在先進半導(dǎo)體工藝上,，臺積電目前是無可爭議的老大,，Q3季度占據(jù)全然53%的晶圓代工份額,，三星位列第二,，但份額只有臺積電的1/3,，所以三星押注了下一代工藝,，包括3nm及未來的2nm工藝,。

根據(jù)三星的計劃,，3nm工藝會放棄FinFET晶體管技術(shù),，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極,，3nm工藝上分為兩個版本，其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產(chǎn),，3GAP(高性能版)則會在2023年年初批量生產(chǎn),。

對比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%,，同功耗下性能提高30%,，同性能下功耗降低50%。

再往后就是2nm工藝,，三星高管日前再次表態(tài)2nm工藝會在2025年量產(chǎn),。

不過具體的工藝指標(biāo)還沒公布，只知道還是GAA晶體管,，跟3nm一樣基于MBCFET(多橋溝道FET)技術(shù),，這是一種納米片晶體管，可以垂直堆疊,，而且兼容現(xiàn)在的CMOS工藝,，共享設(shè)備與制造方法，降低了新技術(shù)的升級成本,。

三星的2nm工藝是一大進步,，創(chuàng)新亮點不少，而且跟現(xiàn)在已有的2nm技術(shù)不同——此前IBM全球首發(fā)了2nm芯片,，指甲蓋大小的面積就可以集成500億晶體管,，相比7nm工藝提升了45%的性能或者減少75%的功耗，預(yù)計2024年量產(chǎn),。

三星也參與了IBM的2nm技術(shù),，然而自己量產(chǎn)的2nm技術(shù)跟IBM的2nm并不一樣，后者需要新的生產(chǎn)方法,，三星還會依賴自家研發(fā)的2nm技術(shù),。