11月15日，山東省工業(yè)和信息化廳公示了第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展《山東省第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃（征求意見稿）》,。公開征求意見時間為2021年11月15日至11月19日,。

圖片來源：山東省工業(yè)和信息化廳官網(wǎng)截圖

《征求意見稿》中提出了發(fā)展目標,。加快完善第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈體系，著力突破關鍵核心技術,，切實提高山東省第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力,。到2025年，碳化硅,、氮化鎵等關鍵材料國產(chǎn)化率實現(xiàn)大幅提高,，芯片設計能力達到國際先進水平，全產(chǎn)業(yè)鏈基本實現(xiàn)自主可控,，打造百億級國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)高地,。

具體包括三方面：產(chǎn)業(yè)規(guī)模邁向新臺階。到2025年,，建成較大規(guī)模先進特色工藝制程生產(chǎn)線,，推動形成要素完備的第三代半導體產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)，帶動模塊及系統(tǒng)應用方面相關產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破300億元。建成國際先進的第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地,，帶動形成基于第三代半導體的電力電子,、微波電子、大功率半導體照明生產(chǎn),、應用系統(tǒng)為核心的產(chǎn)業(yè)集群,。

創(chuàng)新能力取得新突破。到2025年,，突破核心關鍵技術,，建設第三代半導體國家地方聯(lián)合工程研究中心、國家博士后科研工作站,、院士工作站,，搭建國際先進的第三代半導體公共研發(fā)、檢測和服務平臺,，全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力得到有效提升,。

市場主體實現(xiàn)新跨越。培育壯大掌握核心技術,、具有國際競爭力和影響力的龍頭企業(yè),，帶動發(fā)展掌握核心關鍵技術的特色企業(yè)，夯實第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展根基,。

《征求意見稿》指出,，山東省第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展區(qū)域布局。

產(chǎn)業(yè)布局

按照“政府引導,、龍頭帶動,、園區(qū)孵化、集群推進”的總體思路,，發(fā)揮國家集成電路設計濟南產(chǎn)業(yè)化基地,、青島嶗山微電子產(chǎn)業(yè)園、中德生態(tài)園集成電路產(chǎn)業(yè)基地,、濟寧省級信息技術產(chǎn)業(yè)基地等集聚優(yōu)勢,，加大龍頭企業(yè)支持力度，加快構建“4+N”區(qū)域布局,。

濟南,。實施高性能集成電路突破計劃，優(yōu)化升級國家集成電路設計產(chǎn)業(yè)化基地,，依托山東天岳碳化硅襯底材料技術優(yōu)勢,，結合濟南比亞迪半導體芯片等上下游配套項目建設，打造基于硅基和碳化硅基功率半導體器件生產(chǎn)集聚區(qū),，建成國際先進的碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)基地,。

青島。立足本地整機（系統(tǒng)）市場應用優(yōu)勢,，建設好芯恩,、惠科等集成電路重大項目，以發(fā)展模擬及數(shù)?；旌霞呻娐?、智能傳感器、半導體功率器件,、光電子芯片和器件,、第三代半導體為主線，通過抓龍頭,、補短板,、促融合、育生態(tài),，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖贁U張、支撐能力顯著增強,，加快培育自主可控產(chǎn)業(yè)生態(tài),。

濟寧。重點做大單晶硅,、晶圓片,、外延片等上游半導體材料，強鏈發(fā)展中游半導體分立器件,、功率器件及功能芯片產(chǎn)業(yè),。加強同省內(nèi)外高校合作，面向國內(nèi)外引進吸收先進第三代半導體應用加工技術,，提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展位次,。

濰坊。做好浪潮華光氮化鎵材料與器件產(chǎn)業(yè)化項目建設,，優(yōu)化項目建設環(huán)境,，全力以赴提供優(yōu)質(zhì)服務、跟蹤服務,、精準服務,，努力為項目推進創(chuàng)造良好條件。

其他市,。依托本地產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎和特色,，突出差異化發(fā)展，加強同重點市的協(xié)調(diào)聯(lián)動,，支持做好項目招引,，逐步做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

與此同時，《征求意見稿》還明確了山東省第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點任務,。

堅持全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,，提升產(chǎn)業(yè)競爭能級

以技術和產(chǎn)品發(fā)展相對成熟的碳化硅晶體材料為切入點，迅速做大碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模,。聚焦材料,、外延、芯片,、封裝和應用等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié),，加強產(chǎn)學研聯(lián)合，以合資,、合作方式培育和吸引高水平企業(yè),，促進產(chǎn)業(yè)集聚和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，打造第三代半導體電力電子,、微波電子和半導體照明等第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地,。

1.提升材料制備能力。加速推進大尺寸GaN,、SiC等單晶體材料生長及量產(chǎn)技術,，突破GaN、SiC材料大直徑,、低應力和低位錯缺陷等關鍵技術,，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC襯底單晶材料產(chǎn)業(yè)化能力,。突破超硬晶體材料切割和拋光等關鍵核心技術,，提升4-8英寸GaN、SiC襯底材料精密加工能力,。加大對薄膜材料外延生長技術的支持力度,，補足第三代半導體外延材料生長環(huán)節(jié)。推動氧化鎵（Ga2O3）等新一代超寬禁帶半導體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,。

2.發(fā)展器件設計,。大力扶持基于第三代半導體GaN、SiC的高壓大功率,、微型發(fā)光二極管,、毫米波、太赫茲等高端器件設計產(chǎn)業(yè),，圍繞SiC功率器件的新能源汽車應用和GaN功率器件的消費類快充市場,，促進產(chǎn)學研合作以及成果轉(zhuǎn)化，引導器件設計企業(yè)上規(guī)模,、上水平,，提升設計產(chǎn)業(yè)集聚度,，大力發(fā)展第三代半導體仿真設計軟件自主品牌產(chǎn)品，建設具有全球競爭力的器件設計和軟件開發(fā)集聚區(qū),。

3.布局器件制造,。推進基于GaN、SiC的垂直型SBD（肖特基二極管）,、HEMT（高電子遷移率晶體管）,、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）,、IGBT（大功率絕緣柵雙極型晶體管）,、Micro-LED（微型發(fā)光二極管）、高端傳感器,、MEMS（微機電系統(tǒng)）,，以及激光器等器件和模塊的研發(fā)制造，支持科研院所微納加工平臺建設,。大力推動晶圓生產(chǎn)線建設項目,，優(yōu)先發(fā)展特色工藝制程器件制造，在關鍵電力電子器件方面形成系列產(chǎn)品,，綜合性能達到國際先進水平,，SiC二極管、晶體管及其模塊產(chǎn)品和GaN器件產(chǎn)品,、激光芯片及其器件產(chǎn)品具有國際競爭力,。

4.健全封測產(chǎn)業(yè)。積極發(fā)展高端封裝測試,，引進先進封測生產(chǎn)線和技術研發(fā)中心,，大力發(fā)展晶圓級、系統(tǒng)級先進封裝技術以及先進晶圓級測試技術,。大力支持科研院所在第三代半導體相關的電氣性能,、散熱設計、可靠性,、封裝材料等方面的研發(fā)工作,，發(fā)展基于第三代半導體的功率和電源管理芯片、射頻芯片,、顯示芯片等產(chǎn)品的封測產(chǎn)業(yè),。

5.開發(fā)技術裝備。布局“生長,、切片,、拋光、外延”等核心技術裝備,，通過關鍵設備牽引,，實現(xiàn)分段工藝局部成套,，拓展解決整線成套設備國產(chǎn)化，并實現(xiàn)整線集成,。提升氧化爐,、沉積設備、光刻機,、刻蝕設備,、離子注入機、清洗機,、化學研磨設備的生產(chǎn)能力以及設備的精度和穩(wěn)定性,。突破核心共性關鍵技術，形成一流的工藝和產(chǎn)業(yè)應用技術,，掌握核心裝備制造技術,，打造第三代半導體材料裝備領軍企業(yè)。研究開發(fā)碳化硅單晶智能化生長裝備并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,，突破碳化硅晶體可控生長環(huán)境精準檢測與控制技術,、基于大數(shù)據(jù)分析的數(shù)字孿生及人工智能模擬技術，形成智能化碳化硅晶體生長裝備成套關鍵技術,。

推動科技服務新基建,，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境

1.建設公共技術平臺。整合省內(nèi)優(yōu)勢中堅力量,，謀劃建設第三代半導體關鍵技術研究公共技術平臺,，搭建國際先進的涵蓋第三代半導體晶體生長技術、器件物理研究,、微納器件設計與加工技術,、芯片封裝與測試等核心技術實體研發(fā)創(chuàng)新中心，提升研發(fā)水平和效率,。建設國際先進的第三代半導體研發(fā),、檢測和服務公共平臺，開展芯片和器件關鍵技術攻關,，研發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的新材料,、新工藝、新器件,。深入開展核心關鍵技術研究,、應用驗證、測試等,，引入高溫離子注入系統(tǒng),、化學機械拋光系統(tǒng)、等離子刻蝕機等關鍵工藝設備,，以及大型分析檢測測試設備,，為產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展提供服務支撐,。

2.搭建成果轉(zhuǎn)化平臺。鼓勵產(chǎn)學研深度合作,，聚焦第三代半導體單晶材料生長技術,，器件設計與制備技術，封裝與測試技術等領域,，加快推進高校及研究院所科技成果與產(chǎn)業(yè)的對接,，以共建聯(lián)合實驗室等形式落實成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，實現(xiàn)我省在半導體核心技術領域的彎道超車,；建設省級第三代半導體重點實驗室,、工程技術中心等，加快推進申請國家級第三代半導體實驗室,，引入高端研發(fā)人才,，對接先進科研成果,，加速成果產(chǎn)業(yè)化進程,。

3.發(fā)展產(chǎn)業(yè)孵化平臺。支持地市,、高校聯(lián)合國內(nèi)外研發(fā)機構和重點企業(yè),，按照新型研發(fā)機構模式成立第三代半導體產(chǎn)業(yè)研究院，逐步建成國際先進,、國內(nèi)一流的第三代半導體科技孵化
器,，帶動產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)展。

培育優(yōu)勢主體,，拉動產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模

1.壯大龍頭企業(yè),。加大對重點企業(yè)的關注和扶持力度，實行一企一策,，協(xié)調(diào)解決企業(yè)發(fā)展關鍵制約點,。優(yōu)先將符合條件的產(chǎn)業(yè)鏈重點項目納入山東省新舊動能轉(zhuǎn)換重大項目庫，充分利用好新舊動能轉(zhuǎn)換政策,，進行重點扶持,；圍繞SiC、GaN等晶體材料,、功率器件和模塊,、照明與顯示器件和下游應用等產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，培育壯大細分行業(yè)領軍企業(yè),，逐步扶持企業(yè)上市,。

2.融通產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。強化需求牽引的作用,，從應用端需求入手,，加強從材料,、芯片、器件到模塊應用產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度合作,。加強省內(nèi)省外行業(yè)對接合作,，精準招引、實施補鏈,、延鏈,、強鏈項目。沿鏈分批打造規(guī)模大,、技術強,、品牌響的“領航型”企業(yè)，培育細分領域的“瞪羚”“獨角獸”企業(yè),，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游,、大中小企業(yè)緊密配套、融通發(fā)展,，有效提升產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的穩(wěn)定性和競爭力,。

推進下游應用，拓寬產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑

1.大力支持碳化硅功率模塊的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,。加快實現(xiàn)碳化硅模塊量產(chǎn),，并提升碳化硅芯片及模塊在電氣性能、散熱設計,、可靠性,、封裝材料等方面的性能，降低生產(chǎn)成本,。突破第三代半導體器件在充電樁,、電動汽車、家電等領域的應用關鍵技術,，掃清產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴大的技術壁壘,。擴大應用規(guī)模，支持省內(nèi)碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)擴大產(chǎn)能,，形成碳化硅模塊產(chǎn)業(yè)集聚,，打造模組開發(fā)應用產(chǎn)業(yè)化的新高地。

2.加快國產(chǎn)化第三代半導體產(chǎn)品應用推廣,。引導省內(nèi)芯片制造,、封裝測試企業(yè)與第三代半導體材料企業(yè)對接，聯(lián)合開展研發(fā)攻關,，實現(xiàn)關鍵材料本地覆蓋,。組織開展省內(nèi)國產(chǎn)第三代半導體應用試點示范，在襯底,、芯片加工,、模組應用等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)對企業(yè)提出國產(chǎn)化比例考核要求,。