當(dāng)前,，量產(chǎn)的晶體管已經(jīng)進入4nm尺度,，3nm研發(fā)也已經(jīng)凍結(jié)進入試產(chǎn),。

在11月于日本舉辦的線上ITF大會上，半導(dǎo)體行業(yè)大腦imec（比利時微電子研究中心）公布了未來十年的技術(shù)藍圖,。

據(jù)悉,，2025年后，晶體管微縮化進入埃米尺度（?,，angstrom,，1埃 ＝ 0．1納米），時間節(jié)點的規(guī)劃是,，2025年A14（14?＝1．4納米）,、2027年為A10（10?＝1nm）、2029年為A7（7?＝0．7納米）,。

微觀晶體管結(jié)構(gòu)層面,，imec試圖在14?節(jié)點使用Forksheet結(jié)構(gòu)（p型和n型納米片晶體管成對排列，類似于用餐的叉子）,，10?節(jié)點試圖采用CEFT結(jié)構(gòu)，1納米（10?）以下計劃采用原子形狀的溝道,，依賴Mo（鉬）,、W（鎢）、X為硫,、Se硒,、Te（碲）等2D材料和High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機來實現(xiàn)。

說到High NA EUV光刻機（0．55NA），一號原型機（EXE：5000）將在2023年由ASML提供給imec的聯(lián)合實驗室,，2026年量產(chǎn),，從而服務(wù)1nm及更先進的節(jié)點。