近日，露笑科技股份有限公司（以下簡稱“露笑科技”）發(fā)布投資者關系活動記錄表,，針對產(chǎn)線產(chǎn)能及未來擴產(chǎn)計劃等話題進行了回應,。具體內(nèi)容如下：

有投資者提問稱，公司產(chǎn)線11月全面投產(chǎn),，目前產(chǎn)能情況如何,？未來有無擴產(chǎn)計劃,？露笑科技表示，目前公司現(xiàn)有的襯底片年產(chǎn)能為2．5萬片,，后續(xù)將根據(jù)市場訂單情況繼續(xù)進行擴產(chǎn),，預計到明年6月份之前，公司將年產(chǎn)能擴大到10萬片,。

此前,，露笑科技表示在6寸碳化硅的長晶領域有獨到的技術支持，對于目前長晶技術方面有無申請專利,？長晶過程的關鍵點在哪里,？對此露笑科技表示，SiC晶體生長經(jīng)歷了三個階段,，即Acheson法（1891年）,、Lely法（1955年）、改進的Lely法（1978年）,。Acheson法主要用來生產(chǎn)磨料,，現(xiàn)在仍是生產(chǎn)磨料的主要方法，鱗狀單晶片是副產(chǎn)品,。Lely法的應用使SiC晶體生長向前邁進了一步，但是和Acheson法一樣,，由于無法有效控制成核,，單晶尺寸小，阻礙了SiC晶體的應用,。1978年,，前蘇聯(lián)科學家Tairov和Tsvetkov在前人的基礎上，率先使用籽晶生長出SiC單晶,，稱為改進的Lely法,。這是一個劃時代的發(fā)明，極大地促進了SiC晶體的生長和應用,。西屋科學技術中心的科學家對改進的Lely法進行了優(yōu)化,，稱之為物理氣相輸運技術（PVT）。PVT法是目前生長SiC單晶最優(yōu)異的方法,。

從SiC晶體生長的簡單歷史回顧看出,，由于Tairov和Tsvetkov兩位科學家以論文的形式，報道了他們的研究成果,，而沒有申請專利,，因此SiC晶體生長技術（這里專指PVT法）是公開的技術，任何單位和個人都有權使用這種方法生長SiC晶體,。

6英寸碳化硅晶體生長的關鍵在于溫場的調(diào)控和籽晶的粘接,，這些所謂的“know－h(huán)ow”是晶體生長研究者長期實踐的總結,，一般是不申請專利的。目前已公開的SiC晶體生長專利主要側重于生長設備,、晶體生長的某些細節(jié)或籽晶處理等方面,。露笑技術團隊經(jīng)過堅持不懈的技術攻關，全面掌握了生長工藝參數(shù)之間的耦合關系,，確定了各工藝參數(shù)的優(yōu)值,，具備了可重復、可批量生長碳化硅晶體的設備及技術條件,?；诩夹g保密的需要，露笑暫未申請相關專利,，待時機成熟后公司會加大專利布局的力度,。

被問及公司提供的襯底產(chǎn)品在全球處于什么水平，可否用于SiC功率器件時,，露笑科技表示,，公司生產(chǎn)的6英寸導電型4H－SiC襯底片已通過下游廠商驗證，各項參數(shù)達到了P級工業(yè)應用的國際標準,，產(chǎn)品品質(zhì)處于第一梯隊,。公司的碳化硅襯底片既可用于碳化硅肖特基二極管（SBD），也可以用于金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）器件,，能滿足絕大多數(shù)場景碳化硅功率器件的要求,。

目前，露笑科技的襯底片應用領域包括碳化硅SBD二極管和MOSFET管,，可以廣泛應用于新能源汽車,、光伏等各個領域。公司的碳化硅襯底片車企和光伏領域都能應用,，目前與下游一些知名廠商在積極接洽中,。目前公司碳化硅襯底片生產(chǎn)工藝穩(wěn)定，水電氣等運行也一切穩(wěn)定,，規(guī)?；慨a(chǎn)不存在問題。