近日,，露笑科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“露笑科技”）發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表，針對(duì)產(chǎn)線產(chǎn)能及未來(lái)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃等話題進(jìn)行了回應(yīng),。具體內(nèi)容如下：

有投資者提問(wèn)稱,，公司產(chǎn)線11月全面投產(chǎn)，目前產(chǎn)能情況如何,？未來(lái)有無(wú)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,？露笑科技表示，目前公司現(xiàn)有的襯底片年產(chǎn)能為2．5萬(wàn)片,，后續(xù)將根據(jù)市場(chǎng)訂單情況繼續(xù)進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn),，預(yù)計(jì)到明年6月份之前，公司將年產(chǎn)能擴(kuò)大到10萬(wàn)片。

此前,，露笑科技表示在6寸碳化硅的長(zhǎng)晶領(lǐng)域有獨(dú)到的技術(shù)支持,，對(duì)于目前長(zhǎng)晶技術(shù)方面有無(wú)申請(qǐng)專利？長(zhǎng)晶過(guò)程的關(guān)鍵點(diǎn)在哪里,？對(duì)此露笑科技表示,，SiC晶體生長(zhǎng)經(jīng)歷了三個(gè)階段，即Acheson法（1891年）,、Lely法（1955年）,、改進(jìn)的Lely法（1978年）。Acheson法主要用來(lái)生產(chǎn)磨料,，現(xiàn)在仍是生產(chǎn)磨料的主要方法，鱗狀單晶片是副產(chǎn)品,。Lely法的應(yīng)用使SiC晶體生長(zhǎng)向前邁進(jìn)了一步,，但是和Acheson法一樣，由于無(wú)法有效控制成核,，單晶尺寸小,，阻礙了SiC晶體的應(yīng)用。1978年,，前蘇聯(lián)科學(xué)家Tairov和Tsvetkov在前人的基礎(chǔ)上,，率先使用籽晶生長(zhǎng)出SiC單晶，稱為改進(jìn)的Lely法,。這是一個(gè)劃時(shí)代的發(fā)明,，極大地促進(jìn)了SiC晶體的生長(zhǎng)和應(yīng)用。西屋科學(xué)技術(shù)中心的科學(xué)家對(duì)改進(jìn)的Lely法進(jìn)行了優(yōu)化,，稱之為物理氣相輸運(yùn)技術(shù)（PVT）,。PVT法是目前生長(zhǎng)SiC單晶最優(yōu)異的方法。

從SiC晶體生長(zhǎng)的簡(jiǎn)單歷史回顧看出,，由于Tairov和Tsvetkov兩位科學(xué)家以論文的形式,，報(bào)道了他們的研究成果，而沒有申請(qǐng)專利,，因此SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)（這里專指PVT法）是公開的技術(shù),，任何單位和個(gè)人都有權(quán)使用這種方法生長(zhǎng)SiC晶體。

6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)的關(guān)鍵在于溫場(chǎng)的調(diào)控和籽晶的粘接,，這些所謂的“know－h(huán)ow”是晶體生長(zhǎng)研究者長(zhǎng)期實(shí)踐的總結(jié),，一般是不申請(qǐng)專利的。目前已公開的SiC晶體生長(zhǎng)專利主要側(cè)重于生長(zhǎng)設(shè)備,、晶體生長(zhǎng)的某些細(xì)節(jié)或籽晶處理等方面,。露笑技術(shù)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)堅(jiān)持不懈的技術(shù)攻關(guān)，全面掌握了生長(zhǎng)工藝參數(shù)之間的耦合關(guān)系，確定了各工藝參數(shù)的優(yōu)值,，具備了可重復(fù),、可批量生長(zhǎng)碳化硅晶體的設(shè)備及技術(shù)條件?；诩夹g(shù)保密的需要,，露笑暫未申請(qǐng)相關(guān)專利，待時(shí)機(jī)成熟后公司會(huì)加大專利布局的力度,。

被問(wèn)及公司提供的襯底產(chǎn)品在全球處于什么水平,，可否用于SiC功率器件時(shí)，露笑科技表示,，公司生產(chǎn)的6英寸導(dǎo)電型4H－SiC襯底片已通過(guò)下游廠商驗(yàn)證,，各項(xiàng)參數(shù)達(dá)到了P級(jí)工業(yè)應(yīng)用的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品品質(zhì)處于第一梯隊(duì),。公司的碳化硅襯底片既可用于碳化硅肖特基二極管（SBD）,，也可以用于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）器件，能滿足絕大多數(shù)場(chǎng)景碳化硅功率器件的要求,。

目前,，露笑科技的襯底片應(yīng)用領(lǐng)域包括碳化硅SBD二極管和MOSFET管，可以廣泛應(yīng)用于新能源汽車,、光伏等各個(gè)領(lǐng)域,。公司的碳化硅襯底片車企和光伏領(lǐng)域都能應(yīng)用，目前與下游一些知名廠商在積極接洽中,。目前公司碳化硅襯底片生產(chǎn)工藝穩(wěn)定,，水電氣等運(yùn)行也一切穩(wěn)定，規(guī)?；慨a(chǎn)不存在問(wèn)題,。