懂工藝,，且實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)豐富的高素質(zhì)人才短缺,。

　　功率器件的仿真優(yōu)化是功率器件設(shè)計(jì)的重要難點(diǎn)之一。由于功率器件產(chǎn)品對(duì)電流,、電壓,、頻率、抗沖擊能力,、導(dǎo)通損耗等參數(shù)有較高的要求,，而參數(shù)的設(shè)計(jì)需要經(jīng)過(guò)大量的仿真和優(yōu)化；功率器件的材料物理特性是功率器件性能的根本條件,，穩(wěn)定的材料屬性及材料之間的影響是分析器件作用效果的前提,，因此，功率器件設(shè)計(jì)人員需要具備足夠的材料基礎(chǔ)知識(shí)及生產(chǎn)工藝基礎(chǔ),，并結(jié)合實(shí)驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù),，針對(duì)性地將特定材料參數(shù)賦值到相對(duì)應(yīng)的器件物理模型中，才能展開(kāi)真實(shí)可靠的仿真計(jì)算,。

　　小型化是功率半導(dǎo)體未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),。為提高功率器件單位效率,、提升電子產(chǎn)品相關(guān)性能、降低生產(chǎn)成本,，功率器件小型化是必然趨勢(shì),。功率器件小型化可通過(guò)多種方式實(shí)現(xiàn)，主要包括通過(guò)簡(jiǎn)化單元結(jié)構(gòu)來(lái)減少芯片面積及降低芯片厚度,，以縮小器件的整體體積,；提高芯片可靠工作的溫度范圍，從而通過(guò)減少冷卻來(lái)減小功率模塊系統(tǒng)體積,；提高芯片集成度,，以壓縮功率模塊體積，進(jìn)而降低汽車生產(chǎn)系統(tǒng)成本,。

　　優(yōu)化設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)功率器件小型化的必由之路,。功率器件通過(guò)選擇新材料方案，提高功率器件頻率及耐壓能力,，減少周邊電路的體積,，降低功率器件重量；設(shè)計(jì)更優(yōu)異的電路結(jié)構(gòu),，實(shí)現(xiàn)高密度立體化器件排布設(shè)計(jì),，可以進(jìn)一步縮短電荷運(yùn)動(dòng)路徑，降低電芯阻抗,，縮小功率器件體積,，節(jié)省系統(tǒng)成本；優(yōu)化功率器件封裝設(shè)計(jì)及冷卻方案設(shè)計(jì),，用氣冷替代水冷來(lái)提高功率器件散熱效率，縮小功率器件封裝體積,，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化,。

　　3.3 封裝端：車規(guī)級(jí)封裝技術(shù)圍繞標(biāo)準(zhǔn)化和小型化發(fā)展

　　依據(jù)封裝材料和連接方式不同，可將半導(dǎo)體封裝分為多種類型,，其中,，塑料及貼裝式封裝為主流封裝技術(shù)。對(duì)于半導(dǎo)體的封裝方式,，按封裝材料不同,，可分為金屬封裝、陶瓷封裝和塑料封裝三種,，其中,，汽車電子主要采用塑料封裝；按連接方式不同,，主要分為通孔式和貼裝式,，汽車電子的適用環(huán)境相對(duì)較為惡劣,，通孔式及貼裝式均有使用，但主流技術(shù)是貼裝式,。

　　目前,，全球主流半導(dǎo)體封裝技術(shù)處于面積陣列封裝階段的成熟期，并向堆疊式封裝階段發(fā)展,。自 20 世紀(jì) 80 年代以來(lái),，半導(dǎo)體封裝技術(shù)經(jīng)歷了插孔原件、表面貼裝,、面積陣列封裝,、堆疊式封裝等四個(gè)階段。現(xiàn)階段,，第三代的面積陣列封裝技術(shù)發(fā)展較為成熟,，與此同時(shí)，部分廠商正向第四代的堆疊封裝技術(shù)邁進(jìn)并已實(shí)現(xiàn)小批量出貨,。

　　汽車電子的多樣性決定了封裝要求的多樣性,，車規(guī)級(jí)功率器件通過(guò)多種封裝形式來(lái)滿足市場(chǎng)需求。汽車半導(dǎo)體分布范圍廣泛,，包括信息娛樂(lè)和遠(yuǎn)程信息,、攝像頭模塊、車身電子,、安全系統(tǒng),、電氣化系統(tǒng)和 MEMS 及傳感器等六大板塊。根據(jù)工作環(huán)境及應(yīng)用需求的不同,，汽車電子封裝技術(shù)需要保持高可靠性和可擴(kuò)展性,，目前是一種非標(biāo)準(zhǔn)化的封裝。其中,，車規(guī)級(jí)功率器件及功率模組可以選用 DPAK,、HSON、SOP,、LFPAK,、CSP、PQFN,、PSMC,、SOD、TOLL,、TO 等多種封裝類型,。

　　以 Amkor 車規(guī)級(jí)功率器件及模塊封裝服務(wù)為例，可分為中壓,、高壓及先進(jìn)小型封裝三種：（1）中壓封裝類型：DPAK,、HSON,、PQFN、TSON 等,；（2）高壓封裝類型：D2PAK,、LFPAK、TO 等,；（3）小型化封裝類型：CSP,、PSMC、SOP,、SOD,、TOLL 等。

　　功率器件對(duì)熱流量密度,、耐高溫,、耐高壓、抗干擾等性能有較高要求,，相比于 IC 芯片,，封裝難度更大。相對(duì)于邏輯 IC,，功率半導(dǎo)體器件的熱流量密度高出 1-2 個(gè)數(shù)量級(jí),，對(duì)封裝的要求更高。功率器件的工作溫度較高,、工作電壓較大,、開(kāi)關(guān)頻率干擾較高的特點(diǎn)進(jìn)一步提升了封裝難度?；趯?duì)自身特性,、工作環(huán)境、市場(chǎng)需求等方面的考慮,，功率器件在封裝技術(shù)上需實(shí)現(xiàn)以下目標(biāo)：

　?。?）高可靠性。需要在高溫高壓的條件下有長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定使用壽命,。

　　（2）高效率,。需要將功率元器件整合封裝為應(yīng)用較廣,、集成度較高的功率模塊，同時(shí)需保持高電導(dǎo)率以降低寄生電阻,、寄生電容,、寄生電感等性能。

　?。?）低成本,。需要保持較低的封裝成本來(lái)降低客戶終端系統(tǒng)成本,，以提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

　　相對(duì)于 Si 基半導(dǎo)體器件,，SiC 等寬禁帶半導(dǎo)體器件對(duì)高溫,、高壓、高頻率等方面的要求更高,，未來(lái)寬禁帶半導(dǎo)體的封裝難度將進(jìn)一步加大,。

　　車規(guī)級(jí)產(chǎn)品對(duì)生命周期、損耗,、散熱效率等性能的要求更高,，提升了車規(guī)級(jí)功率器件的封裝難度。汽車電子是長(zhǎng)生命周期產(chǎn)品,，通常需要保證在 10年甚至以上的時(shí)間里保持穩(wěn)定,、安全運(yùn)行。高質(zhì)量的車規(guī)級(jí)功率器件封裝需要實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,、低電感,、高電流密度、優(yōu)異的抗電磁干擾性,、最大程度擴(kuò)大源極和漏極的連接面積,、消除產(chǎn)生損耗接口、降低器件貼片高度,、提高散熱效率等性能,；同時(shí)，還需要使用無(wú)鉛電鍍和無(wú)鹵素模塑化合物等綠色,、耐高溫的先進(jìn)材料,。

　　汽車功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)將沿標(biāo)準(zhǔn)化、小型化的方向發(fā)展,。目前,，半導(dǎo)體封裝行業(yè)相對(duì)分散，各廠商在界面材料,、模具化合物及鍵合方式等方面存在很大差異,，非標(biāo)準(zhǔn)化降低了封裝效率的同時(shí)也增加了成本，隨著材料及工藝的演進(jìn),，汽車功率半導(dǎo)體封裝將走向標(biāo)準(zhǔn)化,；基于對(duì)耐高溫、低熱膨脹系數(shù)及高熱導(dǎo)系數(shù)材料的突破,，將過(guò)濾器,、控制器及傳感器等組件進(jìn)行更高水平的集成封裝成為可能。標(biāo)準(zhǔn)化和集成化有利于成本的降低和體積的減小,，這對(duì)于成本控制極嚴(yán),、空間利用率極高的汽車行業(yè)是一大利好,。

　　3.4 模式端：IDM 模式更適合汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

　　半導(dǎo)體廠商的經(jīng)營(yíng)模式主要有四種，即 IDM,、Fabless,、Foundry、Fablite,。IDM 模式是集芯片設(shè)計(jì),、芯片制造、芯片封裝和測(cè)試等多個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身,，有助于充分發(fā)掘技術(shù)潛力,；Fabless 模式只負(fù)責(zé)芯片的電路設(shè)計(jì)與銷售，將生產(chǎn),、測(cè)試,、封裝等環(huán)節(jié)外包，資產(chǎn)較輕,，運(yùn)營(yíng)費(fèi)用較低,，初始投資規(guī)模小，適合初創(chuàng)公司,；Foundry 模式只負(fù)責(zé)制造,、封裝或測(cè)試的其中一個(gè)環(huán)節(jié)，不負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì),，不承擔(dān)由于市場(chǎng)調(diào)研不準(zhǔn),、產(chǎn)品設(shè)計(jì)缺陷等風(fēng)險(xiǎn)造成的損失。Fablite 模式介于 IDM 和 Fabless 之間,，屬于輕晶圓廠模式,，迫于工藝更新?lián)Q代和維護(hù)成本的壓力，眾多 IDM 廠商已紛紛轉(zhuǎn)向該模式,。

　　IDM 運(yùn)營(yíng)模式有利于提高車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的整體性能,。設(shè)計(jì)、制造,、封裝,、選材等環(huán)節(jié)均對(duì)功率模塊的性能有較大影響，除了設(shè)計(jì)過(guò)程外,，封裝及制造過(guò)程中也需要平衡體積,、功耗、熱管理,、耐壓,、抗沖擊等多個(gè)指標(biāo),，且功率器件后道加工價(jià)值量占比達(dá) 35%以上,，遠(yuǎn)高于普通數(shù)字邏輯芯片的 10%,。對(duì)于對(duì)系統(tǒng)整體性能要求極高的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品而言，通過(guò)選材,、設(shè)計(jì)及生產(chǎn)工藝等全流程的協(xié)同,，更有利于提高產(chǎn)品的性能、降低開(kāi)發(fā)成本,，進(jìn)而提升企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,，因此，IDM 模式更有利于車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),，且極具優(yōu)勢(shì),。

　　國(guó)外功率半導(dǎo)體廠商大多采用 IDM 模式，且有向 Fablite 模式轉(zhuǎn)型的趨勢(shì),。由于國(guó)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展較為成熟,，且功率半導(dǎo)體多采用成熟制程及工藝，為了保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),，國(guó)外功率半導(dǎo)體廠商大多采用 IDM 運(yùn)營(yíng)模式,。但由于 IDM 模式投入巨大，為了緩解成本壓力,，部分國(guó)外廠商已開(kāi)始轉(zhuǎn)型到Fablite 這種輕晶圓廠模式,，將部分產(chǎn)能外包。國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步較晚,，相關(guān)企業(yè)的規(guī)模相對(duì)較小,，大部分仍只有芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)，采用 Fabless 這種低低成本的運(yùn)營(yíng)模式,。